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  • 本发明提供一种高密度端子模块的制备方法, 包含:使一瞬时衬底通过一层可解粘胶粘附一承载衬底, 该承载衬底具有多个承载区, 可解粘胶是选自由低温水解胶、冷解粘胶和热解粘胶所组成的群组;使这些承载区通过一层高温水解胶粘附多组柱状导体, 该些组柱...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域, 本发明揭示了一种多层芯片堆叠封装方法及其结构, 所述多层芯片堆叠封装方法具体包括如下:提供一具有折弯结构的导电连接柱单元;将导电连接柱单元安装在基板上后对导电连接柱单元进行封装处理;将封装后的组件进行研磨以使...
  • 本发明公开了一种半导体器件成型加工方法和模具, 该方法包括:将半导体器件成型模具的上模和下模分离;上模由目标成型凸模、上模浮动组件组成, 下模由成型凹模、下模浮动组件组成;目标成型凸模为将初始成型凸模的第二高度减少目标长度得到的;将初始半导...
  • 本申请实施例提供一种晶圆键合结构及其制造方法、芯片堆叠结构的制造方法、封装结构。其中, 晶圆键合结构的制造方法包括:提供第一晶圆和第二晶圆;第一晶圆和第二晶圆包括多个芯片;形成覆盖第一晶圆和第二晶圆的第一面的第一介质层;以及形成贯穿第一介质...
  • 本发明公开一种集成多种封装技术的超薄系统级芯片封装结构及方法。该封装结构及方法通过将Interposer技术、FC技术、FOWLP技术、SiP技术和TGV技术整合制备具有高性能、低功耗、小型化、异质工艺集成、低成本特点的高密度、多芯片集成的...
  • 一种半导体封装结构及封装方法, 其中封装方法包括:提供基板;提供第一封装单元, 所述第一封装单元包括第一芯片, 以及包覆所述第一芯片的第一封装层;在所述第一封装层上设置多个第二芯片, 各所述第二芯片与所述第一芯片电连接;在所述第一封装层上形...
  • 本发明涉及封装技术领域, 具体涉及一种芯片DFN0603‑3L封装工艺, 包括以下步骤:先进行晶圆预处理, 制备镍金复合凸点, 减薄晶圆并粘贴第一载膜固定;采用三层结构胶膜进行层压, 实现非导电胶层填充与导电胶层欧姆接触;运用波长355nm...
  • 电子元件内置基板及其制造方法, 该方法具有:在第一基板上搭载与第一焊垫相接的第一基板连接部件;在第二基板上搭载电子元件、以及与第二焊垫相接的第二基板连接部件;在第二基板上层叠第一基板, 使第一基板连接部件与第二基板连接部件接触;一边对第一基...
  • 本发明的半导体的处理方法包括:在基底的表面形成薄膜层;在晶片的表面形成缓冲层;连接所述基底与所述晶片, 所述薄膜层与所述缓冲层接触;以及加热所述基底和所述晶片, 使所述薄膜层融合于所述基底。该方法简单高效、成本低, 能够释放晶片和基底之间的...
  • 本发明公开了一种三极管框架超声波清洗装料装置, 属于三极管生产技术领域。该装置包括主体底座、进料平台、超声波清洗槽、传送履带、烘箱、航车组、接料组及联动控制组件。航车组通过航车抓钩将进料平台上的三极管框架盒依次移送至超声波清洗槽和传送履带起...
  • 本发明涉及一种轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法, 步骤为:材料准备, 材料表面处理, 封装处理, 焊接, 酸洗, 上胶, 固化, 模压, 老化, 回流焊和二次老化。本发明使用经过研磨的晶圆和玻璃钝化切割后芯片, 低温焊接, 焊接气孔更...
  • 本发明涉及半导体器件的制造方法、半导体器件、衬底处理装置及记录介质。课题是提供能够抑制在衬底与半导体芯片之间埋入底部填充材料时产生孔隙的技术。解决手段具有:在衬底上接合半导体芯片时, 在所述衬底的与所述半导体芯片的接合面侧的第一面上形成微凸...
  • 一种封装结构及封装方法, 其中封装方法包括:提供基板, 所述基板具有键合面;提供芯片封装单元, 所述芯片封装单元具有相对的第一面和第二面;在所述芯片封装单元的第一面上形成粘合层;在所述粘合层上形成辅助基板, 所述辅助基板的热膨胀系数大于所述...
  • 本申请公开一种功率芯片封装结构及其制造方法。所述功率芯片封装结构包含一载板、多个支撑部、一导电膏及一功率芯片。所述载板包含一陶瓷板及形成于所述陶瓷板的一内金属层。所述内金属层包含一连接垫及彼此间隔设置且位于所述连接垫外侧的多个承载区块。多个...
  • 本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构, 涉及半导体领域, 半导体结构的制作方法包括:形成基底, 基底包括衬底以及设置于衬底上的导电层;于导电层上形成光刻胶图案层;以光刻胶图案层为掩膜, 图案化导电层, 得到接触垫;去除光刻胶图案层...
  • 本发明提供一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备, 该半导体膜层包括由上而下依次设置的第一膜层和第二膜层, 包括:利用第一气体对半导体膜层中的第一膜层进行刻蚀并暴露出第二膜层, 形成图形化的第一膜层;对第一膜层的图形侧壁进行钝化处理, 形...
  • 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题是提供一种能够从衬底上的特定区域选择性地形成金属含有膜的技术。解决手段是(a)通过向衬底供给卤素含有剂, 从而在所述衬底形成促进有机含有剂的吸附的吸附促进层的工序;(...
  • 本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及处理装置。课题在于提供能够选择性地蚀刻特定区域的技术。解决手段包括:(a)通过向具有第1面和第2面的对象供给阻碍剂, 从而使所述阻碍剂吸附于所述第2面的工序;(b)向所述第1面供给含第1卤...
  • 本发明的半导体基体的处理方法包括:在半导体基体的表面形成介质层;在所述介质层上沉积弹性材料层;以及在所述弹性材料层上沉积元器件。该方法简单高效, 能够改善半导体基体的柔韧性, 从而适应更广的应用范围。
  • 本申请案的实施例涉及用于等离子体蚀刻衬底的方法和设备。一种等离子体蚀刻衬底的方法, 所述方法包括:(a)提供其上形成有掩模的衬底, 所述掩模具有开口, 其中所述衬底包括至少一个GaN或GaN合金层;(b)执行第一等离子体蚀刻步骤以通过所述开...
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