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散热装置、散热方法和电子设备
本公开涉及一种散热装置、散热方法和电子设备, 散热装置包括节流件和设于半导体器件的多个散热微通道, 并能够根据半导体器件的运行场景, 通过控制节流件的开度调节散热微通道内的换热介质的流量, 从而针对不同运行场景下半导体器件的温度区域进行温度...
一种场解耦式压接功率模块
本发明涉及技术领域, 特别是一种场解耦式压接功率模块, 包括, 承载组件, 包括有热解耦型管盖和设于所述热解耦型管盖下方的管盖底板, 控制组件, 包括有设于所述管盖底板下方的芯片子单元, 散热组件, 包括有设于所述芯片子单元下方的场解耦管座...
一种半导体芯片及其制备方法
本发明涉及半导体芯片及其制备方法领域, 本发明揭示了一种半导体芯片及其制备方法, 所述半导体芯片包括基板、元器件和连接器;元器件和连接器安装在基板上;基板设有预定切割位置;连接器设置于预定切割位置上;连接器在切割后在切面形成连接触点, 用于...
一种封装结构及封装结构的制备方法
本发明公开了一种封装结构及封装结构的制备方法。封装结构包括:塑封层包覆待封装晶圆;第一电镀金属层包括相互连接的外接引脚和第一连接部;外接引脚设置于所述塑封层外;塑封层设置有外接引脚的一侧设置有第一通孔, 第一连接部设置于第一通孔内;第一连接...
半导体封装结构及其制造方法
本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包含衬底、第一电子组件及支撑组件。所述第一电子组件安置在所述衬底上。所述第一电子组件具有面对所述衬底的第一表面的背面表面。所述支撑组件安置在所述第一电子组件的所述背面表面与所述衬底...
半导体器件及电子设备
本申请提供了一种半导体器件和电子设备, 该半导体器件包括芯片模块和天线模块, 芯片模块包括第一线路载板和至少一第一无源器件, 第一无源器件设置于第一线路载板上, 并且与第一线路载板电性连接, 通过将天线模块设置于芯片模块的第一线路载板上, ...
具有电磁屏蔽功能的封装结构及其形成方法
本发明涉及一种具有电磁屏蔽功能的封装结构及其形成方法。所述具有电磁屏蔽功能的封装结构包括:转接板, 包括衬底以及位于所述衬底内的容纳腔;布线层, 位于所述转接板上;第一芯片, 位于所述容纳腔内且与所述布线层电连接;电磁屏蔽层, 至少覆盖于所...
一种场解耦式弹性压接功率模块
本发明公开了一种场解耦式弹性压接功率模块, 涉及功率半导体封装技术领域, 场解耦式弹性压接功率模块, 包括, 基板、设置于基板上的刻槽, 刻槽阻断热量横向传输并分散应力分布, 设置于基板上的芯片以及实现多个芯片之间电气互连的弹性压接组件。本...
一种封装结构及方法
本发明提供一种封装结构及方法, 属于陶瓷封装技术领域, 封装结构包括陶瓷外壳和陶瓷盖板, 陶瓷外壳与陶瓷盖板连接;陶瓷外壳包括多个第一引针、第一陶瓷体、第一焊盘, 多个第一引针设置在第一陶瓷体的下表面, 第一焊盘设置在第一陶瓷体的上表面;陶...
用于中小电流负载点电源的HTCC一体化封装结构及加工方法
本发明涉及一种用于中小电流负载点电源的HTCC一体化封装结构及加工方法。该封装结构包括:HTCC基板和设置在HTCC基板上方的盖板;盖板与HTCC基板围成密封腔体;密封腔体中安装有芯片铜框;HTCC基板的顶部设置有下沉凹槽;下沉凹槽用于安装...
划片裂纹扩展阻断方法和裂纹阻挡结构
本申请公开了一种划片裂纹扩展阻断方法和裂纹阻挡结构, 属于半导体制造技术领域, 主要目的是阻断划片裂纹扩展。本申请的主要技术方案为:该划片裂纹扩展阻断方法包括:获取待切割件的第一参数信息以及待切割件上作为裂纹阻挡结构的阵列孔的多组第二参数信...
一种铜互连结构的制造方法及半导体结构
本申请公开了一种铜互连结构的制造方法及半导体结构, 所述铜互连结构的制造方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成致密度由底部到顶部的逐步增加的低介电常数介质层;在所述介质层中形成铜互连沟槽;在所述沟槽侧壁及底部形成铜阻挡层;在所述铜...
一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆
本发明涉及集成电路制造技术领域, 特别是涉及一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆, 本发明将金属走线进行分层布设, 并设置预设间距进行隔离;在划片槽的交叉处通过通孔实现不同金属层的金属走线之间的跳线连接, 多层金属走线实现高密度信号传输, ...
导电接触孔的制备方法
本申请实施例涉及一种导电接触孔的制备方法, 包括:提供半导体结构, 半导体结构包括衬底和待接触结构, 衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面, 待接触结构至少部分凸出于第一表面;在半导体结构上形成介质层, 介质层掩埋待接触结构;去除部分厚度的...
一种铜互联结构的形成方法
一种铜互联结构的形成方法, 包括:步骤S1 : 提供半导体衬底, 半导体衬底形成有通孔以及沟槽;步骤S2 : 沉积第一铜金属层, 第一铜金属层覆盖半导体衬底表面并沉积在沟槽以及通孔内;步骤S3 : 在第一铜金属层上沉积铜掺镧合金层, 沟槽内...
浅沟槽隔离结构及其工艺方法
本发明涉及半导体技术领域, 具体而言, 涉及一种浅沟槽隔离结构及其工艺方法。浅沟槽隔离结构包括沟槽和填充结构;沟槽的底部具有竖直侧壁, 沟槽的顶部为梯形开口, 梯形开口由外而内逐渐扩大, 且梯形开口的倾斜侧壁与竖直侧壁相交;填充结构填充于沟...
应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆
本申请涉及一种应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆, 包括:提供第一晶圆, 第一晶圆包括第一表面和第二表面, 第一表面为与第二晶圆的键合面;从第一表面侧在第一晶圆内形成隔离槽和通槽, 隔离槽和通槽均从第一表面延伸至第一...
一种用于晶圆转移的抓取装置
本发明涉及半导体加工技术领域, 本发明提供了一种用于晶圆转移的抓取装置, 其包括相对设置的第一抓取组件和第二抓取组件, 以及用于连接第一抓取组件和第二抓取组件的连接组件:第一抓取组件和第二抓取组件中至少一者能够沿连接组件移动, 以在抓取状态...
芯片生产用顶升机构及其顶升方法
本发明属于电气元件生产技术领域, 具体涉及专门适合于在半导体处理过程中处理晶片的装置, 尤其涉及一种芯片生产用顶升机构及其顶升方法。其中, 芯片生产用顶升机构, 包括:框架、外套管、内芯杆, 且所述内芯杆的顶部设置有伞骨状顶针以及驱动件。通...
支撑组件及其安装方法、拆卸方法和半导体处理设备
本发明提供了一种支撑组件及其安装方法、拆卸方法和半导体处理设备, 其中支撑组件包括支撑轴和支撑盖, 支撑轴被配置为由驱动部件驱动并用于支撑并带动托盘旋转;支撑轴包括第一端部、与第一端部相对的第二端部以及延伸在第一端部和第二端部之间的主体部,...
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