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最新专利技术
  • 砷化镓单晶衬底及其制造方法
    砷化镓单晶衬底及其制造方法_住友电气工业株式会社_202380095227.6
    砷化镓单晶衬底具有主表面，主表面具有圆形状，并且砷化镓单晶衬底具有作为第一积分强度比的R1、R2、R3、R4、R5以及R6，第一积分强度比是基于在特定的条件下对主表面的中心分别照射X射线的X射线光电子能谱法，通过求出砷的3d电子的检测强度相...
    2025-11-20
  • 利用分子层沉积的掺杂
    利用分子层沉积的掺杂_应用材料公司_202480018696.2
    分子层沉积(MLD)用于为HAR和凹入结构提供保形和均匀的掺杂技术。MLD用于沉积含有掺杂元素的保形碳基膜。随后使用热退火使掺杂元素扩散到半导体材料中。对于HAR结构，保形层与低温掺杂、精确控制一起使用，并且碳基膜可以在掺杂期间或掺杂之后容...
    2025-11-20
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480015421.3
    本发明的基板处理方法是使用单片式清洗机并利用处理液去除基板表面的光阻剂膜的基板处理方法，在单片式清洗机内保持上述基板，使上述基板围绕与上述基板的面交叉的轴旋转，并且将硫酸溶液作为上述处理液释放至上述基板的表面，回收包含从上述基板脱离的光阻剂...
    2025-11-20
  • 用于区域选择性沉积的保护性覆盖层
    用于区域选择性沉积的保护性覆盖层_应用材料公司_202480019679.0
    描述了在半导体基板的金属层上形成保护性覆盖层的方法。使用金属前驱物和脉冲的反应物沉积金属层，以形成具有反应表面的金属层。循环数目可以在1至10个循环或2至5个循环或2至100个循环的范围内。将金属层接着暴露于长链前驱物(例如一级胺、醇、硫醇...
    2025-11-20
  • 用于在含硅晶圆上提供被涂覆的石墨烯层结构的方法
    用于在含硅晶圆上提供被涂覆的石墨烯层结构的方法_帕拉格拉夫有限公司_202480018831.3
    提供了一种用于在含硅晶圆(435)上提供被涂覆的石墨烯层结构(410)的方法，该方法包括：(1)提供晶圆堆叠(420)，该晶圆堆叠(420)依次包括透明衬底(400)、氮化物层(405)、石墨烯层结构(410)和介电钝化层(415)，其中，...
    2025-11-20
  • 制造包括超晶格的射频绝缘体上硅(RFSOI)晶片的方法
    制造包括超晶格的射频绝缘体上硅(RFSOI)晶片的方法_阿托梅拉公司_202480018689.2
    一种用于制造半导体器件的方法可以包括：在外延沉积工具中对绝缘体上半导体(SOI)基板执行退火，该基板包括第一半导体层、在第一半导体层上的绝缘层和在绝缘层上的第二半导体层，第二半导体层具有第一厚度。该方法还可以包括在外延沉积工具中执行原位蚀刻...
    2025-11-20
  • 计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置
    计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置_东京毅力科创株式会社_202480015458.6
    提供一种使多个制程中包含的多个处理步骤之间的关系明确的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。计算机程序使计算机执行以下处理：获取关于分别包含为了处理基板而按顺序被执行的多个处理步骤的多个制程的、分别包含各处理步骤的内容及基于各处理步骤的...
    2025-11-20
  • 旋转电机壳体
    旋转电机壳体_威格电气设备股份有限公司_202280102898.6
    本发明描述了一种旋转电机壳体，包括在壳体的上部部分中的至少一个冷却流体入口；在壳体的下部部分中的至少一个冷却流体出口；内表面，其具有内表面的第一侧和内表面的第二侧，其中第一侧和第二侧彼此面对，第一侧包含至少一组第一侧凹部，并且第二侧包含至少...
    2025-11-20
  • 用于分析样品的系统和方法
    用于分析样品的系统和方法_CMP科学公司_202380085703.6
    提供了用于分析样品的系统和方法。在一些实施方案中，质谱仪可包括被配置为输出多个粒子的源、具有中心轴线的管和撇渣器。在一些实施方案中，撇渣器可以包括被布置成接收由偏转器偏转的一个或多个带电粒子的孔和包括与管的中心轴线相交的交点的接触表面。所述...
    2025-11-20
  • 磁控管溅射工艺的动态均匀性控制
    磁控管溅射工艺的动态均匀性控制_梭莱先进镀膜有限公司_202480018527.9
    磁控管溅射工艺的动态均匀性控制。公开了一种用于溅射装置的磁控管组件、其制造方法及其在非平面基底镀膜应用中的用途。该磁控管组件(170)包括分别用于在其上安装细长溅射靶(178)和磁体组件(130)的第一和第二支撑构件(171、172)；并进...
    2025-11-20
  • 具有先进涂层技术的半导体腔室组件
    具有先进涂层技术的半导体腔室组件_应用材料公司_202480022575.5
    本技术一般涉及半导体处理系统及方法。系统及方法包括具有多个腔室部件的腔室，所述腔室部件诸如基座、盖叠层、面板、电极及喷淋头。所述面板由所述盖叠层支撑并限定多个第一孔，而所述喷淋头位于所述面板与所述基座之间并限定多个第二孔。在系统及方法中，所...
    2025-11-20
  • 用于介电蚀刻室电极的底部夹式螺柱-承座组件
    用于介电蚀刻室电极的底部夹式螺柱-承座组件_朗姆研究公司_202480018093.2
    螺柱承座组件包括：柱销，其具有头部、主体和将头部连接到主体的颈部；承座，其具有圆柱形内腔，并具有上部开口，柱销穿过上部开口设置，上部开口的内径比柱销头部的外径小至少为0.005英寸；多个贝氏弹簧垫圈，其周向环绕柱销的主体；固定件，其连接在柱...
    2025-11-20
  • CCP气体输送喷嘴
    CCP气体输送喷嘴_应用材料公司_202480015802.1
    公开了用于源及气体输送喷嘴组件的部件的增材制造的实例结构、方法及系统。一个实例结构包括单体气体分配喷嘴组件，所述单体气体分配喷嘴组件包括由多个接合结构接合的上电极部分及下电极部分，及定位在所述上电极部分与所述下电极部分之间的一或更多个气体区...
    2025-11-20
  • X射线管以及制造用于X射线管的场发射阴极的方法
    X射线管以及制造用于X射线管的场发射阴极的方法_科尔德克斯雷公司_202380096730.3
    公开了一种X射线管和一种制造用于X射线管的场发射阴极的方法。X射线管包括：场发射阴极，其包括包含具有非平坦发射表面的发射区域的导电基板和沉积在基板的非平坦发射表面上的碳层5，碳层包括从基板的发射表面突出的多个石墨薄片，其中每个石墨薄片包括多...
    2025-11-20
  • 劣化判定装置
    劣化判定装置_株式会社自动网络技术研究所_202480020735.2
    提供一种能够更适当地判定熔断器是否处于劣化状态的劣化判定装置。劣化判定装置(1)在车辆用电源系统(100)中使用，所述车辆用电源系统(100)具备：电源部(10)；电力路(11)，被供给来自电源部(10)的电力；及熔断器(F)，设置于电力路...
    2025-11-20
  • 触摸开关
    触摸开关_美蓓亚三美株式会社_202480018351.7
    触摸开关(1)具备：面状的操作部(51)；第一传感部(66A)和第二传感部(66B)，能通过静电容的变化来检测人体向操作部(51)的接近；以及判断部(35)，判断操作部(51)被进行了操作。第二传感部(66B)在操作部(51)所延伸的方向上...
    2025-11-20
  • 用于断路器的机械增益触头断开机构
    用于断路器的机械增益触头断开机构_伊顿智能动力有限公司_202480024246.4
    一种用于断路器的致动器，该致动器利用杆来断开每个极组件的可分离触头。杆的第一端联接到汤姆森线圈装置的导电板，并且杆的第二端联接到可动电极杆。杆绕枢轴旋转，并且枢轴定位成更靠近杆的第一端而非第二端。杆的第一端与枢轴之间的距离L1短于枢轴与第二...
    2025-11-20
  • 混合式开关的驱控电路
    混合式开关的驱控电路_埃伦贝格尔及珀恩斯根有限公司_202480021845.0
    本发明涉及混合式开关(2)的驱控电路(22)，混合式开关包括具有断路元件(24)的主电流路径(10)和具有半导体开关(16)的与主电流路径(10)并联的副电流路径(12)。驱控电路(22)具有用于断路元件(24)的第一联接部(30)和用于半...
    2025-11-20
  • 开关装置
    开关装置_TDK电子股份有限公司_202480023482.4
    本发明涉及一种开关装置(100)，该开关装置在开关室(11)中具有至少两个固定接触部(2, 3)和一个可动接触部(4)并且在所述开关室中具有至少两个辅助接触部(25)、两个弹簧接触部(30)和一个接触板(31)，其中所述弹簧接触部之中的每个...
    2025-11-20
  • 电化学电容器
    电化学电容器_松下知识产权经营株式会社_202480018745.2
    本公开的电化学电容器具备：正极，其包含正极集电体和含有活性炭且担载于正极集电体的正极合剂层；负极，其包含负极集电体和含有可逆地掺杂锂离子的负极活性物质且担载于负极集电体的负极合剂层；以及电解液，其包含含有锂离子和阴离子的电解质和非水溶剂，阴...
    2025-11-20
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