Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种硅碳-石墨复合负极及其制备工艺和应用
    一种硅碳-石墨复合负极及其制备工艺和应用_浙江领硅科技有限公司_202511038311.1
    一种硅碳‑石墨复合负极及其制备方法和应用，所述硅碳‑石墨复合负极包括：化学气相沉积法制备的碳化硅、石墨、丁苯橡胶粘结剂、聚丙烯酸、炭黑和单壁碳纳米管；所述硅碳‑石墨复合负极经过预锂化处理，所述预锂化处理是通过与金属锂带接触的辊压工艺实现的；...
    2025-12-01
  • 正极材料、正极片、隔膜、负极材料、电解液、方形电池铝壳、二次电池及用电装置
    正极材料、正极片、隔膜、负极材料、电解液、方形电池铝壳、二次电池及用电装置_东风汽车集团股份有限公司_202511010756.9
    本申请公开了一种正极材料、正极片、隔膜、负极材料、电解液、方形电池铝壳、二次电池及用电装置，涉及电池技术领域，所述正极材料包括从内至外依次设置的：活性材料层，至少部分包覆于所述活性材料层表面的第一界面层、至少部分包覆于所述第一界面层表面的第...
    2025-12-01
  • 基于硬质陶瓷梯度造孔的锂离子电池正极及其制备方法
    基于硬质陶瓷梯度造孔的锂离子电池正极及其制备方法_天能新能源(湖州)有限公司_202511001468.7
    本发明公开了一种基于硬质陶瓷梯度造孔的锂离子电池正极及其制备方法，锂离子电池正极包括改性硬质陶瓷造孔剂，由硬质陶瓷颗粒经硅烷偶联剂表面改性制得，硬质陶瓷颗粒为氧化铝、碳化硅或二氧化硅。本发明通过表面改性，提高硬质陶瓷造孔剂的分散性，减少了孔...
    2025-12-01
  • 极片、极芯、电池、电池组件和用电设备
    极片、极芯、电池、电池组件和用电设备_比亚迪股份有限公司_202510925863.8
    本发明公开了一种极片、极芯、电池、电池组件和用电设备，所述极片包括：集流体，包括第一子集流体和第二子集流体，第一子集流体相对于第二子集流体靠近极片的卷绕起始端；敷料层，敷料层设于集流体的至少一个表面；极片包括第一端部和第二端部，沿极片的卷绕...
    2025-12-01
  • 极片、电芯、电池组件、用电设备及加工工艺
    极片、电芯、电池组件、用电设备及加工工艺_比亚迪股份有限公司_202510849714.8
    本申请实施例提供一种极片、电芯、电池组件、用电设备及加工工艺，涉及电池加工技术领域。该极片包括：集流体，集流体包括沿自身厚度方向相背的第一面和第二面，第一面上设置有第一敷料区，和/或，第二面上设置有第二敷料区；第一敷料区和/或第二敷料区包括...
    2025-12-01
  • 锂二次电池用负极及包括该负极的锂二次电池
    锂二次电池用负极及包括该负极的锂二次电池_SK新能源株式会社_202510568504.1
    根据示例性的实施方案的锂二次电池用负极包括：负极集流体；第一负极活性物质层，所述第一负极活性物质层形成在负极集流体的至少一面上，并且所述第一负极活性物质层包含第一负极活性物质和第一粘合剂；以及第二负极活性物质层，所述第二负极活性物质层形成在...
    2025-12-01
  • 一种用于水系锌电池的无序硅酸锌人工SEI层构建方法
    一种用于水系锌电池的无序硅酸锌人工SEI层构建方法_广东科技学院_202511111758.7
    本发明提供一种用于水系锌电池的无序硅酸锌人工SEI层构建方法，先通过调整偏硅酸钠九水合物溶液的pH值，使得溶液中的与硫酸锌七水合物溶液中的达到反应所需的酸碱度条件，进而确保生成硅酸锌，然后通过控制锌片在硅酸锌溶液内的反应时间生成无序硅酸锌人...
    2025-12-01
  • 电极膜片面密度的调节方法及装置
    电极膜片面密度的调节方法及装置_广汽埃安新能源汽车股份有限公司_202511035573.2
    本申请涉及电极膜片制备技术领域，提供一种电极膜片面密度的调节方法及装置。所述方法包括：获取压延机输出的电极膜片的当前面密度；确定所述电极膜片的当前面密度与目标面密度不匹配，根据所述目标面密度，调节所述压延机的各辊缝中目标辊缝的辊缝速比，以将...
    2025-12-01
  • 锂电池硅基合金电极制备方法
    锂电池硅基合金电极制备方法_苏州金科发能源技术有限公司_202510964148.5
    本发明提供锂电池硅基合金电极制备方法，对导电衬底进行表面改性预处理；制备含硅‑合金混合材料，对含硅‑合金混合材料进行湿法转换，得到含硅‑合金浆料；对导电衬底进行多次含硅‑合金浆料涂覆，形成复合浆料层；对复合浆料层进行表面修饰；对复合浆料层进...
    2025-12-01
  • 锂电池纳米多层结构负电极制备方法
    锂电池纳米多层结构负电极制备方法_苏州金科发能源技术有限公司_202510964147.0
    本发明提供锂电池纳米多层结构负电极制备方法，包括：对导电衬底进行表面活性预处理；制备硅‑锗混合靶材，对硅‑锗混合靶材进行脉冲激光沉淀处理，从而在导电衬底表面形成硅‑锗复合膜层；对硅‑锗复合膜层进行表面改性处理；将纳米石墨氧化物溶液涂覆在硅‑...
    2025-12-01
  • 一种固态电池的界面优化技术方法
    一种固态电池的界面优化技术方法_中科融能(盐城)科技有限公司_202510912110.3
    本发明公开了一种固态电池的界面优化技术方法，具体包括以下步骤：S1、材料选择：根据电极材料和电解质的类型，选择合适的缓冲保护层材料；本发明涉及固态电池技术领域。该固态电池的界面优化技术方法，缓冲保护层能够提供额外的离子传输通道，减少界面阻抗...
    2025-12-01
  • 显示器件、显示器件的制备方法和显示装置
    显示器件、显示器件的制备方法和显示装置_成都辰显光电有限公司_202410539321.2
    本申请公开了一种显示器件、显示器件的制备方法和显示装置。显示器件包括阵列基板、发光基板、多个隔垫结构和导电结构，阵列基板包括第一衬底和设置在第一衬底上的像素电路；发光基板包括第二衬底、连接件和发光单元，连接件和发光单元设置在第二衬底上，连接...
    2025-12-01
  • 高电压电容装置
    高电压电容装置_恩智浦有限公司_202510576373.1
    一个例子公开一种电容装置，包括：衬底；耦合到所述衬底的底板；耦合到所述底板的绝缘体；以及耦合到所述绝缘体的顶板；其中所述顶板包括平坦部分和弯曲部分。
    2025-12-01
  • 功率模块
    功率模块_株式会社东芝_202510027857.0
    本发明提供一种功率模块。实施方式的功率模块能够适当地检测电流路径的电流。本实施方式所涉及的功率模块提供具有功率器件、第1导电图案、分流电阻元件以及第2导电图案的功率模块。第1导电图案的一端与功率器件连接。第1导电图案从功率器件至少在第1方向...
    2025-12-01
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202410799587.0
    一种半导体封装包含基板、晶片、电容器、第一模压材及第二模压材。基板具有第一表面、第二表面及开口，其中第一表面与第二表面相对。晶片位于基板的第一表面上并位于基板的开口中。电容器在垂直方向上与晶片重叠并电性连接到晶片。第一模压材覆盖晶片及基板的...
    2025-12-01
  • 形成具有EMI屏蔽的C2W封装的半导体器件和方法
    形成具有EMI屏蔽的C2W封装的半导体器件和方法_星科金朋私人有限公司_202510453149.3
    一种半导体器件具有衬底和设置在衬底上方的电部件。在衬底上方形成导电柱。中介层可以设置在衬底上方，并且电部件设置在中介层上方，并且导电柱形成在中介层上方。密封剂沉积在衬底、电部件和导电柱上方和周围。屏蔽材料设置在衬底和密封剂上方，并通过导电柱...
    2025-12-01
  • 一种测试结构和测试方法
    一种测试结构和测试方法_湖北江城实验室_202511044102.8
    本公开实施例提供了一种测试结构和测试方法，测试结构包括第一梳状结构、蛇形结构和第二梳状结构，第一梳状结构和蛇形结构互不接触；测试结构用于进行金属层间介质层测试和电迁移测试，蛇形结构用于进行电迁移测试；第一梳状结构包括沿第一方向延伸、沿第二方...
    2025-12-01
  • 一种晶圆级跨台阶互连结构及封装方法
    一种晶圆级跨台阶互连结构及封装方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511001026.2
    本发明提供了一种晶圆级跨台阶互连结构及封装方法，所述晶圆级跨台阶互连结构包括基板、芯片、贴膜层和互连线。本发明提供的晶圆级跨台阶互连结构，通过设置基板，在基板上通过粘贴的方式将待堆叠的芯片粘贴到基板上，在基板与芯片上增设贴膜层，起到保护基板...
    2025-12-01
  • 一种高良率高集成2.5D封装结构及封装方法
    一种高良率高集成2.5D封装结构及封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202510988148.9
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种高良率高集成2.5D封装结构及封装方法。括若干间隔设置的中介层芯片，中介层芯片两侧表面分别设有导电结构一，中介层芯片一侧表面通过导电结构二连接硅桥芯片、HBM芯片、SoC芯片，并且硅桥芯片一侧分别连...
    2025-12-01
  • 具有面内部互连的晶体管封装
    具有面内部互连的晶体管封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202510553408.X
    公开了具有面内部互连的晶体管封装。一种半导体芯片封装包括半导体晶体管芯片，半导体晶体管芯片具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一侧包括第一负载电流芯片焊盘和第二负载电流芯片焊盘。互连基板包括第一金属层、第二金属层和被部署在第一金属层和第二金...
    2025-12-01
首页 上一页 7 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证