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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480024727.5
    根据实施方式，半导体装置包含：第一导电体，在封装的第一面露出；第一及第二晶体管，漏极连接于第一导电体；绝缘基板；第二导电体及第三导电体，从封装的第二面露出，设置在绝缘基板的第三面上；第一配线层，埋设在绝缘基板内，连接于第二导电体；第四导电体...
    2025-11-19
  • 具有低浓度相反类型掺杂漏极端栅极电极的半导体装置
    具有低浓度相反类型掺杂漏极端栅极电极的半导体装置_德州仪器公司_202380095703.4
    所公开的实例包含微电子装置(100)，例如集成电路，所述微电子装置包含延伸到半导体衬底(103)中的源极区(138)和漏极区(139)，所述半导体衬底(103)具有第二导电性类型，所述源极区(138)和漏极区(139)具有相反的第一导电性类...
    2025-11-19
  • 氮化物半导体装置
    氮化物半导体装置_罗姆股份有限公司_202480021163.X
    本发明的氮化物半导体装置具备：栅极层，其形成在电子供给层上；栅极电极，其形成在栅极层上；钝化层，其覆盖电子供给层、栅极层以及栅极电极，且具有在X方向上隔开间隔的第一开口以及第二开口；以及场板电极，其形成在钝化层上，并且电连接于源极电极。场板...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480025544.5
    实施方式的半导体装置具备晶体管区域和二极管区域。晶体管区域包含：n型的第一碳化硅区域，具有与第一面相接的第一部分；多个p型的第二碳化硅区域；n型的第三碳化硅区域；多个p型的第四碳化硅区域，将第二碳化硅区域之间连接；第一电极；第二电极；以及栅...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202480020679.2
    各FLR电极在四个角部中的至少一个角部具有其内侧缘以及外侧缘的俯视形状为圆弧的电极曲线部分，在至少一个角部，各电极曲线部分具有它们的曲率中心以及它们的曲率不同的内侧缘以及外侧缘，并且在相邻的两个电极曲线部分间，内侧缘以及外侧缘的曲率的大小关...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480017542.1
    提供能够降低漏电流的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极、第二导电型的第四半导体区域、第二电极以及第二导电型的第五半导体区域。第一半导体区...
    2025-11-19
  • 半导体装置的制造方法以及半导体测试装置
    半导体装置的制造方法以及半导体测试装置_罗姆股份有限公司_202480020760.0
    一种半导体装置的制造方法，其包括对器件构造进行反向偏置测试，所述半导体装置的制造方法包含以下工序：对所述器件构造施加反向偏置电压的工序；在施加所述反向偏置电压时，监测所述器件构造的漏电流的减少率的监测工序。
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202480020670.1
    半导体装置包括形成于芯片的内部的第一导电型的漂移区域、以及在外周区域中以包围有源区域的方式形成于第一主面的表层部的多个FLR，各FLR在四个角部具有俯视形状为曲线状的FLR曲线部分，各FLR在四个角部之间具有俯视形状为直线状的直线部，各FL...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202480020659.5
    本发明的半导体装置包括：芯片，其具有主面；第一导电型的高浓度区域，其在所述芯片的内侧部侧形成于所述主面的表层部；以及第一导电型的低浓度区域，其在所述芯片的周缘部侧形成于所述主面的表层部，且具有比所述高浓度区域的杂质浓度低的杂质浓度。
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202480020269.8
    半导体装置包括：芯片，其具有主面；栅极电极，其形成在所述主面上；层间膜，其覆盖所述栅极电极；开口，其在沿着所述主面的横向上与所述栅极电极分离地形成于所述层间膜，使所述芯片的一部分作为接触部而露出；以及表面电极，其形成在所述层间膜上，在所述开...
    2025-11-19
  • 有源钳位电路及半导体装置
    有源钳位电路及半导体装置_新电元工业株式会社_202380095153.6
    本发明的有源钳位电路包括：钳位电压控制用开关20，其第一主电极与主开关Q1的主电极电连接，其第二主电极与主开关Q1的控制电极电连接；以及钳位电压决定部30，其一个端子与钳位电压控制用开关20的第一主电极电连接，其另一个端子与钳位电压控制用开...
    2025-11-19
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480021505.8
    将具备RC‑IGBT的半导体装置构成为，具有第一导电型的半导体基板、与半导体基板的表面相接的第一电极、与半导体基板的背面相接的第二电极、形成于半导体基板的表面侧的多个沟槽、被沟槽内的绝缘膜覆盖的第三电极、在IGBT区域中与第二电极相接的第二...
    2025-11-19
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_富士电机株式会社_202480021270.2
    本发明提供一种具备晶体管部和二极管部的半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；以及多个沟槽部，其沿着预先确定的沟槽延伸方向延伸，所述晶体管部具有：第二导电型的基区；第一导电型的多个发射区，其沿着沟槽延伸方向离散地设置，掺...
    2025-11-19
  • 具有串行器/解串器的多通道存储器
    具有串行器/解串器的多通道存储器_美商艾德亚半导体接合科技有限公司_202480025054.5
    公开了一种接合结构。接合结构可以包括载体。接合结构可以包括设置在载体上的第一存储器单元，其具有第一存储器通道和彼此直接混合接合的第一多个存储器管芯。接合结构还可以包括第二存储器单元，其具有与第一存储器通道不同的第二存储器通道和彼此直接混合接...
    2025-11-19
  • 包含竖直平面存储器单元结构的微电子装置以及相关存储器装置及电子系统
    包含竖直平面存储器单元结构的微电子装置以及相关存储器装置及电子系统_美光科技公司_202480022340.6
    一种形成微电子装置的方法包含：在基底结构上方形成具有牺牲材料及绝缘材料的层面的初步堆叠结构；形成竖直延伸穿过所述初步堆叠结构、具有第一区及第二区的狭槽；在所述狭槽内形成存储器单元材料、掩模材料及修整材料；移除所述修整材料在所述狭槽的所述第一...
    2025-11-19
  • 包含接触结构的微电子装置及相关电子系统及方法
    包含接触结构的微电子装置及相关电子系统及方法_美光科技公司_202480019586.8
    一种微电子装置包括堆叠结构，其包括布置成层级的交替导电结构及绝缘结构。所述层级中的每一者个别地包括导电结构及绝缘结构。所述微电子装置包括：楼梯结构，其具有包括所述层级的横向端的阶梯；及触点，其在所述楼梯结构的不同标高处上覆于所述阶梯。所述触...
    2025-11-19
  • 具有降低浮体效应的4F2垂直存取晶体管
    具有降低浮体效应的4F2垂直存取晶体管_应用材料公司_202480021504.3
    本技术包括具有改进的孔分布的垂直单元动态随机存取内存(DRAM)阵列存取晶体管。所述阵列包括在第一水平方向上布置的多个位线及在第二水平方向上布置的多个字线。所述阵列包括在正交于所述第一方向及所述第二水平方向的垂直方向上延伸的多个通道，使得所...
    2025-11-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480000730.3
    本公开涉及用于制造半导体装置(例如，诸如DRAM的3D存储器装置)中的接触结构的方法、装置、系统和技术。示例性半导体装置包括连接在一起的第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括存储器单元的阵列以及沿第一方向延伸的第一接触结构。第一...
    2025-11-19
  • 具有无扩大修整的3D DRAM
    具有无扩大修整的3D DRAM_应用材料公司_202480025533.7
    本技术的实施例可包括半导体处理方法及系统。方法及系统可包括：将基板提供至半导体处理腔室的处理区域，其中基板包括一或多对交替的半导体材料层及牺牲材料层。方法包括：穿过一或多对交替的半导体材料层及牺牲材料层形成一或多个垂直延伸特征，从而形成一或...
    2025-11-19
  • 内存元件及形成该内存元件的方法
    内存元件及形成该内存元件的方法_应用材料公司_202480021407.4
    本文描述了内存元件及制造内存元件的方法。所述内存元件包括在表面上的位线金属叠层，所述表面包括导电位线触点(例如多晶硅)及绝缘介电岛状物(例如氮化硅(SiN))的矩阵。所述位线金属叠层包括钛(Ti)、钨(W)、氮化钨(WN)、硅化钨(WS)或...
    2025-11-19
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