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最新专利技术
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_长电微电子(江阴)有限公司_202511453649.3
    一种封装结构及其形成方法，结构包括：第一基板，第一基板包括芯片连接区域，第一基板包括核心层以及位于核心层顶部的第一介电层，芯片连接区域的第一介电层中设置有一层或多层第一导电层，芯片连接区域的第一介电层和核心层中贯穿有散热柱，且核心层的热膨胀...
    2025-12-07
  • 等离子体散热器及散热方法
    等离子体散热器及散热方法_上海大学_202511096664.7
    本发明提供了一种等离子体散热器及散热方法，包括：第一方向上间隔分布的若干个热沉鳍片，第一方向与热沉鳍片的延伸方向垂直；任意相邻的两个热沉鳍片之间设有1个振动电极薄膜，振动电极薄膜包括沿第一方向依次层叠的第一基底层、绝缘层、驱动层、压电层以及...
    2025-12-07
  • 一种半导体装置及其制造方法
    一种半导体装置及其制造方法_广东全芯半导体有限公司_202510977220.8
    本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，包括封装基板，所述封装基板的顶部等距固接有多个一号铜箔线路，本发明的有益效果是：本发明的半导体装置通过设计分隔导热板以及多层散热结构，显著提高了装置的散热性能，不仅确保了各个裸片在工作过程中产生的热量...
    2025-12-07
  • 一种稳定型高速集成电路散热装置
    一种稳定型高速集成电路散热装置_桂林创研科技有限公司_202510941681.X
    一种稳定型高速集成电路散热装置，包括散热架和螺纹孔，所述散热架的下端加工有螺纹孔，所述散热架通过螺栓与挡板固定连接，所述散热架的内壁加工有卡槽，所述散热架通过螺栓与盖板固定连接，所述散热架的外壁连接有调节机构。通过散热板和延长条采用高导热材...
    2025-12-07
  • 半导体结构、形成方法、电子器件及电子装置
    半导体结构、形成方法、电子器件及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410599113.1
    本申请公开了一种半导体结构、形成方法、电子器件及电子装置，该半导体结构包括：基底，第一金属层，形成在基底上，第一金属层包括第一金属部分和第二金属部分，第一金属部分和第二金属部分电性连接；高阻器件，形成在第二金属部分上；第二金属层，形成在高阻...
    2025-12-07
  • 一种半导体器件以及半导体器件的制造方法
    一种半导体器件以及半导体器件的制造方法_华南理工大学_202511476209.X
    本申请提供了一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，在半导体衬底上设有多层金属布线，金属布线用于连接形成于半导体衬底上的器件结构，不同层金属布线之间通过接触孔电连接，每层金属布线的间隙被介电层填充，多层金属布线包括顶层金属；复合钝化层包覆于...
    2025-12-07
  • 一种射频开关裸芯片及射频开关裸芯片制备方法
    一种射频开关裸芯片及射频开关裸芯片制备方法_烟台睿创微纳技术股份有限公司_202511160118.5
    本申请公开了一种射频开关裸芯片及射频开关裸芯片制备方法，属于射频开关领域。本申请通过复用同一衬底上的第一射频开关组模块和/或第二射频开关组模块，可以实现功能复用能力。同时，在功能层的第一区域和第二区域的中间区域增加划片槽，该划片槽是刻蚀掉功...
    2025-12-07
  • 封装基板及其制法
    封装基板及其制法_芯爱科技(南京)有限公司_202511105789.1
    一种封装基板及其制法，该封装基板包括核心板体，其具有贯通两表面的穿孔；形成于核心板体相对两表面及穿孔中的绝缘层，其具有对应各穿孔形成的通孔；形成于通孔中的空心状导电柱；形成于空心状导电柱中的塞孔材；形成于核心板体相对两表面的绝缘层上并电性连...
    2025-12-07
  • 一种硅基氮化镓晶圆的回收方法
    一种硅基氮化镓晶圆的回收方法_广东工业大学_202510856497.5
    本发明提供了一种硅基氮化镓晶圆的回收方法，涉及半导体制造技术领域，该回收方法针对包括硅衬底和设置在其上的氮化镓基外延层的硅基氮化镓晶圆，该回收方法包括以下步骤：使用红外激光束，通过预设的激光扫描路径策略，从氮化镓基外延层一侧入射至硅基氮化镓...
    2025-12-07
  • 一种硅基氮化镓晶圆外延层的转移方法
    一种硅基氮化镓晶圆外延层的转移方法_广东工业大学_202510856270.0
    本发明提供了一种硅基氮化镓晶圆外延层的转移方法，涉及半导体制造技术领域，该转移方法针对包括硅衬底和设置在其上的氮化镓基外延层的硅基氮化镓晶圆，该转移方法包括：通过临时粘接材料将氮化镓基外延层远离硅衬底的一面与临时衬底键合；使用红外激光束从临...
    2025-12-07
  • 用于形成半导体管芯的方法
    用于形成半导体管芯的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510602521.2
    用于形成半导体管芯的方法。公开了一种方法和半导体管芯。该方法包括基于晶片(100)形成半导体管芯(3)。该晶片(100)包括在绝缘层(130)的相对侧上形成的半导体层(110)和牺牲层(120)。该方法包括：形成分离结构(2)，该分离结构(...
    2025-12-07
  • 改善半导体器件中铜互连缺陷并提高电迁移性能的方法
    改善半导体器件中铜互连缺陷并提高电迁移性能的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511064461.X
    本发明公开了一种改善半导体器件中铜互连缺陷并提高电迁移性能的方法，属于半导体制造技术领域。该方法在一体化蚀刻工艺中，首先在蚀刻暴露铜层的介电层时，通过降低离子轰击能量并减少含氧气体引入来减轻对铜表面的初始损伤；接着，在后蚀刻处理中，增加一利...
    2025-12-07
  • 一种生成用于将半导体晶粒键合到其上的接收衬底的方法
    一种生成用于将半导体晶粒键合到其上的接收衬底的方法_IMEC非营利协会_202510610052.9
    本申请涉及一种生成接收衬底(1)的方法，该衬底被配置为通过在一个或多个第一着陆区(2a)中的混合键合在其上接收一个或多个晶粒(3)，和通过在一个或多个第二着陆区(2b)中的焊料键合在其上接收一个或多个晶粒(4)。在这两种类型的着陆区中，形成...
    2025-12-07
  • 一种生成用于将半导体晶粒键合到其上的接收衬底的方法
    一种生成用于将半导体晶粒键合到其上的接收衬底的方法_IMEC非营利协会_202510610046.3
    本申请涉及一种生成接收衬底(1)的方法，该衬底被配置为通过在一个或多个第一着陆区(2a)中的混合键合在其上接收一个或多个晶粒(3)，和/或通过在一个或多个第二着陆区(2b)中的焊料键合在其上接收一个或多个晶粒(4)。在这两种类型的着陆区中，...
    2025-12-07
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410598587.4
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一介质层和位于第一介质层中的金属塞；在所述第一介质层顶面依次形成第一隔离层、第二介质层、第二隔离层以及硬掩膜层；刻蚀去除所述金属塞对应区域的所述硬掩膜层、所述第二...
    2025-12-07
  • 半导体结构的形成方法、半导体结构及电子设备
    半导体结构的形成方法、半导体结构及电子设备_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410592542.6
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构及电子设备，该形成方法包括：提供待刻蚀层；在第一工艺区上形成第一图形化结构，在第二工艺区上形成第二图形化结构；在第一图形化结构的侧壁形成第一侧墙结构，以及在第二图形化结构...
    2025-12-07
  • 一种半导体结构的制造方法及半导体结构
    一种半导体结构的制造方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511454009.4
    本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，包括以下步骤：提供一衬底；形成衬底氧化层于衬底上，形成第一氮化层于衬底氧化层上；蚀刻部分第一氮化层和衬底氧化层，露出衬底表面，并形成第一沟槽；形成第二氮化层于第一沟槽的槽壁上和第一氮化层上；...
    2025-12-07
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511233994.6
    本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，首先提供一基底，在所述基底上形成多个开口尺寸不同的沟槽，在所述沟槽内形成绝缘层，且至少一所述沟槽内的所述绝缘层的顶面朝向所述基底的表面具有凹陷；然后，对所述绝缘层执行惰...
    2025-12-07
  • 半导体器件的制作方法及半导体器件结构
    半导体器件的制作方法及半导体器件结构_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202511105988.2
    本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件结构，通过在第一沟槽的侧壁和底壁上形成具有不均匀厚度的间隔层，利用间隔层的不均匀特性，使得第一沟槽的侧壁顶部的间隔层较厚，第一沟槽的底壁的间隔层较薄，在刻蚀间隔层以打开第一沟槽的底壁过程中，能...
    2025-12-07
  • 一种复合衬底及其制造方法
    一种复合衬底及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410578417.X
    本公开提供了一种复合衬底及其制造方法，本公开在支撑衬底上生长III族氮化物层；将III族氮化物层键合至表面具有介质层的目标衬底上；去除支撑衬底；在III族氮化物层远离目标衬底的一侧形成多个间隔排布的六角纳米孔。本公开通过倒置键合剥离支撑衬底...
    2025-12-07
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