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最新专利技术
  • 一种启动子随机文库的构建、高通量测序与转录强度分析方法
    一种启动子随机文库的构建、高通量测序与转录强度分析方法_中国科学院天津工业生物技术研究所_202410615719.X
    本发明公开了一种启动子随机文库的构建、高通量测序与转录强度分析方法。本发明建立了一种快速研究随机启动子文库中大量启动子相对转录强度的流程和实施方法，通过随机引物的方法快速构建启动子随机文库，通过对质粒DNA和转录的mRNA携带随机标签的深度...
    2026-02-06
  • 一种钽酸锂晶片黑化还原剂及其制备方法
    一种钽酸锂晶片黑化还原剂及其制备方法_江苏师范大学_202511143276.X
    本申请涉及晶体材料技术领域，具体公开了一种钽酸锂晶片黑化还原剂及其制备方法，该还原剂由多孔载体、过渡金属氧化物纳米催化剂、稀土氧化物助催化剂和KCl‑石墨烯‑[BMIM]BF4‑镓铟锡合金添加剂组成。其中，催化剂采用超声辅助溶胶‑凝胶法制备...
    2026-02-06
  • 一维铋基手性钙钛矿晶体及其制备方法和应用
    一维铋基手性钙钛矿晶体及其制备方法和应用_河南省科学院半导体研究所_202511102122.6
    本发明属于手性材料制备技术领域，具体涉及一维铋基手性钙钛矿晶体及其制备方法和应用。该手性钙钛矿晶体的通式为(R‑β‑MPA)2BiI5或(S‑β‑MPA)2BiI5，化学式为C18H28BiI5N2，R‑β‑MPA表示(R)‑(+)‑β‑甲...
    2026-02-06
  • 用于极低温磁制冷的金属单晶材料及其制备方法和应用
    用于极低温磁制冷的金属单晶材料及其制备方法和应用_中国科学院物理研究所_202410614039.6
    本发明提供一种用于极低温磁制冷的金属单晶材料，其中，所述金属单晶材料具有以下化学式：RNi4Mg，其中R为Yb或Nd。本发明还提供一种制备本发明的用于极低温磁制冷的金属单晶材料的方法，以及提供本发明的用于极低温磁制冷的金属单晶材料或者本发明...
    2026-02-06
  • 一种光学双折射晶体材料及其制备方法和应用
    一种光学双折射晶体材料及其制备方法和应用_四川大学_202511201928.0
    本发明公开了一种光学双折射晶体材料及其制备方法和应用，属于光学双折射晶体材料技术领域。该光学双折射晶体材料的化学式为CdSb2S3Cl2，属于单斜晶系，空间群为I2/m，晶胞参数为：a=11.5924Å，b=3.8836Å，c=17.782...
    2026-02-06
  • 一种大直径碲锌镉晶体生长装置及方法
    一种大直径碲锌镉晶体生长装置及方法_昆明物理研究所_202511108115.7
    本发明公开了一种大直径碲锌镉晶体生长装置及方法，装置包括：保温炉体、炉管、坩埚、异形生长管、生长管承载部件、加热单元组、控温热电偶组和多对监测热电偶对，坩埚设于异形生长管内，异形生长管通过生长管承载部件置于炉管内，加热单元组设于保温炉体内壁...
    2026-02-06
  • 一种添加晶种制备六方氮化硼的方法
    一种添加晶种制备六方氮化硼的方法_上海大学_202410606836.X
    本发明公开了一种添加晶种制备六方氮化硼的方法，涉及氮化硼材料领域，通过采用熔盐法并添加晶种，在较低温度1100～1600℃下制得纳米级和微米级两种尺度的六方氮化硼，对于生产不同尺寸的高质量h‑BN单晶来说具有重要意义，并且操作难度低、能耗低...
    2026-02-06
  • 碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片
    碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片_珠海格力电子元器件有限公司_202511427720.0
    本发明提供了一种碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片，生长方法包括在反应腔具有初始压力和初始温度情况下，将碳化硅衬底传送至反应腔内，并向反应腔室内输送氢气；对反应腔室进行升温、降压操作，以对碳化硅衬底进行原位蚀刻；对反应腔室进行升温、降压操...
    2026-02-06
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_北京智慧能源研究院_202511124982.X
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。上述半导体器件的第一外延层中设置有掺杂钒元素的第一掺杂层，能够通过控制深能级杂质的浓度有效调控半导体器件的局部少数载流子寿命，在此基础上通过将第一掺杂层与具有特定厚度关系的含有特定掺杂元素的第二掺杂层交...
    2026-02-06
  • 一种Na5Tb9F32磁光晶体及其制备方法和应用
    一种Na5Tb9F32磁光晶体及其制备方法和应用_安徽芯享半导光电科技有限公司_202510977307.5
    本申请公开了一种Na5Tb9F32磁光晶体及其制备方法和应用，所述Na5Tb9F32磁光晶体的化学式为Na5Tb9F32，该晶体为立方结构，空间群结构为Fm‑3m，不存在双折射；其热光系数的数量级达10‑6K‑1，维尔德常数为33~34Ra...
    2026-02-06
  • 一种掺杂硼化锆单晶及制备方法
    一种掺杂硼化锆单晶及制备方法_武汉科技大学_202511170000.0
    本发明属于硼化锆陶瓷技术领域，具体涉及一种掺杂硼化锆单晶及制备方法。所述掺杂硼化锆单晶的制备方法如下：将金属氧化物、硼源、熔盐介质和锆源混合后，压制成块体；在保护气氛下，将块体进行微波加热，使锆源和金属氧化物被硼源还原，生成硼化锆，且金属进...
    2026-02-06
  • 一种单晶硅掺杂剂及其制备方法和应用
    一种单晶硅掺杂剂及其制备方法和应用_青海高景太阳能科技有限公司_202511119460.0
    本发明提供了一种单晶硅掺杂剂及其制备方法和应用，涉及半导体技术领域。具体而言，包括MOFs‑5 6～10份、三叔丁基膦3～5份、石墨烯量子点1～5份、淀粉基粘结剂0.5～1份、离子液体4～5份、硼酸5～10份、磷酸二氢铵3～7份、聚乙二醇5...
    2026-02-06
  • 一种提高碳化硅衬底上氮化镓晶体质量的生长方法
    一种提高碳化硅衬底上氮化镓晶体质量的生长方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202510987802.4
    本发明提供一种提高碳化硅衬底上氮化镓晶体质量的生长方法。本发明方法涉及在碳化硅衬底上通过MOCVD技术生长氮化镓，采用一种特殊的缓冲层结构，并采用一种与结构相适应特殊的降温过程进行优化。缓冲层结构采用氮化铝‑铝镓氮‑氮化镓‑铝镓氮为重复结构...
    2026-02-06
  • 基于ANN优化LED外延片波长均一性的方法及系统
    基于ANN优化LED外延片波长均一性的方法及系统_江西兆驰半导体有限公司_202511128056.X
    本发明提供一种基于ANN优化LED外延片波长均一性的方法及系统，涉及半导体技术领域，方法包括：获取历史LED外延片的生长参数和波长分布数据，并按照不同机台以及不同载盘进行筛选标记；基于不同机台以及不同载盘标记的生长参数和波长数据，构建输入数...
    2026-02-06
  • 一种外延薄膜的Mist-CVD反应炉系统
    一种外延薄膜的Mist-CVD反应炉系统_江苏师范大学_202511144322.8
    本发明公开了一种外延薄膜的Mist‑CVD反应炉系统，属于薄膜生长技术领域。该系统整合了热壁式和细通道式结构的优势，包括四个核心模块：三入口圆筒状液滴筛选器模块、雾整流与预热模块、薄膜生长模块及水平管式炉。通过三个平行入口确保雾量充足与均匀...
    2026-02-06
  • 一种碳化硅外延设备及外延生长方法
    一种碳化硅外延设备及外延生长方法_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202510882748.7
    本申请公开一种碳化硅外延设备及外延生长方法。该外延设备包括第一成膜组件及第二成膜组件及传输腔，该传输腔将第一成膜组件及第二成膜组件连接，该传输腔内设置有机械手，通过该机械手衬底从第一成膜组件经传输腔传输至第二成膜组件或从第二成膜组件经传输腔...
    2026-02-06
  • 一种钾钨青铜纳米片及其制备方法
    一种钾钨青铜纳米片及其制备方法_湖南大学_202511508665.8
    本发明公开了一种钾钨青铜纳米片及其制备方法，将含钨源的混合粉置于瓷舟中，然后将氟晶云母衬底置于含钨源的混合粉的上方，且控制含钨源的混合粉与氟晶云母衬底之间的距离>4mm，然后再置于加热炉中，在保护气氛下进行化学气相沉积反应，于氟晶云母衬底表...
    2026-02-06
  • 基于Al基金属源蒸发法的生长AlN晶体的方法
    基于Al基金属源蒸发法的生长AlN晶体的方法_天津理工大学_202511193760.3
    本发明公开了一种基于Al基金属源蒸发法的生长AlN晶体的方法，将一个或多个盛有含铝金属源和籽晶的独立坩埚置于生长炉的炉腔中并密封炉腔；抽真空后向炉腔内注入高纯氩气，逐渐升温使含铝金属源熔化；继续升温至生长温度，抽真空后向炉腔内充入氮源气体并...
    2026-02-06
  • 一种在深硅槽中生长锗外延层的方法
    一种在深硅槽中生长锗外延层的方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511104294.7
    本发明提供了一种在深硅槽中生长锗外延层的方法，涉及半导体制造技术领域。本发明先对Si/SiO2基底进行光刻和刻蚀，以形成具有预设深度的深硅槽，之后将具有深硅槽的Si/SiO2基底浸泡在TMAH溶液中，以进行第一次清洗。然后将具有深硅槽的Si...
    2026-02-06
  • (010)取向β-Ga2O3单晶薄膜的制备方法
    (010)取向β-Ga2O3单晶薄膜的制备方法_甬江实验室_202510953562.6
    本发明涉及一种(010)取向β‑Ga2O3单晶薄膜的制备方法，所述方法采用M面蓝宝石衬底，对所述M面蓝宝石衬底进行氩离子刻蚀处理后，采用物理气相沉积工艺在氩离子刻蚀后的M面蓝宝石衬底表面生长(010)取向β‑Ga2O3单晶薄膜。通过氩离子刻...
    2026-02-06
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