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最新专利技术
  • 晶硅底电池的高钝化方法、晶硅底电池及其叠层太阳电池
    晶硅底电池的高钝化方法、晶硅底电池及其叠层太阳电池_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511129869.0
    本发明公开了一种晶硅底电池的高钝化方法、晶硅底电池及其叠层太阳电池。高钝化方法包括提供晶硅基底；采用LPCVD进行热氧化，在晶硅基底上制备隧穿氧化硅层；在隧穿氧化硅层之上，依次进行第一本征硅层沉积、富磷层或富硼层沉积、第二本征硅层沉积；高温...
    2025-11-23
  • 一种基于异质结材料紫外响应的光电探测器的制备方法
    一种基于异质结材料紫外响应的光电探测器的制备方法_大连民族大学_202511128953.0
    本发明适用于光电响应材料技术领域，提供了一种基于异质结材料紫外响应的光电探测器的制备方法，该方法通过引入稀土离子代替铅离子点位合成双钙钛矿材料Cs2NaCeBr6，通过引入核壳结构将N型半导体材料TiO2包覆于钙钛矿材料表面，通过TiO2的...
    2025-11-23
  • 一种无机钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及制备方法
    一种无机钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及制备方法_天合光能股份有限公司_202511122308.8
    本发明属于光伏领域，具体涉及到一种无机钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及制备方法。本发明制备无机钙钛矿薄膜的方法包括：(1)共蒸镀第一无机原料和第二无机原料，得到无机骨架层前体；对无机骨架层前体进行第一次退火，形成无机骨架层；(2)在无机骨架层...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池金属化方法及其应用
    一种太阳能电池金属化方法及其应用_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511120374.1
    本发明提供了一种太阳能电池金属化方法及其应用，涉及太阳能电池的技术领域，该太阳能电池金属化方法包括：(a)在第一温度下，对待金属化电池片背面的主栅区域进行一次烧结，形成主栅；(b)在第二温度下，对待金属化电池片背面的正极区域进行二次烧结，形...
    2025-11-23
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511120146.4
    本公开提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一侧形成第一功能层，所述第一功能层的材料包括半导体掺杂材料和本征材料；在所述半导体衬底的第二侧形成第二功能层，所述第一功能层的材料包括半导体...
    2025-11-23
  • 一种雪崩光电探测器的制备方法及雪崩光电探测器
    一种雪崩光电探测器的制备方法及雪崩光电探测器_上海新微技术研发中心有限公司_202511106980.8
    本发明提供了一种雪崩光电探测器的制备方法及雪崩光电探测器，属于半导体技术领域。该方法包括：包括：在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上沉积第一保护层，并通过离子注入形成P型阱；去除第一保护层，沉积第二外延层，并在第二外延层上沉积第二保护层；...
    2025-11-23
  • 光伏电池的制备方法及光伏电池
    光伏电池的制备方法及光伏电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202511080316.0
    本申请实施例涉及光伏电池领域，提供一种光伏电池的制备方法及光伏电池，其中制备方法包括：提供半成品件，半成品件包括基底，基底具有第一表面和第二表面，第二表面包括交替排布的第一区和第二区；第一掺杂层位于第一表面；隧穿氧化层和第二掺杂层设置在第二...
    2025-11-23
  • 碲镉汞p-on-n器件元素晶格占位和界面势垒调控装置和方法
    碲镉汞p-on-n器件元素晶格占位和界面势垒调控装置和方法_昆明物理研究所_202511065270.5
    本发明提出了碲镉汞p‑on‑n器件元素替代占位和界面势垒调控装置和方法，该装置由多温区恒温结构、多段加热单元、显示及控制单元、样品承载腔、整体支撑结构、样品承载腔放置台及其支撑杆等部分组成，通过各恒温区温度、温差、距离以及升温速率、降温速率...
    2025-11-23
  • 一种隧穿钝化的背接触晶硅电池及其制备方法
    一种隧穿钝化的背接触晶硅电池及其制备方法_青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司_202510996349.3
    本申请属于光伏技术领域，公开了一种隧穿钝化的背接触晶硅电池及其制备方法，制备方法包括对N型基底硅片进行制绒和抛光；依次沉积第一隧穿氧化层、第一非晶硅层和第一氧化层；进行第一次激光扫描，形成图形化的第一电极区，通过化学腐蚀去除被激光扫描的区域...
    2025-11-23
  • 一种PE-poly工艺方法及其应用、TOPCon太阳能电池
    一种PE-poly工艺方法及其应用、TOPCon太阳能电池_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202510995882.8
    本发明公开了一种PE‑poly工艺方法及其应用、TOPCon太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。本发明发现在TOPcon量产电池线中，碱抛处理由HF清洗结尾切换为HCl清洗结尾后，可以通过优化PE‑poly工艺膜层结构以及磷烷掺杂量，进而有...
    2025-11-23
  • TOPCON电池多光谱光注入系统、方法及TOPCON电池产线
    TOPCON电池多光谱光注入系统、方法及TOPCON电池产线_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202510991232.6
    本发明提供一种TOPCON电池多光谱光注入系统、方法及TOPCON电池产线，多光谱光注入系统，包括光注入腔体；顺次设于腔体内的紫外光源模块、可见光光源模块和红外光源模块，各光源模块分别用于产生紫外光、可见光以及红外光；传送机构，用于承载并传...
    2025-11-23
  • 一种硅光异质集成的加工制备方法
    一种硅光异质集成的加工制备方法_西湖大学光电研究院_202510971668.9
    本发明涉及一种硅光异质集成的加工制备方法，包括：加工制备整张绝缘体上硅晶圆，预处理用于微转印异质集成的三五族半导体晶圆，在绝缘体上硅晶圆表面需要异质集成三五族半导体的区域上全部转印上Die，在完成转印的三五族半导体Die上，加工制备三五族半...
    2025-11-23
  • 基于氮化硅层低温制备工艺的光电共连转接板及其加工方法
    基于氮化硅层低温制备工艺的光电共连转接板及其加工方法_上海交通大学_202510966835.0
    本发明提出一种基于低损耗氮化硅层低温制备工艺的光电共连转接板加工工艺方法，其目的在于克服现有低损耗氮化硅工艺的工艺温度与硅通孔工艺工艺不兼容的问题，通过降低低损耗氮化硅层制备技术的工艺温度，使上述两项工艺实现工艺温度兼容，从而实现光电共连共...
    2025-11-23
  • 一种适用于海上光伏组件的低水透封装方法
    一种适用于海上光伏组件的低水透封装方法_中建材浚鑫科技有限公司_202510966661.8
    本发明涉及光伏组件技术领域，公开了一种适用于海上光伏组件的低水透封装方法，包括以下步骤：S1、正面玻璃铺设；S2、将四周为POE胶膜，内侧为EVA胶膜的正面胶膜铺设在正面玻璃上；S3、将电池串铺设在正面胶膜上，并完成叠焊，形成电池串阵列；S...
    2025-11-23
  • 一种新型使用UV光提升晶硅太阳电池性能的方法
    一种新型使用UV光提升晶硅太阳电池性能的方法_无锡星阑新能源科技有限公司_202510965468.2
    本发明公开了一种新型使用UV光提升晶硅太阳电池性能的方法，涉及太阳电池技术领域。本发明包括以下步骤：S1、取成品电池，保留其电流电压数据；S2、将其放置在UV光源装置中，使用光源照射成品太阳电池片的正面，光源至成品电池片的距离是0.01‑5...
    2025-11-23
  • 一种曲面光伏组件及其层压方法
    一种曲面光伏组件及其层压方法_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202510901164.X
    本发明实施例提供了一种曲面光伏组件及其层压方法，包括将平板玻璃裁切至预定尺寸，加热使其软化呈粘塑性状态，置于预设曲率的成型模具中压制成型，随后快速冷却得到钢化曲面玻璃面板胚；将所述面板胚二次加热进行退火；对成型面板进行直线边弯曲度、折角模痕...
    2025-11-23
  • 硅片清洗制绒方法、设备、制绒硅片以及太阳电池
    硅片清洗制绒方法、设备、制绒硅片以及太阳电池_通威太阳能(成都)有限公司_202410560412.4
    本发明提供了一种硅片清洗制绒方法、设备以及太阳电池的制备方法。该硅片清洗制绒方法包括如下步骤：将硅片置于高碱清洗液中进行高碱清洗处理，将经过高碱清洗处理的硅片转移至低碱清洗液中进行低碱清洗处理，以及，将经过低碱清洗处理的硅片转移到制绒液中进...
    2025-11-23
  • 一种正面键合的异质集成芯片及制备方法
    一种正面键合的异质集成芯片及制备方法_西湖大学光电研究院_202510918917.8
    本申请提供一种正面键合的异质集成芯片及制备方法，异质集成芯片的氮化硅波导层设置在硅波导层上，并与硅波导层耦合；铌酸锂波导层设置在氮化硅波导层背离硅波导层的一侧，并与氮化硅波导层耦合；铌酸锂波导层包括相互连接的第一子波导层和第二子波导层，第二...
    2025-11-23
  • 一种大气型半导体探测器及其工艺制作流程
    一种大气型半导体探测器及其工艺制作流程_上海科技大学_202411880945.7
    本发明提供一种大气型半导体探测器及其工艺制作流程，涉及半导体探测器领域。本发明第一方面提供一种前端模块的工艺制作流程。本发明第二方面提供一种由本发明第一方面所述的工艺制作流程制备的前端模块。本发明第三方面提供一种大气型半导体探测器，包括如本...
    2025-11-23
  • 一种真空型半导体探测器及其工艺制作流程
    一种真空型半导体探测器及其工艺制作流程_上海科技大学_202411880941.9
    本发明提供一种真空型半导体探测器及其工艺制作流程，涉及半导体探测器领域。本发明所提供的真空型半导体探测器的帧刷新率≥1kHz，动态范围≥104ph./pixel/pulse@12keV，具备单光子灵敏且S/N≥5@12keV，像素尺寸≤20...
    2025-11-23
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