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最新专利技术
  • 采用预电离的光源
    采用预电离的光源_浜松光子学株式会社_202480029553.1
    本发明的EUV光源包括划定等离子体约束区的腔室。磁芯位于所述腔室周围，并且配置为在等离子体生成区中生成等离子体，使得所述等离子体会聚于所述等离子体约束区。电力输送部位于所述磁芯周围。电源包括充电电路、预电离电路以及具有耦合至所述磁芯输出的固...
    2025-12-21
  • 发光封装体
    发光封装体_浜松光子学株式会社_202380097508.5
    本发明的发光封装体具备：框体，其具有使第1光入射至等离子体区域的第1窗部、及使第2光自等离子体区域出射的第2窗部；及包围部，其划定包含等离子体区域的包围空间，具有与第1窗部对应的第1开口、及与第2窗部对应的第2开口。第1窗部相对于第1开口的...
    2025-12-21
  • 用于质量分析离子束的混合装置、系统和技术
    用于质量分析离子束的混合装置、系统和技术_应用材料股份有限公司_202480024147.6
    一种装置，包括电动质量分析(EDMA)总成。EDMA总成可包括：第一上部电极，设置于束轴线上方；以及第一下部电极，设置于束轴线下方且与第一上部电极相对，EDMA总成被布置成接收处于第一频率的第一RF电压信号。装置可包括设置于EDMA总成的下...
    2025-12-21
  • 用于利用时间分辨率执行电荷检测质谱法的方法
    用于利用时间分辨率执行电荷检测质谱法的方法_赛默飞世尔科技(不来梅)有限责任公司_202480028813.3
    一种用于电荷检测质谱法的过程包括：获取表示由俘获区域内的离子的振荡运动在检测器上感应的电流的时变信号；处理时变信号以导出振荡运动的频率；基于时变信号的振幅和振荡运动的所导出的频率来生成表示STORIreal值与时间的关系和STORIimag...
    2025-12-21
  • 用于在基板上沉积材料的方法和溅射沉积设备
    用于在基板上沉积材料的方法和溅射沉积设备_应用材料公司_202380097710.8
    提供了一种将材料沉积在基板上的方法。所述方法包括：在第一功率循环期间利用第一电源将第一溅射材料从第一旋转靶引向第二旋转靶，在所述第一功率循环期间利用第二电源将第二溅射材料从第三旋转靶引向所述第二旋转靶，将所述第一电源和所述第二电源从所述第一...
    2025-12-21
  • 用于等离子体处理供应系统和等离子处理系统的用于耦合RF信号的功率合成器
    用于等离子体处理供应系统和等离子处理系统的用于耦合RF信号的功率合成器_通快霍廷格两合公司_202480029252.9
    本发明涉及用于耦合RF信号的功率合成器(1)，该功率合成器特别地被设计成用于等离子体处理供应系统和等离子处理系统，该功率合成器(1)被设计成用于频率在2 MHz至200 MHz的范围内特别地在10 MHz至50 MHz的范围内的预定义的工作...
    2025-12-21
  • 使用多信道传感器数据的等离子体产生质量监控
    使用多信道传感器数据的等离子体产生质量监控_应用材料公司_202480027476.6
    方法包括通过处理装置获得工艺腔室的经校准的反馈控制装置的测量值。方法进一步包括通过处理装置基于经校准的反馈控制装置的测量值来确定工艺腔室的等离子体产生设备的第一性能指示。方法进一步包括自工艺腔室的第一传感器获得等离子体产生设备的第二性能指示...
    2025-12-21
  • 采用对称或不对称的力应用于离子源温度控制的系统以及方法
    采用对称或不对称的力应用于离子源温度控制的系统以及方法_应用材料股份有限公司_202480025336.5
    一种离子源，在离子源中，施加至提取孔口的两侧上的面板的压缩力可独立地改变。对面板与电弧腔室之间的压缩力进行修改可通过修改两个组件之间的接触热阻而能够对离子源进行温度控制。此可使得能够对面板的温度进行更多的控制，且更具体而言可因沿着面板长度对...
    2025-12-21
  • 通过对局部充电失真建模的精确和准确临界尺寸测量
    通过对局部充电失真建模的精确和准确临界尺寸测量_ASML荷兰有限公司_202480030241.2
    一种用于表征和预测晶片临界尺寸测量中的局部充电效应的系统和方法。所述系统和方法可以包括临界尺寸模型，所述临界尺寸模型包括被检查晶片上的每一类特征的充电系数。充电系数可以基于维度建模。所述模型还可以包括初始充电状态和描述作为时间或给定区域中的...
    2025-12-21
  • 用于在检查系统中优化样品扫描的系统和方法
    用于在检查系统中优化样品扫描的系统和方法_ASML荷兰有限公司_202480030136.9
    用于优化样品扫描的系统和方法。系统和方法可以包括提供用于扫描第一样品的多个带电粒子束；标识所述多个带电粒子束中的一个或多个失效带电粒子束；标识所述多个带电粒子束中的扫描所述第一样品的一个或多个有效带电粒子束；基于所述标识的一个或多个失效带电...
    2025-12-21
  • 校正栅格失真
    校正栅格失真_ASML荷兰有限公司_202480029396.4
    一种用于操作带电粒子光学装置的方法，该方法包括：利用带电粒子光学装置用带电粒子束扫描包括一系列位置的样品，以便生成扫描数据；从位置到位置改变带电粒子光学装置的至少一个带电粒子光学参数的设置，其中该至少一个带电粒子光学参数影响扫描数据的带电粒...
    2025-12-21
  • 二次辐射减轻装置
    二次辐射减轻装置_伊克斯拉姆公司_202480023178.X
    公开了一种X射线源，包括：电子源，该电子源被配置为提供电子束；孔径，该孔径被配置为限制电子束的角分布，其中，电子束引起从孔径周围的区域发射二次X射线辐射；二次辐射限制孔径，该二次辐射限制孔径被配置为限制二次X射线辐射的角分布，其中，二次辐射...
    2025-12-21
  • 带磁锁存的微机电系统(MEMS)致动器及其制造与使用方法
    带磁锁存的微机电系统(MEMS)致动器及其制造与使用方法_奥托米克机器公司_202480026788.5
    本申请提供了一种机电致动器，其包括：定子组件，具有沿中心纵向轴线部分限定地贯穿定子组件的腔室；以及柱塞组件，设置在腔室中，并且在操作中沿中心纵向轴线在不同位置之间运动。定子组件可包括一对其间具有开口的触点和三个一组的其间设置有线圈的铁磁层。...
    2025-12-21
  • 断路器
    断路器_日立能源有限公司_202380097743.2
    一种断路器，包括壳体。壳体包括主体、环形管(208)和破裂装置(210)。主体包括附接到主体的端部的端盖。环形管(208)在端盖的外侧从端盖延伸。环形管(208)包括干燥剂保持件(214)，干燥剂保持件(214)配置成容纳干燥剂，干燥剂配置...
    2025-12-21
  • 具有少量颗粒的PEDOT分散体
    具有少量颗粒的PEDOT分散体_贺利氏电子化学材料有限公司_202480028553.X
    本发明涉及一种分散体，该分散体包含i)分散剂；ii)分散在该分散剂i)中的至少一种聚噻吩；其中该分散体包含每毫升小于10, 000个颗粒，该颗粒的粒度为1.5µm或更大；并且其中由该分散体制备的导电层的电导率大于10S/cm，如通过本文所公...
    2025-12-21
  • 可变电容器、阻抗匹配装置和等离子体处理装置
    可变电容器、阻抗匹配装置和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480029111.7
    可变电容器具有保持部、第1电极和第2电极。保持部构成为能够保持离子液体。第1电极在保持部设置至少一个，构成为施加正负中的任一方的直流电压。第2电极在向第1电极施加直流电压时在保持部的离子液体中形成双电层的部分设置至少两个，构成为能够介由保持...
    2025-12-21
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202480029716.6
    提供一种即使在高耐压规格的层叠陶瓷电容器中，也能够不增大层叠陶瓷电容器的尺寸而提高静电电容的层叠陶瓷电容器。在层叠陶瓷电容器(1)中，多个内部电极层包含第1内部电极层(31)、第2内部电极层(32)、和中间电极层(33)，中间电极层(33)...
    2025-12-21
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202480004824.8
    提供层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(1)包括：层叠体(2)；第1外部电极(3A)，其设于层叠体(2)的第1端面(CA)，与内部电极(15)连接；以及第2外部电极(3B)，其设于层叠体(2)的第2端面(BB)，与内部电极连接。第1外部电极(3...
    2025-12-21
  • 具有导电碳电极的整体式金刚石电容器
    具有导电碳电极的整体式金刚石电容器_美敦力公司_202480023865.1
    提供了电容器及其制作方法。这些电容器可包括其中具有导电碳电极的整体式金刚石本体。这些导电碳电极可由该整体式金刚石本体的电介质金刚石层分开。这些电极可通过使用激光将该整体式金刚石本体的区域转化成导电碳来形成。
    2025-12-21
  • 电感线圈组件及其生产方法
    电感线圈组件及其生产方法_罗杰斯公司_202480029168.7
    一种生产电感线圈组件的方法包括：形成N(i)层，(i)为从1至M的整数，N(i)为第i层，并且N(M)为N(i)层的最大数目；每个N(i)层包括：键合至陶瓷的(i)实例的第一侧的具有厚度(x)T的第一导体的(i)实例；键合至陶瓷的(i)实例...
    2025-12-21
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