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最新专利技术
  • 一种改性锌金属负极及其制备方法
    一种改性锌金属负极及其制备方法_成都大学_202511202523.9
    本发明涉及锌电池技术领域，提出一种改性锌金属负极及其制备方法。改性锌金属负极的制备方法包括以下步骤：S1去除氧化物；S2放置锌箔；S3制备混合气：将惰性气体和水蒸气掺混制得混合气；S4改善亲水性：将所述混合气通入管式炉置换空气后进行第一次等...
    2026-01-29
  • 一种原位生长的锌负极异质结保护层的制备方法及其应用
    一种原位生长的锌负极异质结保护层的制备方法及其应用_河南省科学院半导体研究所_202511200058.5
    本发明公开了一种原位生长的锌负极异质结保护层的制备方法及其应用，通过溶液浸泡结合硒化处理在锌负极基材表面原位构建异质结保护层，通过将商用锌基材浸渍于特定浓度的可溶性铜盐反应溶液中，经清洗后进行硒化反应，从而在锌负极基材表面形成具有调控功能的...
    2026-01-29
  • 用于辊压电极板的设备和方法
    用于辊压电极板的设备和方法_三星SDI株式会社_202510455962.4
    公开了用于辊压电极板的设备和方法。该设备包括：包括第一辊压部分和第二辊压部分的主辊压部分；可上下移动的并且接触已通过第一辊压部分和第二辊压部分之间的电极板的一个表面的调节辊部分，该电极板包括：基板；在基板上的活性物质涂覆部分，该活性物质涂覆...
    2026-01-29
  • 一种固态电池正极材料层及其制备方法与固态电池
    一种固态电池正极材料层及其制备方法与固态电池_超威电源集团有限公司_202410697128.1
    本发明涉及一种固态电池正极材料层及其制备方法与固态电池，属于固态电池技术领域，用以解决现有的固态电池容易出现裂痕、接触不良、电阻大以及物理气相沉积法制备的固态电解质电池，电极厚度薄、容量低等问题中的至少一个。所述的方法包括在正极集流体层上制...
    2026-01-29
  • 电极板以及电极板制造方法
    电极板以及电极板制造方法_三星SDI株式会社_202510710681.9
    公开了电极板和电极板制造方法。电极板包括：基板；活性物质层，在所述基板上；疏水涂层，在所述活性物质层的至少一个边缘上，所述疏水涂层具有疏水官能团；以及绝缘部分，在所述活性物质层与所述基板之间的边界处，所述绝缘部分覆盖所述活性物质层的侧表面的...
    2026-01-29
  • 电极组件、电池单体、储能装置及用电设备
    电极组件、电池单体、储能装置及用电设备_厦门海辰储能科技股份有限公司_202410680664.0
    本申请提供一种电极组件、电池单体、储能装置及用电设备。电极组件的多个极片层叠设置，隔膜设于每相邻两个极片之间，每一极片的连接一个极耳。每一极片包括相对设置且均与第一方向平行的第一顶边和第一底边。极耳的第二底边与第一方向平行，第二顶边与第二底...
    2026-01-29
  • 电容结构以及其制作方法
    电容结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410776572.2
    本发明公开一种电容结构以及其制作方法，其中电容结构包括介电堆叠结构、下电极、上电极以及电容介电层。介电堆叠结构设置在基底上，介电堆叠包括停止层以及设置在停止层上的介电层，且下电极设置在介电堆叠结构中。上电极设置在基底之上，且下电极在水平方向...
    2026-01-29
  • 一种带磁器件的集成封装结构及其引线框架
    一种带磁器件的集成封装结构及其引线框架_广州辰微电子科技有限公司_202511590654.9
    本发明公开了一种带磁器件的集成封装结构，包括磁器件和引线框架，引线框架上设置有支撑板，支撑板连接引脚，用以装配磁器件和电子元件并实现电气连接，所述支撑板有两块，为对开分布结构，分别设于两侧，一侧支撑板呈两级阶梯形状，包括窄阶梯面和宽阶梯面，...
    2026-01-29
  • 一种晶圆键合结构及其形成方法
    一种晶圆键合结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410705601.6
    本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述晶圆键合结构包括：晶圆，所述晶圆包括相对的第一面和第二面，所述晶圆的第一面形成有第一键合介质层；若干对准开口，位于所述第一键合介质层中暴露所述第一面，所述对准开口的尺寸从所述对准开口的底部向所述对...
    2026-01-29
  • 一种金属电迁移测试系统及半导体结构
    一种金属电迁移测试系统及半导体结构_武汉楚兴技术有限公司_202410659591.7
    本申请提供一种金属电迁移测试系统及半导体结构，涉及半导体技术领域，旨在高精度的监测电迁移测试中产生的小丘与空洞。金属电迁移测试系统包括半导体结构、电源和至少一个电容检测组件。半导体结构包括待检金属层、第一焊盘组、第一引出结构组和至少一个感测...
    2026-01-29
  • 双面散热的功率模块
    双面散热的功率模块_海南亿塔科技有限公司_202511263506.6
    本发明公开了一种双面散热的功率模块，包括：由正反面形成有金属覆层的导热绝缘层形成的中间基板、第一侧基板和第二侧基板，中间基板的第一和第二金属覆层上都具有芯片贴装区域以及电路拓扑的电气连接图形。第一侧芯片贴装在第一金属覆层的芯片贴装区域并和电...
    2026-01-29
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202510655025.3
    本发明提供一种电子装置。所述电子装置包含电子组件、第一囊封体、第二囊封体和第一功率调节组件。所述囊封体具有主动表面和经配置以接收第一功率的背侧表面。所述第一囊封体至少部分地囊封所述电子组件。所述第二囊封体安置在所述第一囊封体下方。所述第一功...
    2026-01-29
  • 位元线接触结构、具有接触隔离间隔物的半导体元件及其制备方法
    位元线接触结构、具有接触隔离间隔物的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411849231.X
    本公开提供一种位元线接触结构、半导体元件及其制备方法。该位元线接触结构包括：一位元线接触，其在俯视透视图中具有一矩形剖面轮廓且包括彼此平行的两个第一侧边和彼此平行且与该两个第一侧边垂直的两个第二侧边；以及两个接触隔离间隔物，分别对应地覆盖该...
    2026-01-29
  • 具有气隙的半导体装置及其制造方法
    具有气隙的半导体装置及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202410907639.1
    本发明提供了一种具有气隙的半导体装置及其制造方法，包括形成于衬底上的多个栅极堆叠、位于栅极堆叠上方的第一绝缘层以及第二绝缘层。其中栅极堆叠沿着第一方向延伸且在第二方向上彼此相隔间距，其中相邻的两栅极堆叠之间具有气隙。第一绝缘层位于栅极堆叠和...
    2026-01-29
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410684201.1
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备，半导体器件包括：衬底；多条公共位线，沿垂直于衬底的方向间隔设置在衬底上；屏蔽部，屏蔽部和公共位线相绝缘，屏蔽部包括设置在相邻的公共位线之间的屏蔽层以及垂直设置在衬底上的接地电极，屏蔽层和接地电...
    2026-01-29
  • 半导体结构
    半导体结构_联发科技股份有限公司_202510718603.3
    提供了一种半导体结构。该半导体结构包括基板。该基板包括核、导电材料、高k介电材料和重分布层。该核具有第一孔、第二孔和穿过该核的第三孔。设置在该第一孔中的导电材料作为电容器的第一电极，设置在该第二孔中的导电材料作为该电容器的第二电极。该高k介...
    2026-01-29
  • 一种模组化封装结构
    一种模组化封装结构_芯爱科技(南京)有限公司_202511562996.X
    本发明提供的一种模组化封装结构，技术方案如下：一种模组化封装结构，包括：电子元件载运片，所述电子元件载运片的顶层配置为与芯片或电子元件耦合连接；支撑板，所述支撑板的底层配置为与印刷电路板耦合连接；其中，所述电子元件载运片与所述支撑板相互耦合...
    2026-01-29
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511206149.X
    半导体装置具备第一绝缘基板和与第一绝缘基板经由第一导体隔件接合的第一半导体元件。第一绝缘基板具有第一绝缘层和设于第一绝缘层的一侧的第一内侧导体层。第一内侧导体层的表面具有第一区域和包围第一区域并且表面粗糙度比第一区域大的第二区域。第一导体隔...
    2026-01-29
  • 集成电路封装、与其电连接的电路板及裸片封装方法
    集成电路封装、与其电连接的电路板及裸片封装方法_赛灵思公司_202511198569.8
    描述了用于使用多个不同节距策略性地布局集成电路(IC)封装(200、320、340)的导电元件(例如，焊球(210、302))(以及用于与IC封装电连接的电路板的相应的导电焊盘(401))的方法和装置。一个示例集成电路(IC)封装(320、...
    2026-01-29
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202510304321.9
    一种半导体封装，包括：封装衬底以及在竖直方向上堆叠在封装衬底上的多个半导体芯片，其中，多个半导体芯片中的每一个包括半导体衬底，该半导体衬底包括第一表面、在第一表面上的下半导体器件、与第一表面相对的第二表面、在第二表面上的上半导体器件、设置在...
    2026-01-29
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