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最新专利技术
  • 一种高强度低热容纳米绝热反射板及其制备方法
    一种高强度低热容纳米绝热反射板及其制备方法_宜昌市科力生实业有限公司研究院_202511757663.2
    本发明提供了一种高强度低热容纳米绝热反射板，包括从非工作面到工作面依次设置的基材层、过渡层和表面反射层，三者厚度依次递减；表面反射层包括A体系或B体系，A体系用于氧化性或弱还原性气氛，B体系用于强还原气氛。本发明还提出了一种高强度低热容纳米...
    2026-03-25
  • 一种高铝轻质浇注料及其制备方法
    一种高铝轻质浇注料及其制备方法_中冶武汉冶金建筑研究院有限公司_202511749922.7
    本发明提供了一种高铝轻质浇注料及其制备方法，高铝轻质浇注料包括：氧化铝空心球35‑40份、氧化铝纤维球6‑12份、珍珠岩3‑8份、石英粉2‑4份、轻质莫来石粉8‑12份、纯铝酸钙水泥16‑24份、α‑Al22O33微粉12‑20份、发泡剂0...
    2026-03-25
  • 一种回转窑用高强低导热保温层浇注料及其制备工艺
    一种回转窑用高强低导热保温层浇注料及其制备工艺_郑州荣盛窑炉耐火材料有限公司_202511642440.1
    本发明涉及一种回转窑用高强低导热保温层浇注料及其制备工艺，属于耐火材料技术领域。该回转窑用高强低导热保温浇注料，按质量份计算包括：改性莫来石空心球40‑50份、氧化铝空心球15‑25份、活性α‑Al22O33微粉7‑10份、硅微粉5‑10份...
    2026-03-25
  • 一种基于BaB4O7-BaB8O13共晶的特种陶瓷烧结助剂
    一种基于BaB4O7-BaB8O13共晶的特种陶瓷烧结助剂_浙江金州科技有限公司_202511486215.3
    本发明涉及陶瓷材料工程领域，公开了一种基于共晶的特种陶瓷烧结助剂，所述烧结助剂由组成的共晶混合物构成，共晶混合物的摩尔比由1 : 4.4的前驱体衍生而来。所述烧结助剂还包括不超过50重量百分比的或，用于调节烧结助剂的粘度和反应性。该基共晶的...
    2026-03-25
  • 具有低热导率的轴的高温用基座及其制造方法
    具有低热导率的轴的高温用基座及其制造方法_美科陶瓷科技有限公司_202511458561.0
    本申请涉及一种具有低热导率的轴的高温下使用的基座及其制造方法，其中在基座中，包括用于晶圆安装的板和联接到该板的轴，板和轴各自包括具有90wt%或更大的AlN相的烧结体，板的烧结体是在650℃下具有5*1088Ω·cm或更大的体积电阻的含镁A...
    2026-03-25
  • 一种高强度、高导热氮化铝陶瓷复合基板制备装置及方法
    一种高强度、高导热氮化铝陶瓷复合基板制备装置及方法_深圳市臻金新瓷电子材料科技有限公司_202511615696.3
    本发明属于陶瓷复合基板加工技术领域，且公开了一种高强度、高导热氮化铝陶瓷复合基板制备装置，包括制备组件，所述制备组件内腔的前后方均设置有驱动组件，所述驱动组件内侧设置有放料台，所述放料台外侧铰接有夹持结构，所述制备组件两侧分别设置有位于放料...
    2026-03-25
  • 一种高强度TiB2陶瓷相的制备方法和应用
    一种高强度TiB2陶瓷相的制备方法和应用_东北大学_202511942064.8
    本发明提供一种高强度TiB22陶瓷相的制备方法和应用，属于材料科学技术领域。依赖钢基体自身含有的Ti、B元素，在凝固冷却过程中，Ti、B原子因溶解度下降从铁基体中析出，通过原子扩散聚集并按六方晶体结构生长为TiB₂，这种“自发生成”方式使T...
    2026-03-25
  • 一种电工钢用炉底辊及其制备方法
    一种电工钢用炉底辊及其制备方法_武汉波德瑞新材料有限公司_202511586144.4
    本发明涉及电工钢退火炉用炉底辊的技术领域，尤其涉及一种电工钢用炉底辊及其制备方法，其中电工钢用炉底辊的原料包括SiC粉、纤维素溶液和聚乙烯吡咯烷酮。本发明的炉底辊的密度可达到3.01‑3.09g/cm33，显气孔率低于0.1%，可有效降低炉...
    2026-03-25
  • 一种高纯碳化硅晶舟的制备方法
    一种高纯碳化硅晶舟的制备方法_山东华美新材料科技股份有限公司_202511489325.5
    本发明提供了一种高纯碳化硅晶舟的制备方法，属于碳化硅晶舟技术领域；所述制备方法包括锆溶胶包覆碳化硅、制备碳化硅复合物、等静压成型、烧结步骤；所述包覆步骤为，将碳化硅粉加入至去离子水中，加入柠檬酸，升高温度至40‑42℃，保温搅拌1.5‑2....
    2026-03-25
  • 一种低成本碳化硼粉体及陶瓷的制备方法
    一种低成本碳化硼粉体及陶瓷的制备方法_山东金鸿新材料股份有限公司_202512034674.4
    本发明提供了一种低成本碳化硼粉体及陶瓷的制备方法，属于碳化硼粉体及陶瓷技术领域；所述碳化硼粉体的制备方法为，向硼源溶液中加入碳源，加入聚乙烯醇，搅拌30‑35min后，加入碳酸钠和二氧化硅进行超声分散，经喷雾造粒，得到初级粉体，经煅烧后粉碎...
    2026-03-25
  • 一种硫化锌烧结体的制备工艺
    一种硫化锌烧结体的制备工艺_青州市恒安塑胶有限公司_202511675265.6
    本发明属于无机材料技术领域，公开了一种硫化锌烧结体的制备工艺，包括按质量占比取90%的硫化锌粉末、0.1%的环氧树脂及9.9%的去离子水，在转速300‑400r/min、温度40‑50℃下混合80‑100分钟；将混合材料在20‑25兆帕压力...
    2026-03-25
  • 石墨材料及其制备方法、电池
    石墨材料及其制备方法、电池_万华化学集团电池科技有限公司_202511684746.3
    本申请涉及石墨材料及其制备方法、电池。上述石墨材料的制备方法包括如下步骤：将石墨原料与第一粘结剂混合造粒、预碳化，制备预碳化粒料，预碳化粒料的Dv50v50记为Da；将预碳化粒料与第二粘结剂混合，经挤压成型，制备成型料，成型料的Dv50v5...
    2026-03-25
  • 一种耐高温钇-钆氢化物中子慢化吸收体及其制造方法
    一种耐高温钇-钆氢化物中子慢化吸收体及其制造方法_上海核工程研究设计院股份有限公司_202511660514.4
    一种耐高温钇‑钆氢化物中子慢化吸收体及其制造方法，属于核电领域。一种耐高温钇‑钆氢化物中子慢化吸收体的制造方法包括以下步骤：对钇粉和钆粉进行预氢化处理并混合均匀得到混合粉体，对混合粉体进行冷压成型，随后进行氢化烧结得到耐高温钇‑钆氢化物中子...
    2026-03-25
  • 一种高温雷达隐身硅酸盐改性材料及其制备方法
    一种高温雷达隐身硅酸盐改性材料及其制备方法_昆明理工大学_202511486393.6
    本发明公开了一种高温雷达隐身硅酸盐改性材料及其制备方法，属于高温电磁防护技术领域。所述材料为RE10‑x10‑xSrxxSi66O27‑x/227‑x/2，其中RE为镧系元素中的一种或任意多元素按等比例的组合，且x≤0.5。其制备方法为：按...
    2026-03-25
  • 高热膨胀无玻璃相低温共烧陶瓷封装材料及其制备方法
    高热膨胀无玻璃相低温共烧陶瓷封装材料及其制备方法_南方科技大学_202511721748.5
    本发明涉及电子陶瓷封装材料技术领域，提出了高热膨胀无玻璃相低温共烧陶瓷封装材料及其制备方法，陶瓷封装材料的组成化学式为(MgaaA1‑a1‑a)22(SibbB1‑b1‑b)(OxxFyy)，其中a，b，x，y为摩尔比例，0.1≤a≤0.9...
    2026-03-25
  • 一种具有介电性能的铌基近红外荧光陶瓷
    一种具有介电性能的铌基近红外荧光陶瓷_内蒙古北方稀土新材料技术创新有限公司_202511621247.X
    一种具有介电性能的铌基近红外荧光陶瓷，属于荧光材料领域，可用化学式Sr66Zr1‑2x1‑2xCrxxNb4+4+xxO1818表示该陶瓷的化学成分，其中，0＜x≤0.1。在青色光的激发下，该具有介电性能的铌基近红外荧光陶瓷发射光谱的主峰位...
    2026-03-25
  • 一种高纯度复合氧化物掺杂剂及其制备方法
    一种高纯度复合氧化物掺杂剂及其制备方法_齐鲁中科电工先进电磁驱动技术研究院_202511603237.3
    本发明公开一种高纯度复合氧化物掺杂剂及其制备方法。所述高纯度复合氧化物掺杂剂的制备方法包括预烧结处理和煅烧处理，其中所述预烧结处理的温度比所述煅烧处理的温度低300~600℃。本发明的高纯度复合氧化物的制备方法的通用性强，解决共性难题：本发...
    2026-03-25
  • 一种无铅压电陶瓷材料及其制备方法、压电器件
    一种无铅压电陶瓷材料及其制备方法、压电器件_深圳顺络电子股份有限公司_202511572965.2
    本发明提供一种无铅压电陶瓷材料及其制备方法、压电器件。所述无铅压电陶瓷材料用化学通式表示为：(1‑x‑y)(K1‑a1‑aNaaa)(Nb1‑b1‑bMbb)O33‑xAWO44‑yBMoO44；其中，(K1‑a1‑aNaaa)(Nb1‑b...
    2026-03-25
  • 一种三元系压电陶瓷材料及其制备方法
    一种三元系压电陶瓷材料及其制备方法_湖南省程启新材料科技有限公司_202411947799.5
    本发明涉及压电陶瓷材料领域，具体为一种三元系压电陶瓷材料及其制备方法，其化学结构通式如下所示：αPb(Mg1/31/3Nb2/32/3)O33‑(1‑α)Pb(ZrxxTi1‑x1‑x)O33‑ywt.％BiScO33‑zwt.％Li22M...
    2026-03-25
  • 基于熵驱动的宽温域红外辐射锆酸盐陶瓷及其制备方法
    基于熵驱动的宽温域红外辐射锆酸盐陶瓷及其制备方法_中国科学院兰州化学物理研究所_202511579968.9
    本发明涉及一种基于熵驱动的宽温域红外辐射锆酸盐陶瓷，该锆酸盐陶瓷在25~1600℃的宽温域范围，0.78~16μm波段的平均红外发射率＞0.90，其化学式为A22(Zr1‑x1‑x Bxx)22O77，其中A位由五种或五种以上的主元金属元素...
    2026-03-25
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