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最新专利技术
  • 一种气流分布装置
    一种气流分布装置_江苏先导微电子科技有限公司_202511977899.7
    本申请涉及沉积镀膜设备技术领域，具体公开了一种气流分布装置，包括：主盖板、多孔布气板与盖板；主盖板的顶面设置有上安装槽，底面设置有下安装槽；盖板覆盖于上安装槽；多孔布气板设置于下安装槽；多孔布气板上设置有多个第一流道和多个第二流道；第一流道...
    2026-04-13
  • 半导体工艺设备及其进气组件、分气件
    半导体工艺设备及其进气组件、分气件_北京北方华创微电子装备有限公司_202511812125.9
    本申请公开一种半导体工艺设备及其进气组件、分气件，属于半导体技术领域。半导体工艺设备包括腔室本体、基座以及支撑轴，基座设置于腔室本体内，支撑轴贯穿腔室本体并与基座相连，用于半导体工艺设备的分气件为环状结构，分气件用于套设于支撑轴的外部，且分...
    2026-04-13
  • 一种喷淋板对中装置、方法及存储介质
    一种喷淋板对中装置、方法及存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511727543.8
    本发明提供了一种喷淋板对中装置、方法及存储介质。所述喷淋板的对中装置包括：吹气环，其上侧同轴地固定连接所述喷淋板，而下侧可拆卸地连接上盖板；所述上盖板，其下侧固定连接工艺腔室；测距组件，设于所述上盖板的中心，用于测量所述上盖板的轴心与所述吹...
    2026-04-13
  • 一种MOCVD设备的气体输送系统
    一种MOCVD设备的气体输送系统_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511673847.0
    本发明公开了一种MOCVD设备的气体输送系统，包括设置在反应腔室内的多层喷淋组件，连接至机台管路上的源气瓶、载气瓶、吹扫气瓶、MO源瓶，以及并联设置在机台管路上的排放管路和工艺管路，排放管路连接至尾气处理装置，工艺管路的末端分为多路并联支路...
    2026-04-13
  • 一种喷淋头、半导体器件的加工方法及设备
    一种喷淋头、半导体器件的加工方法及设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511599211.6
    本发明提供了一种喷淋头、一种半导体器件的加工方法及加工设备。该喷淋头包括顶盖、喷淋板和接地罩。该喷淋板安装于反应腔室之上，并位于顶盖之下。该接地罩设于喷淋板与顶盖之间，并与顶盖保持一间距，其中，接地罩包括固定部和移动部，固定部固定连接喷淋板...
    2026-04-13
  • 一种加热均匀的介质薄膜沉积设备
    一种加热均匀的介质薄膜沉积设备_苏州零度感知科技有限公司_202511594294.X
    本发明涉及薄膜沉积技术领域，公开了一种加热均匀的介质薄膜沉积设备，包括主体箱，所述主体箱内部安装有的转动组件，所述主体箱内部还安装有封闭加工组件。本发明通过加工管道与密封座的直接配合，可快速隔绝主体箱内部加工区域与外界环境，有效避免外界空气...
    2026-04-13
  • 一种半导体工艺设备
    一种半导体工艺设备_拉普拉斯(广州)半导体科技有限公司_202511561736.0
    本发明公开了一种半导体工艺设备，涉及半导体加工技术领域。该半导体工艺设备包括反应腔体和分流组件，反应腔体具有进气腔和反应腔，反应腔体的第一端设有与反应气体源连接的进气管，进气管与进气腔连通；沿竖直方向，反应腔分为上子腔室和下子腔室，反应腔被...
    2026-04-13
  • 一种用于TOPCon太阳能电池的氟化铝增强氧化铝钝化层的原子层沉积方法及结构
    一种用于TOPCon太阳能电池的氟化铝增强氧化铝钝化层的原子层沉积方法及结构_江苏润阳世纪光伏科技有限公司_202511539711.0
    本发明公开了一种用于TOPCon太阳能电池的氟化铝增强氧化铝钝化层的原子层沉积方法及结构。该方法包括在晶体硅片正面形成硼掺杂层后，采用原子层沉积工艺在硼掺杂层上形成钝化层，具体为以三甲基铝为铝源、H22O为氧源进行Al22O33沉积循环，并...
    2026-04-13
  • 一种铜排表面抗氧化处理工艺
    一种铜排表面抗氧化处理工艺_青岛宜博科技股份有限公司_202511537974.8
    本发明公开了一种铜排表面抗氧化处理工艺，属于金属材料表面防护与耐腐蚀性能评估技术领域，包括对铜排进行去膜活化与微粗化处理；将铜排置于含次磷酸盐或磷酸盐的水溶液中，在60至90℃处理1至5分钟，以在铜表层形成P富集界面层，所述界面层的P原子分...
    2026-04-13
  • 石英棒沉积装置及石英棒沉积方法
    石英棒沉积装置及石英棒沉积方法_内蒙古亨芯石英有限公司_202512017899.9
    本发明涉及石英棒制备技术领域，具体提供了石英棒沉积装置及石英棒沉积方法，装置包括沉积反应炉、支撑件和隔热件；沉积反应炉设置有第一开口、反应腔和第二开口；沿竖直方向，第一开口、反应腔和第二开口依次设置；第一开口和第二开口连通反应腔，第一开口设...
    2026-04-13
  • 薄膜沉积方法
    薄膜沉积方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511664756.0
    本申请涉及一种薄膜沉积方法，包括：将承载晶圆的晶舟置于反应腔中；在第一温度下，在晶圆的表面上沉积第一子层；第一子层还沉积在晶舟的表面，第一子层的位于晶圆的表面的部分与位于晶舟的表面的部分相连接；第一子层的材料与晶舟的材料之间的热膨胀系数差异...
    2026-04-13
  • 一种多站式工艺腔及半导体器件的加工设备
    一种多站式工艺腔及半导体器件的加工设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511629636.7
    本发明提供了一种多站式工艺腔及半导体器件的加工设备。多站式工艺腔包括：多个处理站，绕所述多站式工艺腔的轴向呈环形布置；多个抽气口，分别设于各所述处理站之间，以分别连通其相邻的两个所述处理站；以及真空机构，连通各所述抽气口，以经由各所述抽气口...
    2026-04-13
  • 一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺
    一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511586213.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及基于硅烷‑氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺，包括：低温成核期：温度：530℃，压力：150 Pa，SiH44/N22=1 : 8~10，抑制硅烷快速分解，形成均匀成核层；中温过渡期：温度：550...
    2026-04-13
  • 一种副产物分离收集装置、半导体工艺设备
    一种副产物分离收集装置、半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411026680.4
    本申请提供了一种副产物分离收集装置、半导体工艺设备，副产物分离收集装置用于分离和收集反应腔室的排气中的副产物，包括：壳体，具有引入排气的进气口和导出排气的出气口；固体收集件，设置在壳体中，并至少用于从排气中分离副产物并收集分离出的固态副产物...
    2026-04-13
  • 一种PZT靶材及其制备工艺
    一种PZT靶材及其制备工艺_辰瓴半导体(嘉兴)有限公司_202511409644.0
    本申请涉及一种PZT靶材及其制备工艺，涉及PZT靶材技术领域；该PZT靶材制备工艺包括如下步骤：准备SOI硅片：选择硅晶圆或绝缘体上硅晶圆为衬底；硅片掺杂：对硅片的表面进行掺杂硅；沉积绝缘层：在硅片掺杂有硅的表面上，生长热氧化层或化学气相沉...
    2026-04-13
  • 一种多层超滑碳膜及其制备方法和应用
    一种多层超滑碳膜及其制备方法和应用_清华大学_202511861309.4
    本申请涉及一种多层超滑碳膜及其制备方法和应用。所述多层超滑碳膜包括依次形成在基体表面的过渡层、工作层以及最外层；其中，所述过渡层为金属和非金属掺杂的碳膜；所述工作层为软质层和硬质层交替的多层含氢非晶碳膜；所述最外层为含氢非晶碳膜。本申请采用...
    2026-04-13
  • 一种切削刀具涂层及其制备方法与应用
    一种切削刀具涂层及其制备方法与应用_株洲华锐精密工具股份有限公司_202511682315.3
    本申请提供了一种切削刀具涂层及其制备方法与应用，包括耐磨涂层；所述耐磨涂层包括Ti1‑x1‑xAlxxCyyBzzN1‑y‑z1‑y‑z层；其中，0.60≤x≤0.95, 0≤y≤0.10, 0＜z≤0.10, 0＜y+z≤0.15；所述T...
    2026-04-13
  • 一种切削刀具耐磨涂层及其制备方法与应用
    一种切削刀具耐磨涂层及其制备方法与应用_株洲华锐精密工具股份有限公司_202511682300.7
    本申请提供了一种切削刀具耐磨涂层及其制备方法与应用，包括耐磨涂层；所述耐磨涂层包括Ti1‑x1‑xAlxxCyyBzzN1‑y‑z1‑y‑z层；其中，0.60≤x≤0.95, 0≤y≤0.15, 0＜z≤0.10；所述Ti1‑x1‑xAlx...
    2026-04-13
  • 一种可调控增强MoS2薄膜磁性的方法
    一种可调控增强MoS2薄膜磁性的方法_苏州科技大学_202511603780.3
    本发明属于二维材料领域，具体涉及过渡金属硫化物二硫化钼(MoS22)的磁性调控技术，以过渡金属锰(Mn)为例，系统研究Mn掺杂对MoS22薄膜磁性能的影响，可调控增强MoS22薄膜磁性能。首次通过实验建立Mn掺杂浓度xx与Mo1‑x1‑x1...
    2026-04-13
  • 一种用于聚变装置第一壁表面硼化处理系统
    一种用于聚变装置第一壁表面硼化处理系统_合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)_202511656432.2
    本发明公开一种用于聚变装置第一壁表面硼化处理系统。其包括特种气体安全柜、气体传输管道、气体分流箱、安全联锁系统、真空抽气机组和尾气处理器；特种气体安全柜通过气体传输管道与气体分流箱相连；气体分流箱与EAST聚变装置真空腔室通过气体传输管道相...
    2026-04-13
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