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最新专利技术
  • 烘烤装置及气相沉积设备
    烘烤装置及气相沉积设备_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202512029627.0
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种烘烤装置及气相沉积设备。烘烤装置包括支架单元和烘烤单元；所述烘烤单元设置于所述支架单元，且所述支架单元可带动所述烘烤单元运动以调节所述烘烤单元的位置；所述烘烤单元包括顶部烘烤灯和姿态调整组件，所述姿态调整...
    2026-05-01
  • 一种基于分布式天线阵列结构的MPCVD圆柱形反应器
    一种基于分布式天线阵列结构的MPCVD圆柱形反应器_宁波晶钻科技股份有限公司_202610006100.8
    本申请公开了一种基于分布式天线阵列结构的MPCVD圆柱形反应器，涉及微波等离子体化学气相沉积领域，所述反应器包括：功分器以及分布式天线阵列多端口腔体；功分器设置于分布式天线阵列多端口腔体上端，并通过腔体端口外导体连接；功分器，用于将输入的微...
    2026-05-01
  • 光伏CVD加热板
    光伏CVD加热板_上海宏端精密机械有限公司_202511625582.7
    本发明涉及一种光伏CVD加热板，包括加热底板和盖板，盖板盖设在加热底板的顶部，加热底板和盖板之间形成加热空间，还包括：加热组件；散热通道，散热通道位于加热空间内，散热通道包括上散热槽和下散热槽，下散热槽的内壁上开设有与加热底板外部连通的通口...
    2026-05-01
  • 加热灯组件和半导体工艺腔室
    加热灯组件和半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202411147194.8
    本发明公开一种加热灯组件和半导体工艺腔室，所公开的加热灯组件应用于半导体工艺腔室，所述半导体工艺腔室包括腔室本体和基座，所述基座设于所述腔室本体内，所述加热灯组件包括沿第一方向排列的多个条形加热灯和与所述多个条形加热灯一一对应设置的多个透镜...
    2026-05-01
  • 一种多工位化学气相沉积渗金属装置及使用方法
    一种多工位化学气相沉积渗金属装置及使用方法_中国航发动力股份有限公司_202511766185.1
    本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，公开了一种多工位化学气相沉积渗金属装置，通过工装主体适配化学气相沉积设备高温反应器，多层托盘与扇形区的划分搭配多个装夹工位，既实现了装夹工位的最大化布局，满足大批量工程化生产需求，又能适配不同型号涡轮叶片...
    2026-05-01
  • 一种分体式晶圆托盘和半导体设备
    一种分体式晶圆托盘和半导体设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411126068.4
    本发明提供一种分体式晶圆托盘和半导体设备，分体式晶圆托盘的外边缘底部设置有用于支撑其的支撑桶，分体式晶圆托盘包括内托盘、外环和盖环。内托盘上设有用于承载晶圆的承载面；外环沿内托盘的周向设置，外环上设有第一支撑面以支撑内托盘；盖环环绕内托盘上...
    2026-05-01
  • 喷淋机构及薄膜沉积设备
    喷淋机构及薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202512059928.8
    本申请实施例提供一种喷淋机构及薄膜沉积设备，涉及半导体技术领域。喷淋机构包括喷淋组件，喷淋组件具有多个交错且间隔排布的第一喷淋区和第二喷淋区，第一喷淋区用于向基材喷淋化学源，第二喷淋区用于向基材喷淋隔离气体；喷淋组件上设有排气通道，排气通道...
    2026-05-01
  • 一种分气块结构、进气组件和半导体工艺设备
    一种分气块结构、进气组件和半导体工艺设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511833105.X
    本发明公开了一种分气块结构、进气组件和半导体工艺设备。分气块结构包括：第一流道；侧进气口，设于所述第一流道的侧壁，且其进气角度与所述第一流道的外侧壁相切；第二流道，经由中心导流柱与所述第一流道的内侧壁连通，且位于所述第一流道的下层；以及多个...
    2026-05-01
  • 一种基于CVD的碳化硅涂层的制备方法
    一种基于CVD的碳化硅涂层的制备方法_浙江泛特芯新材料有限公司_202511818809.X
    本发明提供一种基于CVD的碳化硅涂层的制备方法，属于碳化硅涂层技术领域。本申请通过脉冲水蒸气羟基化及双(二乙氨基)硅烷的反应，对基体进行重塑，构筑一层均匀、高活性的有机硅锚定界面层，并在其上采用低温循环化学气相沉积生长一层非晶碳化硅隔离层，...
    2026-05-01
  • 一种工艺腔室、PEALD设备及工艺方法
    一种工艺腔室、PEALD设备及工艺方法_湖北江城实验室_202511816845.2
    本申请提供一种工艺腔室、PEALD设备及工艺方法。工艺腔室包括壳体、门阀和转移单元。壳体形成有沉积腔。门阀活动设置于壳体。门阀具有关闭状态和打开状态。在关闭状态，门阀将沉积腔分隔为前驱体喷淋腔和镀膜腔。在打开状态，前驱体喷淋腔和镀膜腔合围成...
    2026-05-01
  • 用于硅片原子层表面镀膜沉积的上下料装置及其工作方法
    用于硅片原子层表面镀膜沉积的上下料装置及其工作方法_无锡松煜科技有限公司_202511457880.X
    本申请涉及一种用于硅片原子层表面镀膜沉积的上下料装置及其工作方法，属于光伏电池制造的技术领域。它通过第一搬运机构、第二搬运机构以及抓舟机构配合，实现硅片承载舟在空间内的精确定位与搬运，其中水平方向采用同步带传动机构分别解决长行程与结构强度问...
    2026-05-01
  • DC偏置双交叉进料歧管及使用该歧管的反应器
    DC偏置双交叉进料歧管及使用该歧管的反应器_ASMIP私人控股有限公司_202511166624.5
    公开了在处理衬底的反应器中使用的歧管结构和配备有该歧管结构的反应器。歧管结构包括歧管筒，其竖直设置并且包括电入口；直流(DC)偏置电源，其配置成向歧管筒供应负偏置DC并且还配置成连接到电入口；顶部注入单元，其设置在歧管筒的顶侧并且包括反应物...
    2026-05-01
  • 混气装置及半导体工艺设备
    混气装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411171264.3
    本申请公开一种混气装置及半导体工艺设备，属于半导体制造技术领域。混气装置包括混气部件、第一匀气板和第二匀气板，混气部件设有混气空间，第一匀气板和第二匀气板沿混气部件的高度方向间隔设置于混气空间内，第一匀气板位于第二匀气板的上方，第一匀气板与...
    2026-05-01
  • 一种晶圆颗粒清除装置和方法
    一种晶圆颗粒清除装置和方法_盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司_202411143571.0
    本申请属于半导体生产技术领域，涉及一种晶圆颗粒清除装置和方法。装置包括压力控制模块，用于控制传送腔室内的压力高于工艺腔室内的压力；升降机构，用于沉积工艺后打开闸门之前，驱动晶圆台升高到高于闸门的第一高度，利用压力差清理颗粒副产物，并在闸门完...
    2026-05-01
  • 电极装置、半导体工艺设备及电压调控方法
    电极装置、半导体工艺设备及电压调控方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411139556.9
    本申请提供一种电极装置、半导体工艺设备及电压调控方法，电极装置包括电极件和电压调控装置，其中，电极件与半导体工艺设备的射频装置相连，射频装置用于向电极件馈入射频；电压调控装置包括测量单元和直流电源，测量单元用于测量电极件的直流偏置电压；直流...
    2026-05-01
  • 用于输送固态前驱体蒸气的源瓶及其装填方法
    用于输送固态前驱体蒸气的源瓶及其装填方法_大连恒坤新材料有限公司_202511895757.6
    本发明提供了一种用于输送固态前驱体蒸气的源瓶及其装填方法，所述源瓶包括：主体容器、若干储料盘以及位于所述主体容器上方的密封盖；所述密封盖上设有载气入口和蒸气出口，所述载气入口设置在所述密封盖的中心处；所述若干储料盘层层叠放在所述主体容器中，...
    2026-05-01
  • 钽-碳化钽复合涂层的石墨器件及其流量波动制备法
    钽-碳化钽复合涂层的石墨器件及其流量波动制备法_铠欣半导体(苏州)有限公司_202511840891.6
    本发明属于化学气相沉积(CVD)技术领域，具体涉及一种钽‑碳化钽复合涂层的石墨器件及其流量波动制备法。该方法首先在石墨基体表面通过周期性流量波动CVD技术沉积钽金属缓冲层，然后在缓冲层上同样采用流量波动技术控制并沉积碳化钽涂层。本发明通过钽...
    2026-05-01
  • 一种多类型表面粗糙度的碳化硅涂层石墨盘及其制备方法
    一种多类型表面粗糙度的碳化硅涂层石墨盘及其制备方法_铠欣半导体(苏州)有限公司_202511840872.3
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多类型表面粗糙度的碳化硅涂层石墨盘及其制备方法。所述制备方法的核心在于：基于预定的表面粗糙度变化规律进行反向设计，即首先确定石墨盘各区域的目标粗糙度，然后根据该规律：初始粗糙度低于一预设阈值的区域沉积后...
    2026-05-01
  • 一种复合涂层结构及其制备方法与切削工具
    一种复合涂层结构及其制备方法与切削工具_厦门金鹭特种合金有限公司_202511746731.5
    本发明涉及一种复合涂层结构及其制备方法与切削工具，所述复合涂层结构包括层叠设置的(AlzTiw)CxNyOn层与a‑Al2O3层，其中0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤n≤1，z+w=1且0≤w≤z≤1；所述(AlzTiw)CxNyOn层的晶...
    2026-05-01
  • 一种四氯化碳为氯源制备金属铼涂层的方法及其设备
    一种四氯化碳为氯源制备金属铼涂层的方法及其设备_北京北方华创真空技术有限公司_202511713227.5
    本申请涉及一种四氯化碳为氯源制备金属铼涂层的方法，包括以下步骤：S1：在5‑50kPa，700‑900℃的条件下，向原料铼粉中通入四氯化碳和氩气的混合气体，反应，得到五氯化铼；S2：将步骤S1得到的五氯化铼在5‑50kPa，1000‑130...
    2026-05-01
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