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最新专利技术
  • 感测器封装结构
    感测器封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202411126144.1
    本发明公开一种感测器封装结构，其包含：一基板、设置于所述基板的一感测芯片、连接所述基板与所述感测芯片的多条第一金属线与多条第二金属线、形成于所述感测芯片的一环形支撑层、及一透光片。所述基板与所述感测芯片通过多条所述第一金属线而彼此电性耦接，...
    2026-03-19
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610132362.9
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列设置的第一区域和第二区域；在所述衬底上依次生长垫氧化层和垫氮化层；在所述第一区域内形成第一浅沟槽，在所述第二区域内形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽...
    2026-03-19
  • 半导体组件及其形成方法
    半导体组件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511611001.4
    本发明提供一种半导体组件包括影像传感器组件，其包括电容结构，该电容结构包含作为电介质材料的非晶成分，该非晶成分包括金属氧化物混合物。非晶成分取代其他方法中使用的晶体金属氧化物电介质层堆栈。与晶体金属氧化物电介质层堆栈相比，非晶成分减少或防止...
    2026-03-19
  • 用于制造探测模块的方法和用于这种方法的辐射源模块
    用于制造探测模块的方法和用于这种方法的辐射源模块_西门子医疗股份公司_202511136230.5
    本发明涉及用于制造探测模块的方法和用于这种方法的辐射源模块。该方法包括：a)首先提供由探测元件和散射束格栅构成的堆叠组件，其中在探测元件的面对散射束格栅的表面上至少部分存在辐射固化粘合剂，其与散射束格栅和探测元件接触，b)其次提供辐射源模块...
    2026-03-19
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510928888.3
    一种图像传感器包括：传感器衬底，包括多个第一像素和多个第二像素，其中所述多个第一像素被配置为感测第一波长的光，所述多个第二像素被配置为感测不同于第一波长的第二波长的光；第一滤色器和第二滤色器，布置在传感器衬底上方，并分别对应于所述多个第一像...
    2026-03-19
  • 光电封装结构及其制备方法、摄像模组
    光电封装结构及其制备方法、摄像模组_三赢科技(深圳)有限公司_202411159141.8
    一种光电封装结构、其制备方法及摄像模组。光电封装结构包括基板模块、感光芯片及塑封模块。基板模块包括玻璃基板和第一导电结构。玻璃基板包括相对的第一表面和第二表面。第一导电结构包括显露于第二表面的第一导电垫。感光芯片和塑封模块设于第二表面。塑封...
    2026-03-19
  • 光电封装结构及其制备方法、摄像模组
    光电封装结构及其制备方法、摄像模组_三赢科技(深圳)有限公司_202411159138.6
    一种光电封装结构、其制备方法及摄像模组。光电封装结构包括基板模块、感光芯片及盖板模块。基板模块包括塑封体和第一导电结构。塑封体包括第一表面和第二表面。第一导电结构包括第一导电通道、第二导电通道、第一导电垫、第二导电垫及第三导电垫。第一导电通...
    2026-03-19
  • 光电封装结构及摄像模组
    光电封装结构及摄像模组_三赢科技(深圳)有限公司_202411159134.8
    一种光电封装结构及摄像模组。光电封装结构包括基板模块、感光芯片以及塑封模块。基板模块包括介质层和设于介质层内的第一多层线路结构。介质层第一表面和第二表面。第一多层线路结构包括第一线路层和第二线路层。第一线路层包括相连接的第一导电垫和第一导电...
    2026-03-19
  • 光电封装结构、制备方法以及摄像模组
    光电封装结构、制备方法以及摄像模组_三赢科技(深圳)有限公司_202411159128.2
    一种光电封装结构、其制备方法及摄像模组。光电封装结构包括塑封模块、感光芯片和基板模块。塑封模块的塑封体包括第一表面和第二表面。感光芯片设于塑封体内且具有连接垫。基板模块设于第二表面上且包括介电层和第一多层线路结构。介电层包括朝向第二表面的第...
    2026-03-19
  • 基于AlScN调控的AlGaN/GaN异质结自驱动日盲探测器及制备方法
    基于AlScN调控的AlGaN/GaN异质结自驱动日盲探测器及制备方法_西安电子科技大学_202511754646.3
    本发明公开了一种基于AlScN调控的AlGaN/GaN异质结自驱动日盲探测器及制备方法，日盲探测器包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、AlScN吸收层以及电极；其中，AlGaN势垒层的材料表示为Al1‑yGay...
    2026-03-19
  • 一种基于选区刻蚀的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法
    一种基于选区刻蚀的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法_北京工业大学_202511611666.5
    本发明公开了一种基于选区刻蚀的氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。自下而上包括：衬底；第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为高掺杂n‑Ga2O3层；第二外延层，位于所述第一外延层上，所述第二外延层为轻掺杂n‑...
    2026-03-19
  • 一种光电二极管及其制备方法、光电探测器接收电路
    一种光电二极管及其制备方法、光电探测器接收电路_上海灿瑞科技股份有限公司_202511611058.4
    本发明涉及一种光电二极管，包括依次形成的衬底、外延层、氧化层、抗反射涂层、遮光层和钝化层，所述衬底中具有埋层，所述外延层中具有隔离环、光敏部和接触环，所述隔离环和所述接触环形成在所述光敏部的外侧，且所述隔离环贯穿所述外延层，与所述衬底接触。...
    2026-03-19
  • 红外线光学元件
    红外线光学元件_旭化成微电子株式会社_202510963246.7
    本发明提供一种红外线光学元件，能够提高光学性能。红外线光学元件具备：基板(10)；单位元件，具备包含第一区域(211)和第二区域(212)的第一导电型半导体层(21)、活性层(22)及第二导电型半导体层(23)，第二区域、活性层及第二导电型...
    2026-03-19
  • 一种柔性砷化镓太阳电池组件及其制备方法
    一种柔性砷化镓太阳电池组件及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511600759.8
    本发明公开了一种柔性砷化镓太阳电池组件及其制备方法，该太阳电池组件包括若干个柔性砷化镓太阳电池单体、互连片、并联汇流条、盖片胶层以及透明聚酰亚胺膜；每个柔性砷化镓太阳电池单体的金属正极与金属负极均位于柔性砷化镓太阳电池单体的正面，若干个柔性...
    2026-03-19
  • 光伏组件
    光伏组件_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202510218907.3
    本发明公开了一种光伏组件，该光伏组件包括：第一电池和第二电池，第一电池和第二电池在第一方向上间隔排布；多个电连接件，多个电连接件分别连接第一电池和第二电池，多个电连接件在第一方向上延伸且在第二方向上间隔设置，第一方向和第二方向垂直；其中，电...
    2026-03-19
  • 一种模块化的柔性太阳毯和卷绕式太阳翼
    一种模块化的柔性太阳毯和卷绕式太阳翼_北京昇帆科技有限公司_202511783388.1
    本发明提供一种模块化的柔性太阳毯，由多个模块组成，每个模块包括电池组件和长条形基板，所述长条形基板包括电路层和夹持所述电路层的第一覆盖层和第二覆盖层，所述电路层分为若干组平行排列的电缆线，每组电缆线包括1根正电缆线和1根负电缆线，在所述正电...
    2026-03-19
  • 太阳能电池及其制造方法、光伏组件、用电装置以及发电装置
    太阳能电池及其制造方法、光伏组件、用电装置以及发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411169981.2
    本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件、用电装置以及发电装置；其中，太阳能电池包括：多个沿第一方向间隔排布的子电池，子电池包括基板、第一电极层、功能层以及第二电极层；其中，相邻的两个子电池包括第一子电池和第二子电池，第二子电池的第...
    2026-03-19
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202411168123.6
    本发明公开了一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法，制备方法包括以下步骤：提供一硅衬底，硅衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面包括第一区域和第二区域；在第一区域上形成凹槽；在第二表面上形成依次层叠的隧穿层、渐变掺杂结构以及氧化层；去...
    2026-03-19
  • 一种基于MXene透明电极的晶硅太阳电池结构
    一种基于MXene透明电极的晶硅太阳电池结构_南开大学_202511760307.6
    本发明公开了一种基于MXene透明电极的晶硅太阳电池结构，属于光伏技术领域。该结构以晶硅衬底为基础，在其至少一个表面依次设置有钝化层、载流子传输层和MXene透明导电层，所述MXene层表面制备有金属栅线电极。该结构可适配于硅异质结太阳能电...
    2026-03-19
  • 静电放电保护装置及静电放电保护电路
    静电放电保护装置及静电放电保护电路_世界先进积体电路股份有限公司_202411142113.5
    本发明实施例提供静电放电保护装置及静电放电保护电路。静电放电保护装置包括设置于P型半导体衬底中的深N型阱区、第一至第五阱区、第一至第五P型掺杂区、第一及第二N型掺杂区。第一至第五阱区设置于深N型阱区上。第一至第五P型掺杂区分别设置于第一至第...
    2026-03-19
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