Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 用于双柄铰接工具的适配器包括一握持式构件,其固定于工具的手柄上,并设有用于将其固定于所述工具的固定装置;且在与所述握持式构件相对的一侧设有用于第二手柄的手柄接收座,所述第二手柄能够实现铰接运动,从而使两手柄之间的分离角度可根据使用者需求增大...
  • 提供一种形成混合波导半导体装置的方法。所述方法包括形成封装式射频(RF)装置并将波导结构附连在所述封装式RF装置上。所述波导结构包括不导电衬底和形成于所述衬底中的充气波导。所述封装式RF装置的辐射元件包括连接到半导体管芯的管芯垫的引脚结构和...
  • 本申请实施例公开了一种芯片垂直供电架构及电子设备。该垂直供电架构包括芯片、电容子模组、电感子模组和电压转换子模组,电容子模组、电感子模组和电压转换子模组电互连形成电压调节模组,芯片包括供电管脚;电容子模组与芯片相邻设置,且电容子模组的输出引...
  • 本发明公开了一种三维芯粒堆叠式系统芯片及其制造方法,包括主芯粒和子芯粒和垂直互连转接体,垂直互连转接体包括第一底部金属微凸块和设置在第一底部金属微凸块部分表面上的第一顶部金属微凸块,所述第一子芯粒I/O焊盘与所述主芯粒I/O焊盘通过第一底部...
  • 本发明公开了一种三维芯粒堆叠式系统芯片及其制造方法,包括主芯粒和子芯粒和互连转接体,互连转接体,包括转接片体,其通过键合体键合于所述主芯粒表面,且与子芯粒在同一平面;转接片体靠近子芯粒一侧的边缘设置有第一互连转接体,第一互连转接体与子芯粒连...
  • 本发明公开了基于Open MD和TMV工艺的超薄HBPOP封装结构和封装方法,本发明涉及IC制造半导体芯片封装技术领域,包括:基板;SOC芯片,所述SOC芯片水平倒装在基板上表面的中央区域;LPDDR芯片,所述LPDDR芯片水平贴装在所述S...
  • 本申请提供了一种芯片堆叠结构、其制作方法、芯片封装结构及电子设备。芯片堆叠结构包括:第一芯片、至少一个第二芯片和支撑结构。各第二芯片位于第一芯片与支撑结构之间。第一芯片与各第二芯片电连接,且支撑结构与各第二芯片连接。支撑结构中设置有集成无源...
  • 本发明公开了一种芯片加工用贴装装置,涉及芯片贴装技术领域。该芯片加工用贴装装置,包括操作台,操作台的前侧固定连接有卸料设备,操作台的内部通过转轴一转动连接有转盘一,转盘一的前侧开设有出料口;转轴一的外侧固定连接有转盘二,转盘二的侧面固定连接...
  • 本公开涉及一种半导体封装结构和电子设备,该半导体封装结构包括发热部件、液态金属导热层、散热部件以及密封部件,其中,发热部件包括基板和设置在基板上的芯片;液态金属导热层设置在芯片上;散热部件通过液态金属导热层与芯片导热连接;密封部件设置在散热...
  • 本申请涉及一种基于理想二极管控制的反接保护电路封装结构,属于保护电路封装技术领域,包括:电路基板和外壳,所述电路基板封装在外壳内,所述外壳上设置有外壳焊盘,所述电路基板上分别设置有理想二极管控制芯片U1、MOSFET器件Q1、TVS二极管D...
  • 本发明涉及一种低电感大功率模块,低电感大功率模块包括外壳,外壳为上端开口的中空结构,外壳内设置第二DBC板和第一DBC板,外壳上还设置DC+端子、DC‑端子、AC端子;在现有封装外壳尺寸不变的情况下,DBC板尺寸也保持不变动,通过将换流路径...
  • 本发明提供了一种长条形塑封料通孔结构,通过改变通孔的几何形状,在垂直方向提供电气连接的同时,通过交错排列的塑封料通孔,为封装结构提供了定向的应力管理能力,在平面方向为封装体提供显著的机械支撑,极大地增强了封装结构的刚性,抑制因热膨胀系数不匹...
  • 本发明提供了一种扇出型封装结构及封装方法、半导体器件,解决了现有技术中扇出型封装结构性能有待提升的问题。本发明实施例提供的扇出型封装结构在最远离芯片的重布线层背离芯片的一侧设置保护层,保护层覆盖最远离芯片的介质层以及全部介质层的侧边,同时,...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,公开一种芯片封装结构及芯片封装方法。芯片封装结构包括:基板和芯片,芯片固晶于基板上;反射胶层,反射胶层设置在基板上且围绕在芯片周围,反射胶层厚度均匀且高度不超过芯片的上表面;封装胶层,封装胶层覆盖在反射胶层以及芯...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种HEMT封装结构,包括塑封体,塑封体包括第一面、第二面和周侧部;半导体器件的有源区包括若干元胞单元,元胞单元包括衬底,设置在衬底的正面的III‑V族外延层,以及设置在III‑V族外延层上的第一电极、第二...
  • 本发明公开一种功率芯片封装结构,其包含一功率芯片、相连于所述功率芯片的一第一传输件与两个第二传输件、一封装体、及一类钻碳层。所述封装体包埋所述功率芯片、所述第一传输件、及两个所述第二传输件于其内。所述封装体包含一布局面,其共平面于所述第一传...
  • 本发明公开了一种高压功率器件的封装方法及其封装结构,该封装结构包括陶瓷外壳、盖板、键合丝、SiC来料晶圆制得的SiC芯片,陶瓷外壳为氮化铝陶瓷外壳且具有芯腔和金属引脚,盖板为氮化铝陶瓷盖板且具有散热金属针,SiC芯片的厚度减薄且背面金属化,...
  • 本发明提供了一种2.5D封装结构的制备方法,其通过优化工艺流程,将传统的两次支撑基板键合及解键合工艺简化为无需基板键合,从而节省工艺时间和成本,提高封装效率。直接在来料TSV晶圆上做u‑bump进行贴片、塑封,然后对塑封料进行开槽、预切来释...
  • 本发明公开了一种高压TVS和二极管堆叠封装结构及封装工艺,该结构包括以下步骤:芯片一朝向基板贴装,包封并暴露芯片一,形成包封层一;在包封层一表面钻孔至基板,电镀底层立柱填充并在包封层一表面上继续电镀出焊盘;将芯片二和芯片三朝向焊盘贴装,芯片...
  • 提供半导体封装件、制造半导体封装件的方法和光致抗蚀剂膜。所述方法包括:在封装基底上堆叠多个半导体芯片;用光致抗蚀剂膜覆盖封装基底,以围绕所述多个半导体芯片的侧表面和顶表面;将光致抗蚀剂膜曝光和显影,以在所述多个半导体芯片中的对应半导体芯片的...
技术分类