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最新专利技术
  • 一种走线密封型配电箱
    一种走线密封型配电箱_源洲电气有限公司_202511822061.0
    本发明涉及配电箱领域，公开了一种走线密封型配电箱，包括箱体、导线槽座、理线组件、定线组件、抽拉屉体和交叉密封件，理线组件供内部线缆穿过，理线组件能够沿水平方向活动，以拉动内部线缆处于绷直状态或带动内部线缆复位至放松状态，定线组件供内部线缆穿...
    2026-05-12
  • 一种输配电控制设备
    一种输配电控制设备_江苏华尔能科技股份有限公司_202511521915.1
    本发明公开了一种输配电控制设备，涉及电气工程技术领域，包括螺栓、热膨胀驱动调压组件、六组环形均匀传压组件，热膨胀驱动调压组件与环形均匀传压组件两大核心模块的协同创新得以全面体现，在热膨胀驱动调压组件方面，本发明突破了传统电力导体接头依赖人工...
    2026-05-12
  • 一种模块化可插拔的配电终端结构
    一种模块化可插拔的配电终端结构_美仪电气有限公司_202610116008.7
    本发明公开了一种模块化可插拔的配电终端结构，本发明涉及配电设备技术领域。该模块化可插拔的配电终端结构，通过功能模块中电力传输插接槽组件和信号输入模块采用可插拔的分体结构设计，且由于相邻电力传输插接槽组件的第一导电金属弹片、第二金属导电弹片的...
    2026-05-12
  • 高安全性的气体绝缘柜架
    高安全性的气体绝缘柜架_广州雷诺尔电气有限公司_202511849863.0
    本发明涉及气体绝缘柜技术领域，公开了一种高安全性的气体绝缘柜架，包括：多个边支撑组件，与柜体的棱边弹性抵接；多个角支撑组件，与柜体的角弹性抵接，相邻的边支撑组件通过角支撑组件连接；柜体的每个外侧面靠近棱边的一侧均为第一支撑区域，每个边支撑组...
    2026-05-12
  • 一种紧凑型高压开关柜
    一种紧凑型高压开关柜_福州许继电气有限公司_202511808074.2
    本发明涉及电气开关柜技术领域，具体涉及一种紧凑型高压开关柜，包括：承载框架的底部与外部箱变底框集成，若干个封板可拆卸地设置于承载框架的四周侧面与顶部；真空断路器单元设置于承载框架内的前侧区域，一次元件单元设置于承载框架内的后侧区域，仪表室单...
    2026-05-12
  • 一种古建筑保护用防雷装置
    一种古建筑保护用防雷装置_长沙威尔达科技开发有限公司_202610186868.8
    本申请涉及建筑防雷保护技术领域，尤其是涉及一种古建筑保护用防雷装置，包括安装环架，所述安装环架的顶部等间距呈环状排列固定安装有支撑架，所述支撑架的顶部固定安装有顶环，所述顶环的内侧活动安装有避雷针基座，所述避雷针基座的顶部转动连接有避雷针本...
    2026-05-12
  • 多芯片激光器封装组件
    多芯片激光器封装组件_青岛海信激光显示股份有限公司_202511924897.1
    本申请公开了一种多芯片激光器封装组件，属于光电技术领域。多芯片激光器封装组件包括底板，底板上贴装有多个成行和列排列的发光芯片，多个发光芯片发出多色激光光束，具有慢轴方向和快轴方向；准直镜组，包括多个成行和列排列的准直透镜，所述激光光束的慢轴...
    2026-05-12
  • 基于波长选择的低噪声激光装置
    基于波长选择的低噪声激光装置_上海频准激光科技股份有限公司_202511908260.3
    本发明提供一种基于波长选择的低噪声激光装置，包括激光发射单元及波长选择结构，波长选择结构设置于激光发射单元的激光输出端，其中激光发射单元具有多个激光发射通道；波长选择结构包括多个独立的波长选择元件，且多个波长选择元件与多个激光发射通道一一对...
    2026-05-12
  • 一种定向发射激光的GaN桥接微盘激光器及其制备方法
    一种定向发射激光的GaN桥接微盘激光器及其制备方法_安徽大学_202511987609.7
    本发明公开了一种定向发射激光的GaN桥接微盘激光器及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域。提出桥接多边形微腔结构，在四边形和圆形微腔顶角处引入延伸桥结构，通过桥与主腔体的几何耦合打破多边形的镜像对称性，将回音壁模式定向耦合至输出波导。此发...
    2026-05-12
  • 一种半导体激光器芯片及制备方法
    一种半导体激光器芯片及制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511683605.X
    本发明提供一种半导体激光器芯片及制备方法，属于半导体激光器芯片制备技术领域，包括自下至上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、张应变量子阱、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层，以及SiO2绝缘层、第一层P面金属和第二层P面金属。...
    2026-05-12
  • 一种微盘结构半导体激光器及制备方法
    一种微盘结构半导体激光器及制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511851313.2
    本发明提供一种微盘结构半导体激光器及制备方法，属于半导体激光器技术领域，本发明包括：SiO2阻挡层、100μm厚n‑GaAs衬底、100nm厚n‑GaAs接触层、200nm厚Si掺杂n‑AlGaInP限制层、400nm厚n‑AlGaInP波...
    2026-05-12
  • 一种用于半导体器件的隧穿结层结构及其制造方法
    一种用于半导体器件的隧穿结层结构及其制造方法_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202511918045.1
    本发明公开一种用于半导体器件的隧穿结层结构及其制造方法，所述隧穿结层包括从下至上依次生长的P型限制层、P型隧穿结层、N型隧穿结层和N型限制层，所述N型隧穿结层包括交替层叠生长的至少一第一N型隧穿结层和至少一第二N型隧穿结层，与P型隧穿结层接...
    2026-05-12
  • 表面发射激光器和光发射单元
    表面发射激光器和光发射单元_杭州开幕光子技术有限公司_202511910169.5
    本申请实施例涉及一种表面发射激光器和光发射单元。该表面发射激光器包括：衬底；设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构；至少两个表面光栅单元，形成于所述顶部反射镜结构表面，且位于所述表面发射激光器的激射区域，各所述表面光栅单元被...
    2026-05-12
  • 表面发射激光器和光发射单元
    表面发射激光器和光发射单元_杭州开幕光子技术有限公司_202511910160.4
    本申请实施例涉及一种表面发射激光器和光发射单元，包括：衬底；设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构；至少一微台面结构，所述微台面结构为对所述顶部反射镜结构的非基模(LP01)发射区域进行部分刻蚀得到，刻蚀后的微台面结构的厚度...
    2026-05-12
  • 一种低串联电阻的VCSEL外延结构及其制备方法
    一种低串联电阻的VCSEL外延结构及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511860586.3
    本发明涉及一种低串联电阻的VCSEL外延结构及其制备方法，该外延结构包括衬底，衬底上依次设置有buffer层、N型DBR层、有源层、P型氧化限制层、P型DBR层和表面高掺GaAs层；N型DBR层自下而上包括周期性循环的高Al组分层、N型高掺...
    2026-05-12
  • 一种宽波段波长快速扫描激光器
    一种宽波段波长快速扫描激光器_江苏长光时空光电技术有限公司_202511646574.0
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种宽波段波长快速扫描激光器，包括底座，所述底座上安装有激光增益芯片和套筒，所述套筒环绕所述激光增益芯片并沿所述激光增益芯片的出光侧延伸；所述套筒内活动地布置有可动反射镜，其与所述激光增益芯片相对设置...
    2026-05-12
  • 基于混合外腔结构的高功率高光束质量半导体激光器
    基于混合外腔结构的高功率高光束质量半导体激光器_山西创芯光电科技有限公司_202511850898.6
    本申请提供了一种基于混合外腔结构的高功率高光束质量半导体激光器，属于半导体激光器技术领域；该半导体激光器包括半导体增益芯片、快轴准直系统和慢轴稳定外腔，慢轴稳定外腔包括两个凹面柱面镜，两个反射镜在半导体增益芯片慢轴方向的两侧形成稳定的光学谐...
    2026-05-12
  • 多芯片垂直外腔面发射激光器
    多芯片垂直外腔面发射激光器_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202610183492.5
    本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种多芯片垂直外腔面发射激光器，包括：沿预设中心轴依次排布的芯片组、第一棱镜、第二棱镜以及输出耦合镜；芯片组包括N个增益芯片，N个增益芯片输出N束子光束；N束子光束分别经过第一棱镜，自第一棱镜射出的各子光束...
    2026-05-12
  • 一种基于两个不同光栅常数的环状刻蚀金属光栅的激光器
    一种基于两个不同光栅常数的环状刻蚀金属光栅的激光器_聚光科芯(苏州)光电子科技有限公司_202511487196.6
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种基于两个不同光栅常数的环状刻蚀金属光栅的激光器，包括：衬底；激光量子阱增益层，设置在所述衬底的上端面；环状刻蚀金属光栅，设置在所述激光量子阱增益层的上部波导层；上包层，通过半导体二次外延法构建在所述...
    2026-05-12
  • 一种准二维钙钛矿一维拓扑激光器
    一种准二维钙钛矿一维拓扑激光器_太原理工大学_202511721801.1
    本发明属于纳米激光技术领域，具体涉及一种准二维钙钛矿一维拓扑激光器，包括准二维钙钛矿增益层，所述准二维钙钛矿增益层一侧设置有多个周期性排列的第一光子晶体，另一侧设置有多个周期性排列的第二光子晶体，所述第一光子晶体的每个周期包括位于外侧的两个...
    2026-05-12
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