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最新专利技术
  • 一种熔盐辅助硫磺-锂盐反应制备硫化锂的方法
    一种熔盐辅助硫磺-锂盐反应制备硫化锂的方法_山西铁峰化工有限公司_202610244705.0
    本发明涉及一种熔盐辅助硫磺‑锂盐反应制备硫化锂的方法，属于锂硫电池与固态电解质材料技术领域，包括以下步骤：步骤一：将锂盐进行机械粉碎与筛分处理；然后将处理后的锂盐与熔盐置于坩埚中均匀混合；步骤二：将步骤一中装有锂盐与熔盐的坩埚置于反应器中；...
    2026-04-22
  • 一种高纯硫化锂的制备方法
    一种高纯硫化锂的制备方法_广东芳源新材料集团股份有限公司_202511980070.2
    本发明提供了一种高纯硫化锂的制备方法，通过对原料选择、工艺步骤、气氛控制及资源循环的精准设计，产品质量达到固态电池硫化锂电解质要求，产品纯度达到99.99%，金属杂质总量小于100ppm，并且工艺流程短，高纯硫酸锂和高纯硫化钡在低温下直接反...
    2026-04-22
  • 基于氨气吹扫氯化锂复分解反应生产硫化锂的方法
    基于氨气吹扫氯化锂复分解反应生产硫化锂的方法_深圳新岳新材科技有限公司_202511819016.X
    本申请涉及硫化锂生产技术领域，公开了基于氨气吹扫氯化锂复分解反应生产硫化锂的方法，包括以下步骤：在N‑甲基‑2‑吡咯烷酮类溶剂中溶解氯化锂，以形成液相反应介质；向液相反应介质中加入硫化铵，以引发氯化锂与硫化铵的复分解反应，生成不溶性的硫化锂...
    2026-04-22
  • 二甲基二硫醚或二叔丁基聚硫化物加氢制备硫化锂的工艺
    二甲基二硫醚或二叔丁基聚硫化物加氢制备硫化锂的工艺_深圳新岳新材科技有限公司_202511801539.1
    本申请涉及化学品制备技术领域，公开了二甲基二硫醚或二叔丁基聚硫化物加氢制备硫化锂的工艺，包括以下步骤：硫化氢的制备：在第一反应器中，使有机硫源与氢气在加氢催化剂存在下进行加氢反应，生成硫化氢混合气体；所述有机硫源为二甲基二硫醚或二叔丁基聚硫...
    2026-04-22
  • 一种提高不溶性硫磺分散性和热稳定性的方法
    一种提高不溶性硫磺分散性和热稳定性的方法_山东海科创新研究院有限公司_202610236573.7
    本发明公开了一种提高不溶性硫磺分散性和热稳定性的方法，属于硫磺加工生产技术领域。其技术方案包括：1)将环烷油、分散剂、稳定剂和增容剂混合，得到混合物料；所述分散剂为二硫代二苯并噻唑、硬脂酸锌、邻苯二甲酸二辛酯、聚乙二醇单月桂酸酯、油醇、脂肪...
    2026-04-22
  • 复合材料的制备方法、复合材料、光电器件以及电子设备
    复合材料的制备方法、复合材料、光电器件以及电子设备_TCL科技集团股份有限公司_202311680001.0
    本申请公开了一种复合材料的制备方法、复合材料、光电器件以及电子设备，所述复合材料的制备方法包括步骤：提供包括第一金属氧化物和光酸产生剂的混合物；以及，对混合物进行光照处理，获得所述复合材料，混合物中的光酸产生剂经光照处理会发生解离反应而形成...
    2026-04-22
  • 一种提取卤水中溴素的方法
    一种提取卤水中溴素的方法_山东东信化工股份有限公司_202610261177.X
    本发明公开了一种提取卤水中溴素的方法，属于提取溴素技术领域，所述方法由以下步骤组成：预处理，氧化，吹出；所述预处理，将卤水经板框压滤后，向滤液中加入复合碳酸钙、木质素磺酸钠，常温下搅拌，静置，超滤，取滤液，得到预处理后的卤水；所述氧化，将预...
    2026-04-22
  • 一种高效催化合成溴化氢的方法
    一种高效催化合成溴化氢的方法_太和气体(荆州)有限公司_202610255288.X
    本发明属于无机化工技术领域，具体涉及一种高效催化合成溴化氢的方法。旨在解决能耗高、催化剂易失活、纯度不高等技术问题。本发明通过将氢气与汽化后的溴蒸气在特定摩尔比下混合；将混合气体导入催化反应区，与核壳结构催化剂接触进行蓝光LED照射催化反应...
    2026-04-22
  • 一种含溴废液制取的溴素的精制提纯工艺
    一种含溴废液制取的溴素的精制提纯工艺_山东省海洋化工科学研究院_202512023996.9
    本发明公开了一种含溴废液制取的溴素的精制提纯工艺，步骤为：(1)将含溴废液制取的溴素和水加入蒸馏釜，在60‑80℃下进行水浴蒸馏，获得粗溴；(2)将粗溴加入精馏釜，粗溴体积控制在占精馏釜容积的50%，升温至59‑70℃，然后开启计量泵向釜内...
    2026-04-22
  • 一种利用多元金属催化剂活化的铝合金带制备钠铝氢四储氢材料的方法
    一种利用多元金属催化剂活化的铝合金带制备钠铝氢四储氢材料的方法_西安工业大学_202511998734.8
    本发明涉及储氢材料制备技术领域，具体涉及一种利用多元金属催化剂活化的铝合金带制备钠铝氢四储氢材料的方法。本发明提供了一种利用多元金属催化剂活化的铝合金带制备钠铝氢四储氢材料的方法，包括：惰性气氛下，铝单质和多元金属催化剂熔炼得到多元铝合金铸...
    2026-04-22
  • 封装结构及其形成方法、电子设备
    封装结构及其形成方法、电子设备_中芯集成电路(宁波)有限公司_202411379086.3
    一种封装结构及其形成方法、电子设备，形成方法包括：将第二晶圆键合在第一晶圆上，使第一芯片和第二芯片电连接，切割区与测试接入层相对应，第二晶圆和第一晶圆之间构成隧道结构，测试接入层暴露在隧道结构中，并在测试接入层表面形成保护层，从而在对第二晶...
    2026-04-22
  • 基于嵌段共聚物的导向自组装方法及图案化结构
    基于嵌段共聚物的导向自组装方法及图案化结构_中国科学院光电技术研究所_202512029840.1
    本公开提供了一种基于嵌段共聚物的导向自组装方法及图案化结构，方法包括：在金属衬底上形成引导模板；将形成有引导模板的金属衬底置于无规聚合物溶液中，使无规聚合物溶液中的无规聚合物通过化学键在金属衬底表面形成中性界面层，得到形成有中性界面层的导向...
    2026-04-22
  • 一种电场传感器场增强盖板及其制备方法
    一种电场传感器场增强盖板及其制备方法_中国科学院空天信息创新研究院_202512016066.0
    本发明公开一种电场传感器场增强盖板及其制备方法，属于微机电系统制造技术领域。该方法包括：在硅片或绝缘体上硅表面刻蚀凹槽形成增强结构；通过键合与减薄工艺制备平整待键合面；在玻璃片上激光切割预留孔洞；将玻璃片与键合面键合形成盖板。可选步骤包括溅...
    2026-04-22
  • 高兼容性的异质集成方法
    高兼容性的异质集成方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202512008798.5
    本发明提供一种高兼容性的异质集成方法，采用形态可变介质层为媒介，将非标准尺寸的任意形状功能层和支撑衬底稳定结合后，再与其它功能层进行异质集成，最后再去除形态可变介质层和支撑衬底，得以将标准MEMS平台标准工艺难以集成的非常规尺寸材料异质集成...
    2026-04-22
  • MEMS器件及其制备方法
    MEMS器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511992644.8
    本申请公开了一种MEMS器件及其制备方法。所述MEMS器件制备方法中，先执行干法去胶工艺去除光刻胶层，再对衬底进行两次清洗液不同的湿法清洗工艺，其中第一次湿法清洗工艺用于去除部分厚度的表面保护层，并将粘黏在表面保护层上的残胶充分的释放；而采...
    2026-04-22
  • 一种基于形状记忆合金相变驱动的三维曲面微结构的制备方法
    一种基于形状记忆合金相变驱动的三维曲面微结构的制备方法_苏州研材微纳科技有限公司_202511992041.8
    本发明属于微纳加工与先进制造技术领域，特别属于一种基于形状记忆合金相变驱动的三维曲面微结构的制备方法。对基底热机械处理，赋予三维曲面记忆状态，得到训练好的SMA基底；将训练好的SMA基底冷却至其马氏体相变完成温度以下，施加外部机械力，将从记...
    2026-04-22
  • 一种基于微流控的氧合等离子体表面键合方法
    一种基于微流控的氧合等离子体表面键合方法_西交利物浦大学_202511867044.9
    本发明涉及一种基于微流控的氧合等离子体表面键合方法。本发明通过在特定真空度下对硅片和PDMS基片进行等离子清洗，实现了对硅片表面硅烷醇化修饰，使其能够与PDMS基片形成有效键合；同时，结合热板加热与烤箱烘烤处理，协同对等离子体处理后且贴合的...
    2026-04-22
  • 一种PCB扩展背腔封装工艺
    一种PCB扩展背腔封装工艺_河北泉芯微电子有限公司_202511852056.4
    本发明公开了一种PCB扩展背腔封装工艺，属于半导体封装技术领域。工艺步骤包括：(1)在PCB基板上点胶贴装ASIC集成芯片烘烤固化；(2)在PCB基板上涂覆胶水贴装MEMS电容式芯片烘烤固化，PCB基板上开设有扩展背腔，扩展背腔与MEMS电...
    2026-04-22
  • 一种半导体应变计的制造方法及半导体应变计
    一种半导体应变计的制造方法及半导体应变计_常州纺织服装职业技术学院_202511844606.8
    本发明公开了一种半导体应变计的制造方法，步骤如下：S1、在(110)取向的P型单晶硅衬底上外延生长硼掺杂硅外延层；S2、在步骤S1中的外延层表面沉积钝化层；S3、通过第一光刻步骤将需要做金属沉积的位置曝光；S4、在步骤S3中暴露的外延层表面...
    2026-04-22
  • 柔性信号传输结构
    柔性信号传输结构_北京赛微电子股份有限公司_202512039492.6
    本申请公开了一种柔性信号传输结构。柔性信号传输结构包括基底和微同轴传输结构，微同轴传输结构包括外导体、支撑体和内导体。本申请通过在基底上设置多个第一应力释放槽，并将微同轴传输结构的外导体在基底上的正投影设置为与多个第一应力释放槽在基底上的正...
    2026-04-22
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