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最新专利技术
  • SiGe沟槽的形成方法及SiGe源漏结构
    SiGe沟槽的形成方法及SiGe源漏结构_重庆芯联微电子有限公司_202511732305.6
    本发明公开了一种SiGe沟槽的形成方法及SiGe源漏结构，属于半导体技术领域，该SiGe沟槽的形成方法，包括提供衬底，衬底内设置有N阱，且N阱的两侧均设置有浅沟槽隔离结构；在衬底上沉积复合栅极层、第一牺牲层和第二牺牲层并刻蚀，以在N阱上形成...
    2026-04-24
  • FinFET的伪栅极形成方法
    FinFET的伪栅极形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202511691856.2
    本发明公开了一种FinFET的伪栅极形成方法，属于半导体技术领域，该FinFET的伪栅极形成方法，包括以所述第二氧化层或所述氮化硅层为掩膜刻蚀所述多晶硅层形成伪栅极：使用CF4气体以第一刻蚀速率刻蚀所述多晶硅层，直至所述多晶硅层的顶面与所述...
    2026-04-24
  • 半导体结构以及其制作方法
    半导体结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411458067.X
    本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包含提供一基底，该基底上形成有一浅沟隔离结构以及一第一主动区，其中该浅沟隔离结构的一顶面高于该第一主动区中的该基底的一顶面，进行一蚀刻步骤，以移除部分该浅沟隔离结构，使该浅沟隔...
    2026-04-24
  • 半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置
    半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411357422.4
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置。该半导体结构的形成方法具体通过先提供一衬底；对所述衬底进行第一导电类型的离子掺杂，以在所述衬底中形成第一掺杂层；所述第一掺杂层与所述衬底的导电类型相同；向所述...
    2026-04-24
  • 具备逆阻能力的氧化镓场效应晶体管
    具备逆阻能力的氧化镓场效应晶体管_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202512048466.X
    本发明涉及一种具备逆阻能力的氧化镓场效应晶体管。其包括氧化镓基板以晶体管单元体，其中，所述晶体管单元体包括漏端功能单元以及栅端功能单元；所述漏端功能单元包括邻近栅端功能单元一侧的漏端第一功能区以及用于将漏电极引出的漏极金属，其中，所述漏端第...
    2026-04-24
  • 一种逆阻型GCT芯片结构
    一种逆阻型GCT芯片结构_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411323442.X
    本发明属于功率半导体领域，具体涉及一种逆阻型GCT芯片结构，包括并列分布的阴极梳条结构部分和屏蔽型P基区梳条结构部分；阴极梳条结构部分包括从下到上层叠设置的P+阳极发射层、P阳极区、N‑基区、P基区、P+基区和N+发射区；屏蔽型P基区梳条结...
    2026-04-24
  • 一种超高压IGBT芯片制备方法
    一种超高压IGBT芯片制备方法_临沂大学_202511974611.0
    本发明提供一种超高压IGBT芯片制备方法，属于IGBT芯片制备技术领域，本发明通过在硅衬底上生长漂移区外延层并采用温度抵接差异矩阵动态调节温场均匀性，对掺杂浓度分布进行浓度回向偏差向量检测，实施牺牲氧化处理后生长栅极氧化层，在硅片背面进行双...
    2026-04-24
  • 具有半导体膜的双极晶体管结构及相关方法
    具有半导体膜的双极晶体管结构及相关方法_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202511121994.7
    本公开提供了具有半导体膜的双极晶体管结构及相关方法。本公开的结构包括位于集电极上的内部基极。集电极具有第一掺杂类型。半导体薄膜位于内部基极上并水平地围绕内部基极。半导体膜水平地包封内部基极。具有第一掺杂类型的发射极位于半导体膜的第一部分上。...
    2026-04-24
  • GaN功率二极管及其制备方法
    GaN功率二极管及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511867233.6
    本发明提供了一种GaN功率二极管及其制备方法，GaN功率二极管包括外延片，外延片上设有漏极、源极以及栅极，漏极也为GaN功率二极管的阴极；栅极位于漏极和源极之间，包括多个P‑GaN岛结构，栅极与源极通过互联金属短接形成GaN功率二极管的阳极...
    2026-04-24
  • 用于对跨无机电隔离屏障的超快高压瞬变实现高抗扰度的工艺和方法
    用于对跨无机电隔离屏障的超快高压瞬变实现高抗扰度的工艺和方法_德克萨斯仪器股份有限公司_202511886779.6
    一种微电子装置(100)包含具有上板(132)和下板(130)的高压部件(104)。在微电子装置的基底(102)的表面处，上板通过上板和低压元件(106)之间的主电介质(136)与下板隔离。下带隙电介质层(140)设置在上板和主电介质之间。...
    2026-04-24
  • 一种栅控式半导体耗尽层调制真空可变电容器及其制备方法
    一种栅控式半导体耗尽层调制真空可变电容器及其制备方法_杨荣泉_202512037775.7
    本发明涉及可变电容器技术领域，且公开了一种栅控式半导体耗尽层调制真空可变电容器及其制备方法，包括上电极，由高纯度无氧铜制成，具有倒圆边缘结构；下电极，由无氧铜制成，兼作机械支撑与热沉；设置于上电极与下电极之间的真空绝缘层，真空间隙为；半导体...
    2026-04-24
  • 半导体封装及制造半导体封装的方法
    半导体封装及制造半导体封装的方法_三星电子株式会社_202511773925.4
    一种半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，贴附到第一半导体芯片的上表面；硅散热体，热连接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个；以及模制构件，被配置为围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片并暴露硅散热体的上表面。
    2026-04-24
  • 集成电路和半导体装置
    集成电路和半导体装置_联发科技股份有限公司_202511363369.3
    一种集成电路包括主控晶粒、基底晶粒和至少两个高带宽存储器(HBM)堆栈，其均位于中介层上。主控晶粒包含多个处理器，该至少两个HBM堆栈位于基底晶粒上并通过基底晶粒和中介层与主控晶粒进行通信。该至少两个HBM堆栈和主控晶粒排列成一行，其中，主...
    2026-04-24
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_长江存储控股股份有限公司_202411320371.8
    本公开提供了一种半导体封装结构及其制备方法，所述半导体封装结构包括：沿第一方向堆叠排布的第一半导体芯片、键合层和第二半导体芯片；其中，所述第一半导体芯片包括至少一个沿所述第一方向延伸的第一导电结构；所述第二半导体芯片包括至少一个沿所述第一方...
    2026-04-24
  • 一种相变存储器
    一种相变存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511869267.9
    本申请公开了一种相变存储器，属于相变存储器技术领域。相变存储器包括：沿第一方向层叠的第一导电层、第一电极层、第一选通层、第一相变存储层、第二电极层和第二导电层；第一相变存储层到第二导电层的距离小于第一相变存储层到第一导电层的距离，第一电极层...
    2026-04-24
  • 仅选择存储器及其形成方法
    仅选择存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202512005947.2
    本申请公开了一种仅选择存储器及其形成方法，该仅选择存储器包括衬底、多个存储单元和第一保护层。多个存储单元在衬底上阵列设置，第一保护层位于存储单元的侧壁，第一保护层的材料包括氮化硅，且第一保护层的密度大于或等于2.8g/cm3。由于第一保护层...
    2026-04-24
  • 存储器
    存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202512001221.1
    本申请公开了一种存储器，该存储器包括衬底和多个存储单元，多个存储单元在衬底上阵列设置，存储单元包括叠置的第一电极、选通层、第二电极、双向阈值开关层和第三电极，选通层位于第一电极与第二电极之间，双向阈值开关层位于第二电极与第三电极之间。其中，...
    2026-04-24
  • 一种存储元件及存储器
    一种存储元件及存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511909970.8
    本申请公开了一种存储元件及存储器，其中存储元件包括：沿第一方向层叠的第一电极层和第二电极层；位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的存储层，所述存储层具有双向阈值开关特性，所述存储层的材料包括带负电荷的第一离子和带正电荷的第二离子；其中，所...
    2026-04-24
  • 一种铁电存储单元及其制造方法
    一种铁电存储单元及其制造方法_无锡舜铭存储科技有限公司_202610000559.7
    本发明公开一种铁电存储单元，其包括设置于铁电层的中间以及所述铁电层的至少一侧表面的氧化层，且该氧化层的材料和铁电层的材料包括相同的主体元素。通过在电极与铁电层之间、以及铁电层内部插入与铁电层具有相同的主体元素的氧化层，可以调控铁电存储单元中...
    2026-04-24
  • 半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202411346534.X
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统。所述半导体结构包括：包括交替堆叠设置的第一介质层和复合层的堆叠结构；所述复合层包括：第一导电层和围绕所述第一导电层的铁电层；延伸穿过所述堆叠结构的功能结构。
    2026-04-24
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