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  • 本申请涉及一种储能设备控制方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:在存在符合区域配合储能条件的第一储能区域和第二储能区域的情况下,分别确定第一储能区域和第二储能区域的资源交换方向;第一储能区域和第二储能区域的电价差值的绝对值大于或等...
  • 本申请涉及人工智能领域,尤其涉及一种用电负荷预测方法、装置和电子设备。首先根据各行业用电负荷数据相对于温度的敏感度,将各行业划分为多个温度敏感行业群,然后根据各行业用电负荷数据的曲线特征,将每个温度敏感行业群中的行业进一步划分为多个曲线特征...
  • 本发明公开一种连接器锁定件和连接器。连接器锁定件包括:固定部,用于固定到连接器的壳体并具有在纵向上相对的前侧和后侧;横梁,沿与纵向垂直的横向延伸并具有在横向上相对的两端;U型弹臂,连接在横梁和固定部的后侧之间;和一对弹性锁扣,分别位于横梁的...
  • 本申请涉及连接器技术领域,提供一种连接器接头座、连接器及电子设备,能够相关技术中的电子设备的边框尺寸较大的问题。该连接器接头座,用于设置在电子设备的壳体中,包括容纳套,容纳套具有内孔,内孔用于容纳连接器母接头的舌板;沿内孔的轴向,容纳套具有...
  • 一种连接器包含基座以及滑动弹片。基座包含底部、第一延伸部、第二延伸部以及翼部。第一延伸部以及第二延伸部自底部突伸。第一延伸部以及第二延伸部在一方向上排列。翼部侧向环绕底部并位于第一延伸部以及第二延伸部中的一者与底部之间。滑动弹片可滑动地设置...
  • 本申请实施例公开了一种用于电池单体的端盖组件、电池单体、电池和用电装置,能够以较低的成本实现端盖和绝缘件之间的连接。该端盖组件包括:端盖;绝缘件,设置于所述端盖的朝向所述电池单体的内部的一侧,用于间隔所述端盖和所述电池单体内部的电极组件;连...
  • 本申请涉及电池技术领域,提供一种电池包和用电装置,电池包包括箱体以及设置于箱体内的电池单元,电池单元包括第一电池和第二电池,所述第一电池和所述第二电池沿第一方向叠置;第一电池包括具有第一负极片的第一电极组件,第一负极片包括第一负极集流体,其...
  • 本申请公开一种冷板、冷却系统、储能装置及用电设备,冷板包括换热板和流道板,换热板具有进口和出口,进口和出口沿换热板的厚度方向贯穿换热板;流道板与换热板叠置;凹槽与进口、出口连通;凹槽的槽底面凸设有第一导热部,第一导热部与换热板接触;换热板具...
  • 一种电芯连接组件的制造方法,包括步骤:于一绝缘基板的同侧设置第一电路板及多个电连接件,多个所述电连接件间隔设置于所述绝缘基板,所述第一电路板与每一所述电连接件间隔设置。于每一所述电连接件背离所述绝缘基板的一侧设置开槽,于所述开槽设置热敏元件...
  • 本发明提供了一种用于无负极钠金属电池的电解液及其制备方法和无负极钠金属电池,涉及钠离子电池技术领域。所述电解液主要由钠盐和弱配位有机溶剂制得,其中钠盐在电解液中的浓度为1~2.5mol/L。上述电解液通过弱配位有机溶剂以及电解液中特定的钠盐...
  • 本申请涉及电池技术领域,尤其涉及一种复合集流体及其制备方法。复合集流体,包括,基材层,基材层采用柔性复合材料,基材层为薄膜;导电层,导电层设置在基材层上,导电层包括金属材料、碳基导电材料及导电高分子材料中的一种或多种,导电层设置有多层;金属...
  • 一种复合材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置,属于电池技术领域。复合材料包括:含锂化合物、催化剂和导电剂,其中,含锂化合物包括锂元素、碳元素和氧元素;催化剂包括过渡金属的氧化物、过渡金属的碳化物、过渡金属的氮化物或过渡金属的磷化物...
  • 本申请属于电池技术领域,提供一种钠电正极材料及其制备方法和钠二次电池及用电装置,所述钠电正极材料包括正极材料基体及位于所述正极材料基体至少部分表面的包覆层,所述钠电正极材料的有效内摩擦角小于30°。所述钠电正极材料具有更高的粉末压实密度,提...
  • 一种电极材料离子补充方法,使用液态氨作为溶剂,将金属单质溶解在液态氨中,将电极材料或电极片在离子补充液中浸泡,后续经过煅烧,获得成品电极材料或电极片。有效提升电极材料或电极片的首次库伦效率,可以同时适用于对电极材料或电极片中锂、钠、钾、钙等...
  • 一种封装器件,封装器件包括第一导体框架和与第一导体框架电流隔离的第二导体框架,第一导体框架包括第一导体、第一导线和第一键合线,第一导线的一端与第一导体连接,第一导线的另一端通过第一键合线与发送器裸片的输入端连接,第一键合线跨过第一导线两端之...
  • 一种基板、芯片封装结构及电子设备,基板沿厚度方向依次包括第一布线层、复合核心层、第二布线层。第一布线层背向复合核心层的一侧与芯片连接,第二布线层背向复合核心层的一侧与电路板连接。复合核心层包括玻璃核区域和包围玻璃核区域的外围区域,外围区域的...
  • 本申请公开一种半导体工艺腔室及其承载装置,属于半导体技术领域。承载装置包括基座和顶针,基座设有晶圆承载面以及通孔,顶针用于顶起晶圆,顶针贯穿通孔,且顶针可相对于基座升降,以使晶圆位于晶圆承载面或脱离晶圆承载面,顶针包括相连的第一针段和第二针...
  • 本申请公开了一种有机硅组合物、光固化薄膜以及晶片键合对,涉及有机材料技术领域。本申请中的有机硅组合物,包括:不饱和硅油和/或不饱和硅树脂49.5%~75%;巯基硅油和/或巯基硅树脂24.5%~50%;光引发剂0.5%~5%;其中,不饱和硅油...
  • 本发明属于低压电器技术领域,涉及一种开关的操作机构,包括设于壳体内壁上的限位件,限位件包括相连接的过渡段与弹性凸出段,过渡段与壳体内壁相连接,弹性凸出段弹性凸出于壳体内壁上,以使得当顶部操作轮带动滑块组件横向滑动时,弹性凸出段能够与滑块组件...
  • 本发明属于超导材料技术领域,具体涉及一种通过BaMO3纳米晶提高钇钡铜氧超导薄膜磁通钉扎的方法,包括以下步骤:S1:制备得到BaMO3纳米晶,并单分散于乙醇或者甲醇中,得到BaMO3
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