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最新专利技术
  • 连接端子
    连接端子_深圳尼索科连接技术股份有限公司_202511014890.6
    本发明揭示一种连接端子，包括：导体，其具有导孔，导孔具有第一内壁面和第一外壁面；第一密封体，其具有第一容纳孔，第一容纳孔具有第二内壁面和第三内壁面，第二内壁面抵接第一内壁面，第三内壁面抵接第一外壁面；第二密封体，其具有第二容纳孔，第二容纳孔...
    2025-09-22
  • 一种适用于高频应用的陶瓷管壳的转接传输结构
    一种适用于高频应用的陶瓷管壳的转接传输结构_成都嘉纳海威科技有限责任公司_202511014722.7
    本发明公开了一种适用于高频应用的陶瓷管壳的转接传输结构，涉及转接器技术领域，包括陶瓷基体、信号转接载体、金属化通孔以及共地屏蔽结构，陶瓷基体设有表面信号焊盘，信号转接载体叠设于陶瓷基体上并通过导电连接介质与其表面信号焊盘键合，金属化通孔内壁...
    2025-09-22
  • 一种高压大电流连接器
    一种高压大电流连接器_湖南省益力盛电子科技有限公司_202511014189.4
    本发明涉及连接器技术领域，具体涉及一种高压大电流连接器，包括两个连接装置；每个连接装置对应一段电缆；连接装置包括安装柱、端子；端子和安装柱之间均通过弹性连接组件连接；弹性连接组件用于为端子提供一个作用方向沿端子轴线朝另一个连接装置的端子延伸...
    2025-09-22
  • 天线极化方式切换电路、切换方法、存储介质及程序产品
    天线极化方式切换电路、切换方法、存储介质及程序产品_北京国电高科科技有限公司_202511014696.8
    本申请涉及通信技术领域，提供一种天线极化方式切换电路、切换方法、存储介质及程序产品，天线极化方式切换电路包括控制单元、射频系统与极化切换模块；极化切换模块中第一双刀双掷开关的一端与单刀三掷开关连接，另一端连接至电桥；电桥的另一端连接至第二双...
    2025-09-22
  • 基于特征模理论设计的四叶风扇型方向图可重构天线
    基于特征模理论设计的四叶风扇型方向图可重构天线_南京瓴数科技有限公司_202511015877.2
    本发明公开了基于特征模理论设计的四叶风扇型方向图可重构天线，涉及可重构天线技术领域，包括包括介质圆盘、中心圆形贴片、四个外围弧形贴片、四个PIN二极管、同轴线和金属地板，本发明的优点在于通过采用中心同轴线馈电方式，并在缝隙间加载PIN二极管...
    2025-09-22
  • 环形介质加载的太赫兹高增益龙勃透镜天线单元及阵列
    环形介质加载的太赫兹高增益龙勃透镜天线单元及阵列_东南大学_202511014343.8
    本发明公开一种环形介质加载的太赫兹高增益龙勃透镜天线单元及阵列，该天线单元的上层金属结构（A）、下层金属结构（B）的外形都为一个半圆环位于一个矩形的一侧，上层金属结构（A）覆盖在下层金属结构（B）上，阶梯状圆盘介质透镜（C）位于上层金属结构...
    2025-09-22
  • 一种具有连接结构的腔体移相器
    一种具有连接结构的腔体移相器_南京澳博阳射频技术有限公司_202511014525.5
    本申请公开了一种具有连接结构的腔体移相器，涉及移相器技术领域，包括腔体移相部件、基板以及连接结构，连接结构包括复合连接框架、应力传导杠杆组以及自适应补偿缓冲机构；自适应补偿缓冲机构包括传力部件、缓冲部件、复位组件以及补偿部件，本申请设置自适...
    2025-09-22
  • 一种新能源重卡电池箱电池层架
    一种新能源重卡电池箱电池层架_中国矿业大学_202511018115.8
    本发明提供了一种新能源重卡电池箱电池层架，属于新能源电动车动力电池箱技术领域，该发明包括电池层架主体和底托，所述电池层架主体卡装在底托上，还包括：滚动锁定组件，润滑组件；通过抽拉式滑动框架设计，使电池包可整体移出至层架外侧操作，单人即可完成...
    2025-09-22
  • 动力电池系统、制造方法以及用电设备
    动力电池系统、制造方法以及用电设备_同济大学_202511013500.3
    本申请提供一种动力电池系统、制造方法以及用电设备。所述动力电池系统包括：软包电芯；机翼；所述机翼包括上部蒙皮、翼梁以及下部蒙皮，所述下部蒙皮与上部蒙皮匹配闭合形成空腔，所述翼梁位于所述空腔内部，以支承所述上部蒙皮与所述下部蒙皮；其中，所述机...
    2025-09-22
  • 一种锌离子电池电解液、锌离子电池及其制备方法
    一种锌离子电池电解液、锌离子电池及其制备方法_江西师范大学_202511013015.6
    本发明涉及电化学技术领域，具体涉及一种锌离子电池电解液、锌离子电池及其制备方法。锌离子电池电解液由可溶性锌盐、1,3‑丁二酮胺和水组成；其中，1,3‑丁二酮胺的浓度为0.05mol/L~0.15mol/L；可溶性锌盐的浓度为1mol/L~2...
    2025-09-22
  • 一种电解液及电池、电池模块
    一种电解液及电池、电池模块_江苏隐功科技有限公司_202511014853.5
    本申请提供了一种电解液及电池、电池模块，涉及电池技术领域，该电解液包括电解质盐、有机溶剂、添加剂，其特征在于：所述添加剂包括式1所示含磺酸酯类化合物。本申请提供的电解液可以在较少种类的添加剂加入的情况下实现性能的更好优化。
    2025-09-22
  • 一种燃料电池水淹控制方法、设备及存储介质
    一种燃料电池水淹控制方法、设备及存储介质_浙江清华长三角研究院_202511016362.4
    本申请公开了一种燃料电池水淹控制方法、设备及存储介质。通过构建动态特征集并计算实时熵权评分，能够全面且准确地反映燃料电池阳极的水淹风险状态，提高了水淹故障的早期预警能力和诊断准确性。基于实时熵权评分动态调整输出功率、加载速率和排水流量，实现...
    2025-09-22
  • 一种高稳定性燃料电池催化剂浆料及其制备方法和应用
    一种高稳定性燃料电池催化剂浆料及其制备方法和应用_华燚新能源材料(上海)有限公司_202511013122.9
    本发明属于氢燃料电池技术领域，具体涉及一种高稳定性燃料电池催化剂浆料及其制备方法和应用，所述催化剂浆料包含非离子型聚丙烯酰胺、催化剂、离聚物溶液和水醇混合溶液。本发明通过添加聚丙烯酰胺（PAM）作为非离子型添加剂来提升JM4000氢燃料电池...
    2025-09-22
  • 一种复合改性的富锂锰基正极材料及其制备方法、应用
    一种复合改性的富锂锰基正极材料及其制备方法、应用_赣州诺威新能源有限公司_202511013058.4
    本发明公开了一种复合改性的富锂锰基正极材料及其制备方法、应用，属于正极材料技术领域。所述复合改性的富锂锰基正极材料包括金属无机‑有机杂化溴化物（C4H4NO2)2<...
    2025-09-22
  • 硫化物电解质适配的复合正极材料及制备方法和二次电池
    硫化物电解质适配的复合正极材料及制备方法和二次电池_宜宾锂宝新材料股份有限公司_202511014841.2
    本发明公开了硫化物电解质适配的复合正极材料及制备方法和二次电池，本发明提供的硫化物电解质适配的复合正极材料，其包括包覆改性高镍正极材料，包覆改性高镍正极材料包括基体及包覆在基体表面的复合包覆层，其中：所述基体为高镍正极材料，所述复合包覆层包...
    2025-09-22
  • 一种基于钼片的TVS二极管
    一种基于钼片的TVS二极管_常州佳讯光电产业发展有限公司_202511017043.5
    本发明公开了一种基于钼片的TVS二极管，该二极管包括圆形硅芯片、钼片支撑层、五价无铅纳米焊料连接层和硅胶封装层，芯片与钼片之间通过Sn‑Bi‑Cu‑Ag‑In无铅焊料连接，焊料中添加Mg助熔剂和纳米氧化铝颗粒以提高焊接强度和热稳定性，所述钼...
    2025-09-22
  • 一种功率器件封装结构、制备方法及驱动装置
    一种功率器件封装结构、制备方法及驱动装置_英诺赛科(珠海)科技有限公司_202511013817.7
    本发明实施例公开一种功率器件封装结构、制备方法及驱动装置。该功率器件封装结构包括至少两个载片台；设置于载片台一侧的驱动单元和至少两个功率单元；驱动单元与至少两个功率单元电连接；至少两个功率单元包括低压侧功率单元和高压侧功率单元；低压侧功率单...
    2025-09-22
  • 2.5D中介层露铜工艺和封装结构
    2.5D中介层露铜工艺和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511014854.X
    本申请提供的一种2.5D中介层露铜工艺和封装结构。该2.5D中介层露铜工艺包括提供具有导电柱的中介层；中介层包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面和第二表面边缘分别设有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的深度为H1，第二凹槽的深度为H2，第一...
    2025-09-22
  • 2.5D衬底封装方法和封装结构
    2.5D衬底封装方法和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511014848.4
    本申请提供一种2.5D衬底封装方法和封装结构，2.5D衬底封装方法包括：提供具有凹槽的基底；其中，凹槽为台阶槽；凹槽包括连通的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度。在基底中形成导电柱。蚀刻基底以露出导电柱；在基底露出导电柱的...
    2025-09-22
  • 2.5D衬底制作方法和封装结构
    2.5D衬底制作方法和封装结构_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511014846.5
    本申请提供的一种2.5D衬底制作方法和封装结构，涉及半导体封装技术领域。该2.5D衬底制作方法包括：提供中介层，其中，中介层内具有导电柱。去除部分中介层以使导电柱部分凸出于中介层的表面。在中介层露出导电柱的一侧形成绝缘层。在绝缘层远离中介层...
    2025-09-22
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