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  • 本发明属于番石榴嫁接技术领域,具体涉及一种红肉番石榴嫁接方法,包括以下步骤:S1.砧木处理:剪掉砧木植株过长须根,移栽到田地内;S2.嫁接操作:皮接法嫁接;S3.田间管理:户外嫁接完成后盖薄膜防水防雨或在大棚内嫁接。本发明利用移栽嫁接法不受...
  • 本发明适用于水稻萌发技术领域,提供了一种利用钙镁锌复合离子促进水稻种子萌发的方法,包括以下步骤:种子预处理:选取种子,剔除破损粒,进行消毒、冲洗、吸干水分的操作;避光催芽:将种子置于恒温培养箱中避光催芽;配制盐溶液:配制Ca、Mg和Zn的复...
  • 本申请实施例提供一种显示面板、显示面板的制作方法及电子设备,涉及显示技术领域,显示面板包括基板、隔离结构及发光器件,发光器件包括第一电极、显示功能层及第二电极;其中,显示功能层包括第一空穴注入层、第一半导体层、第二半导体层及第三半导体层;第...
  • 本申请实施例提供的一种显示面板及电子设备,涉及显示技术领域,该显示面板包括基板、隔离结构和多个发光单元,隔离结构围合形成多个隔离开口,围合形成同一隔离开口的至少部分隔离结构包括沿远离基板的方向依次层叠设置的第一隔离部、第二隔离部和第三隔离部...
  • 本申请实施例提供的一种显示面板及电子设备,涉及显示技术领域,该显示面板包括基板、像素界定层、发光单元和触控层,像素界定层位于基板的一侧,像素界定层具有多个像素开口;发光单元的至少部分位于像素开口内;触控层位于发光单元远离基板的一侧,触控层包...
  • 一种胶体量子点基宽带超辐射发光二极管及制备方法,属于半导体器件技术领域,解决现有技术中胶体量子点在超辐射发光二极管应用中因光谱调控精度不足使光学增益提升受限的技术问题。所述二极管包括:分布式布拉格反射镜,由ITO阴极、电子传输层、CQD有源...
  • 本申请公开了一种光伏器件及其制备方法,属于光伏器件技术领域。本申请的光伏器件包括由下至上依次设置的衬底、TCO层、缓冲层、吸收层、第一界面层以及背电极导电层;其中,所述第一界面层为非连续膜层,所述第一界面层的材料包括高阻氧化物和/或高阻氮化...
  • 本发明公开了一种背玻预制电路的制备方法,包括提供玻璃基材,并对玻璃基材进行清洗;在玻璃基材的第一面加工第一金属层,得到第一半成品;对第一半成品进行图形转移,以在第一金属层加工出相连的互联条和汇流条,得到第二半成品;对第二半成品进行电镀处理,...
  • 本发明公开了一种光伏电池叠层组装制备方法,包括将预开窗的背面胶膜叠放在背面玻璃上,背面玻璃设置有预制电路,预制电路设置有导电焊盘,背面胶膜的开窗位适配于导电焊盘;将多片设置有导电焊点的电池片叠放在背面胶膜上,导电焊点与导电焊盘的位置相适配;...
  • 本发明公开一种XBC光伏电池制备方法,包括提供正面玻璃、背面玻璃、正面胶膜、背面胶膜、接线盒和多片电池片,背面玻璃上设置有预制电路,预制电路包括互联条和汇流条,互联条上设置有导电焊盘,汇流条上设置有引出触点,电池片上设置有导电焊点,背面胶膜...
  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种低UVID的背接触电池及其制备方法,包括:S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层;S3、形成第二半导体开口区;S4、制绒清洗;S5、采用远程等离子体源,在远程等离子设备中对硅片正面进行磷烷处理...
  • 本发明公开抗冰雹TOPCon光伏组件的多层复合玻璃层压装置及方法,包括底座,支撑脚和操作台,所述操作台的侧壁两端均固定设有真空机,所述底座的侧壁处固定设有控制组件,所述控制组件的侧壁固定设有连接箱,所述连接箱的内部设有多个压板,该抗冰雹TO...
  • 本发明公开基于单层反蛋白石结构二氧化锡/碲硒合金薄膜异质结的光电传感器件及其制备方法和应用,属于多功能光电传感器应用领域。该器件集光探测、光通信、生理监测等多功能于一体。单层反蛋白石结构二氧化锡作为电子传输层用于碲硒合金薄膜光电传感器中,增...
  • 本申请涉及光伏领域,本申请实施例提供一种焊带及光伏组件,该焊带包括铝层,铝层具有沿其厚度方向相对分布的第一表面和第二表面,第一表面与第二表面中的至少一者设置有凹陷部,凹陷部沿焊带的长度方向延伸;铜层,铜层沿铝层的周向包裹于铝层的外表面,铜层...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种电池组件及光伏系统,该电池组件,包括:若干电池串、玻璃板和反光层;每个电池串包括若干电池片,每个电池片包括具有倒角的倒角边和没有倒角的直边,电池片中倒角边和直边相对,多个电池片沿第一方向依次排列;若干电池...
  • 本发明公开了一种XBC光伏电池组件,包括背面玻璃、电池片和背面胶膜,背面玻璃设置有预制电路,预制电路包括相连的互联条和汇流条,互联条上设置有导电焊盘,汇流条上设置有引出触点;电池片设置有导电焊点,电池片与背面玻璃层叠设置,导电焊点与导电焊盘...
  • 本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法,半导体器件可以包括碳化硅本体、栅极沟槽、本体区、源极区以及屏蔽区,栅极沟槽开设于碳化硅本体的第一表面;本体区构成栅极沟槽的部分侧壁;源极区构成栅极沟槽的部分侧壁,源极区位于本体区与第一表面之间;...
  • 本申请公开了一种整流二极管芯片的生产方法,涉及芯片生产领域,其首先遵循标准的芯片制造流程,包括N型硅晶圆的初始氧化处理以形成二氧化硅层,随后通过光刻、刻蚀形成窗口区域,接着进行P型掺杂扩散以形成关键的P‑N结,并辅以结终端玻璃钝化和金属层制...
  • 本发明属于散热领域,具体涉及到一种吸吹分离射流散热装置及方法,其中吸吹分离射流散热装置包括射流激励器、单向吸入通道和单向冷却射流通道;射流激励器具有射流口,射流口的端部设置有空腔;单向吸入通道的出口端连通于空腔的壁面;单向冷却射流通道为锥形...
  • 本发明公开了基于壳体内壁沟槽结构的微型流体散热装置及电子设备。所述散热装置包括吸热流道模组、释热流道模组和驱动元件。所述吸热流道模组呈多层复合膜结构。释热流道模组包括封口膜,以及开设在电子设备壳体内侧面上的凹槽流道。所述封口膜固定在电子设备...
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