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最新专利技术
  • 一种左手传输线、CRLH移相器、天线以及基站
    一种左手传输线、CRLH移相器、天线以及基站_大唐移动通信设备有限公司_202410294392.0
    本申请实施例提供了一种左手传输线、CRLH移相器、天线以及基站。涉及微波技术领域，左手传输线包括传统右手传输线、第一接地电感、第二接地电感、第一贴片电容、第二贴片电容以及第三贴片电容，第一接地电感与第二接地电感的电感值相同，第二贴片电容与第...
    2025-10-12
  • 电池单体、电池和用电装置
    电池单体、电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410294838.X
    本申请公开了一种电池单体、电池和用电装置，电池单体包括电解液，电解液包括电解质盐和溶剂，溶剂包括式I所示的氟代磺酰胺类溶剂，R1为C原子数为2至7的氧杂亚烷基，R1与N原子连接形成4至8元环，且R...
    2025-10-12
  • 电池单体、电池和用电装置
    电池单体、电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410294547.0
    本申请公开了一种电池单体、电池和用电装置，电池单体包括电解液，电解液包括溶剂，溶剂包括式I所示的氟代醚溶剂，R1为C1‑C5的烷基；R2为C1‑C5的亚烷基；R3为H原子、F...
    2025-10-12
  • 电解液添加剂及其应用
    电解液添加剂及其应用_北京车和家汽车科技有限公司_202410295466.2
    本申请提出一种电解液添加剂及其应用，其中电解液添加剂包括吡咯烷硝酸盐类化合物，所述吡咯烷硝酸盐类化合物具有式Ⅰ所示的结构：
    2025-10-12
  • 钠二次电池电池和用电装置
    钠二次电池电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410294593.0
    本申请公开了一种钠二次电池和用电装置，所述钠二次电池包括正极活性材料，所述正极活性材料包括钠离子层状过渡金属氧化物，所述钠离子层状过渡金属氧化物中掺杂有R元素，所述R元素包括Ti、Al、Mg、Zr或Zn中至少之一，所述表面选区中R元素占除N...
    2025-10-12
  • 一种硅基负极材料及其制备方法和应用
    一种硅基负极材料及其制备方法和应用_溧阳天目先导电池材料科技有限公司_202410291835.0
    本发明实施例涉及一种硅基负极材料及其制备方法和应用，硅基负极材料包括：硅碳基质，以及以原子级别均匀分布在硅碳基质中的掺杂元素；硅碳基质包括多孔碳和均匀分布于多孔碳的孔隙中和表面上的硅；掺杂元素包括：C、N、B、F、S、C l、A l、P中的...
    2025-10-12
  • 一种锂复合负极及其制备方法和应用
    一种锂复合负极及其制备方法和应用_天津中能锂业有限公司_202410296557.8
    本发明提供一种锂复合负极及其制备方法和应用。本发明的锂复合电极包括：集流体膜材和附着于所述集流体膜材的至少一个表面上的活性物质层，其中所述活性物质层中的活性物质为金属锂或锂合金，并且所述集流体膜材为满足以下条件的碳纳米管膜：催化剂金属的含量...
    2025-10-12
  • 正极极片及其制备方法、电极组件以及电池和用电装置
    正极极片及其制备方法、电极组件以及电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410294488.7
    本申请公开了一种正极极片及其制备方法、电极组件以及电池和用电装置。正极极片包括正极集流体，正极集流体至少一个表面上设置有正极活性层，正极活性层沿长度方向包括多个间隔设置的预定弯折区，正极活性层的至少一个预定弯折区远离正极集流体的表面设置有离...
    2025-10-12
  • 半导体器件及存储器系统
    半导体器件及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410295874.8
    本申请提供一种半导体器件及存储器系统，半导体器件包括：半导体结构及保护结构，保护结构在第一方向上与半导体结构堆叠；保护结构包括第一保护层、第二保护层及第一应力引导件，第二保护层位于第一保护层远离半导体结构的一侧，第二保护层与第一保护层间隔设...
    2025-10-12
  • 晶圆夹持装置
    晶圆夹持装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410294844.5
    本发明揭示一种晶圆夹持装置，包括卡盘基座、多个夹持件、传动轮盘、轮盘驱动件、动力件和第一弹性件；卡盘基座包括承载面板和背板，以及内部空间；传动轮盘用于带动多个夹持件自旋转至打开位置和闭合位置之间的任意位置；用于驱动传动轮盘转动；第一弹性件的...
    2025-10-12
  • 晶舟及炉管设备
    晶舟及炉管设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410294867.6
    本发明公开了一种晶舟及炉管设备，晶舟用于在炉管设备中承载沿竖直方向间隔分布的多层基板，其包括：多个加热器，沿所述竖直方向间隔分布；所述加热器被配置为：当所述晶舟承载所述基板时，所述加热器对所述基板的中部区域进行加热。通过本发明的晶舟能够提高...
    2025-10-12
  • 基板处理装置
    基板处理装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410295283.0
    本发明提出一种基板处理装置，包括控制机构；夹持机构；喷头机构；旋转驱动机构；加热机构；以及温度监测机构，包括第一温度监测单元，第一温度监测单元被配置为：在液体喷头沿基板的径向方向由基板中心向基板边缘移动并向基板表面连续喷液的过程中，当液体喷...
    2025-10-12
  • 基片清洗装置及方法
    基片清洗装置及方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410295274.1
    本发明公开了一种基片清洗装置及方法，涉及半导体设备技术领域，一种基片清洗装置，包括：清洗单元，所述清洗单元包括旋转载具和清洗喷嘴，所述旋转载具用于承载基片并带动所述基片旋转，所述清洗喷嘴用于向基片喷射清洗液，以对基片进行清洗；取液单元，被配...
    2025-10-12
  • 一种刻蚀选择比的测量方法
    一种刻蚀选择比的测量方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410291806.4
    本发明提供一种刻蚀选择比的测量方法，包括：提供基底，在基底上依次形成设定厚度的第二材料层与第一材料层；对第一材料层进行刻蚀，采集刻蚀反应物或生成物的光谱信号的强度值刻蚀时间；对第二材料层进行次刻蚀，采集刻蚀反应物或生成物的光谱信号的强度值得...
    2025-10-12
  • 碳化硅晶圆的制造方法
    碳化硅晶圆的制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202410289950.4
    一种碳化硅晶圆的制造方法包含以下步骤。在第一碳化硅基材上形成碳化硅磊晶层。使用离子注入工艺在该碳化硅磊晶层中形成热分割层。使用暂时基板粘合碳化硅磊晶层。加热使热分割层分解，而使碳化硅磊晶层分割为上碳化硅磊晶层及下碳化硅磊晶层。对粘合于暂时基...
    2025-10-12
  • 一种改善器件阈值电压与饱和电流均匀性的方法
    一种改善器件阈值电压与饱和电流均匀性的方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410291662.2
    本发明提供一种改善器件阈值电压与饱和电流均匀性的方法，包括：获取已完成器件制作的第一晶圆上的阈值电压或饱和电流的数值分布状况；根据数值分布状况，将待制作器件的第二晶圆分为多个区域；在制作器件对第二晶圆进行离子注入时采用晕环离子注入结合Sup...
    2025-10-12
  • 隔离组件、上电极装置及半导体加工设备
    隔离组件、上电极装置及半导体加工设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410296212.2
    本发明提供一种隔离组件、上电极装置及半导体加工设备。隔离组件用于将半导体加工设备中的第一电极件和第二电极件电绝缘，隔离组件包括隔离主体，隔离主体中设置有用于传输清洁气体的气体通道，气体通道具有至少一个出气口，至少一个出气口位于隔离主体的至少...
    2025-10-12
  • 转换开关
    转换开关_上海正泰智能科技有限公司_202410289363.5
    一种转换开关，包括外壳、驱动系统和导电系统，每个导电系统包括两组触头机构、进线组件和出线组件，两组触头机构在第一方向上间隔设置，在第二方向上，每组触头机构连接在进线组件与出线组件之间，每组触头机构包括在第一方向上间隔相对的动触头组件和静触头...
    2025-10-12
  • 磁性线圈模组及电连接器
    磁性线圈模组及电连接器_富士康(昆山)电脑接插件有限公司_202410294773.9
    本发明公开了一种磁性线圈模组及电连接器，所述磁性线圈模组包括第一磁芯、第二磁芯、缠绕在所述第一磁芯、第二磁芯上的若干漆包线，所述漆包线在所述第一磁芯上绕设形成变压器，所述漆包线在所述第二磁芯上绕设形成共模扼流圈，所述变压器与所述共模扼流圈电...
    2025-10-12
  • 一种复合材料固化过程中的非均匀应变场重构方法及系统
    一种复合材料固化过程中的非均匀应变场重构方法及系统_武汉理工大学_202410291315.X
    本发明公开了一种复合材料固化过程中的非均匀应变场重构方法及系统，包括：建立测量应变分布的传感器监测系统，采集应变分布信号，通过转换得到实际反射光谱，作为标准反射光谱；利用Matlab算法工具箱，生成应变分布曲线，通过计算，得到对应的反射光谱...
    2025-10-12
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