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  • 本发明涉及一种胰腺炎预后数据的处理方法与系统,其中,该方法包括:获取不同类型胰腺炎患者的腹部CT图像和临床医学检验指标;从腹部CT图像中提取腹腔积液所占的面积;计算临床医学检验指标与患者住院天数的相关性;筛选出相关性在设定范围内的临床医学检...
  • 本发明涉及数据分析技术领域,具体公开了一种历史问诊数据柔性筛除方法及系统,所述方法包括对任一患者,查询其身份标识,根据身份标识读取该患者的问诊数组并基于时间标识进行排序,得到问诊数组序列;根据问诊数组序列确定各个数据的局域重要度;对所有问诊...
  • 本发明属于压水堆核电厂技术领域,具体涉及一种核电厂大修下行期间一回路氢反弹后的除氢方法,该方法包括:步骤1、评估溶解氢的下降速率,确定除氢方式;步骤2、化学除氢前条件确认;步骤3、双氧水添加量计算与控制,进行化学除氢;步骤4、根据主系统溶解...
  • 本发明公开了一种极高磁场用铌三锡复合线的制备方法及复合线,涉及超导复合线技术领域,包括以下步骤:形成NbTi单芯棒;将六方无氧铜棒、NbTi单芯棒密排进Nb管中,再整体组装进无氧铜管中,形成复合棒;形成复合管;将SnCu合金棒装入复合管的中...
  • 本发明公开了一种多芯Nb3Sn复合线制备方法及复合线,方法包括:将Nb棒装进无氧铜管得到CuNb单芯棒;将CuNb单芯棒和六方铜芯棒在CuMn合金管中依次间隔排列得到多芯CuNb复合包套然后加工成CuNb复合棒;将Cu...
  • 本发明公开了一种高性能多芯铌三锡复合线的制备方法及复合线,涉及超导复合线技术领域,包括以下步骤:分别将Nb棒、NbTaHf棒装进无氧铜管,制备CuNb单芯棒和掺杂型CuNb单芯棒,将六方铜芯棒、CuNb单芯棒和掺杂型CuNb单芯棒装入NbT...
  • 本发明公开了一种超可拉伸自愈合聚硅氧烷柔性电极的制备方法,利用儿茶酚胺对碳纳米管进行表面改性,得到儿茶酚胺修饰改性过的碳纳米管,记为CNT‑PA;采用异氰酸酯二聚物对CNT‑PA进行表面接枝改性,得到CNT‑PA‑DI;将氨基聚硅氧烷和CN...
  • 本发明公开了一种电永磁铁充退磁控制电路及其控制方法,包括若干运放、若干二极管、若干场效应管、若干电阻;运放U1同相端和电阻R2一端连接,反相端和参考信号Vref_1连接,输出端和充磁辅控信号Port_1连接;运放U2反相端和电阻R4一端、电...
  • 一种粘连磁芯自动分离机构,包括机架,所述机架上安装有振动出料的上料机构、夹持机构、掰断机构、下料仓,所述上料机构的出口处设置有能夹持住粘连磁芯工件的所述夹持机构,所述夹持机构的前侧设置有与其配合进行磁芯分离的所述掰断机构,所述掰断机构的下方...
  • 本发明公开了一种钠离子电容容量调节装置及方法,属于电容器技术领域。一种钠离子电容容量调节装置,包括壳体、定电极片、调节轴、动电极片、圆形腔、卡盘、开口槽、填充腔和网孔;本发明一方面通过旋转调节轴改变动电极片与定电极片重叠面积,实现容量无级调...
  • 本发明是关于一种梯度直径微通道板及其制备方法和应用,其中的制备方法的步骤包括:将透明材料制成片状的基板;使用飞秒激光在基板上加工锥形阵列微孔,得到梯度直径基板;加工锥形阵列微孔时,入口端先刻蚀形成开口,然后再逐步均匀收缩直径至出口端,入口端...
  • 本公开涉及等离子体处理技术领域,提供等离子体处理设备及离子过滤调节方法,设备包括:等离子体发生腔;反应腔内设有载台;离子过滤件覆设于等离子体出口,电性连接于可调直流电压源并与所述等离子体发生腔之间保持绝缘;离子探测件环绕载台外周侧面中心对称...
  • 本发明涉及存储芯片封装技术领域,揭露了一种模块化集成封装技术用于存储芯片的高密度组装方法,包括:获取待组装存储芯片与封装元件,经高精度扫描获几何形状数据,构建组装模型;对芯片定义装配约束得装配关系,搜索优选路径,构建并分割组装空间,经碰撞测...
  • 本发明提供一种功率半导体芯片回流焊方法及系统。功率半导体芯片回流焊方法包括:将待焊接的功率半导体芯片放置于回流炉中,且令待焊接的功率半导体芯片与焊料贴合;执行加热操作;执行抽气操作;执行冷却操作;将功率半导体模块取出。执行第i次抽气后达到气...
  • 本发明提出一种防焊干膜的测试方法,步骤包括:调制膜层涂料并涂覆膜层涂料至基底上,得到预处理膜体;对预处理膜体进行固化操作,形成防焊层,依据固化操作中预处理膜体的防焊层的热应力变化数据调节固化数据,直至防焊层的热应力变化数据处于预设范围内,得...
  • 本申请涉及一种用于测量晶圆键合强度的半导体结构及测量方法,所述测量方法:在第一晶圆内形成贯穿部分第一侧面和部分第一键合面的第一测量通道,在第二晶圆内形成贯穿部分第二侧面和部分第二键合面第二测量通道;将第一晶圆和第二晶圆通过第一键合层和第二键...
  • 本申请公开一种半导体工艺设备,属于半导体加工技术领域。所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、保温层、第一排气装置和第二排气装置;保温层包裹工艺腔室,且两者之间具有气流间隙,保温层上间隔设有进气通道、第一排气口和第二排气口,第一排气口和第二排气...
  • 本发明公开了一种垂向运动集成装置及半导体设备,该垂向运动集成装置包括:宏动抬升机构,包括底板、第一楔形件、第二楔形件、第一驱动件,第一驱动件用于驱动第一楔形件移动以使第二楔形件做垂向宏动运动;微动机构,包括第二驱动件、弹性件、载台,第二驱动...
  • 本发明公开了一种集成电容与PMIC芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法,该封装结构将PMIC芯片和LSI芯片分别嵌入两层塑封层,PMIC芯片和LSI芯片均具有TSV通孔,两层塑封层之间加工有电容电路及中间重布线层,形成了双层塑封通孔中介层,在...
  • 本发明涉及新材料技术领域,具体涉及一种具有梯度离子电导率的离子交换膜的制备方法。选取两种离子传导聚合物A和B,聚合物A的离子电导率高于聚合物B的离子电导率;将聚合物A和B分别溶于溶剂形成制膜液;将制膜液分别倒入培养皿,蒸发溶剂基本定型成为初...
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