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  • 本发明公开了一种天地一体化铁路移动通信的切片负荷均衡方法及装置,所述方法包括以下步骤:S1.确定天地一体化铁路移动通信系统网络覆盖方案;S2.设计天地一体化铁路移动通信系统网络切片总体方案;S3.对不同状态的终端进行切片负荷均衡。本发明通过...
  • 本申请涉及无线通信技术领域,公开了一种基于网络孪生的网络接入方法、装置、设备及存储介质,包括:响应于目标用户的业务请求,获取业务请求的速率需求和目标用户的历史签约数据;根据速率需求和历史签约数据生成与各所述业务请求的最优服务合约;基于最优服...
  • 本发明涉及一种用于多变室内环境的WIFI指纹定位方法和系统,方法包括:采集用户的在线数据;将所述用户的在线数据输入室内定位模型,输出定位结果;其中,所述室内定位模型通过特征提取网络和分类器构建并通过若干多域指纹数据训练获得,所述特征提取网络...
  • 本发明涉及可信宽窄带融合一体化无线组网技术领域,具体为一种可信宽窄带融合一体化无线组网的方法及系统,其方法包括:先建立可信宽窄带融合的无线组网组件、宽带数据和窄带数据的下端共同连接有数据校验;其系统包括应用层、接入层、汇聚层和设备层。本申请...
  • 本发明提供了一种传感数据控制方法及系统,涉及照明控制技术领域。该方法包括步骤:获取当前住宅环境的实时环境数据集合;识别当前活动用户的用户标识;根据用户标识,在行为模式库中查找与实时环境数据集合相似度最高的历史行为模式记录;根据历史行为模式记...
  • 本发明涉及印刷电路技术领域,公开了一种印刷电路生产蚀刻设备,包括蚀刻池和安装架,所述蚀刻池中部设置有安装架,所述安装架底部安装有多个夹持板,所述蚀刻池内部安装有具有清理作用的池内清理件,所述蚀刻池端部安装有用于驱动电路板往复移动的往复机构,...
  • 本发明公开了一种广告投放用LED显示屏外部防护连接组件,包括:防护组件,包括防护框和底座,所述防护框的顶部活动设置有玻璃罩;收纳机构,用于实现LED显示屏的收纳与防护;拆装机构,用于实现LED显示屏的快速拆装。本发明第一齿轮外侧连接的连杆带...
  • 本发明提供一种晶体管结构及其制作方法,其中,晶体管结构包括:衬底基板,异质结膜层和电极层;电极层包括:栅极部、源极部及漏极部;晶体管结构还包括:第一介质层和第二介质层,第一介质层与第二介质层耦接,第一介质层和第二介质层均位于异质结膜层背向衬...
  • 本发明公开了一种均匀矩阵GGNMOS结构和半导体器件,所述GGNMOS结构包括衬底、注入于所述衬底内的Pwell、中心N+、多个边缘N+、多个P+和多晶硅栅。其中,中心N+注入于Pwell内;多个边缘N+分别注入于Pwell内,并对应位于中...
  • 本发明公开了一种均匀阵列栅极接地NMOS结构和半导体防护器件,所述均匀阵列栅极接地NMOS结构包括衬底、注入于衬底上的P型well掺杂类型阱区、中心N型重掺杂有源区、多个边缘N型重掺杂有源区、环形P型重掺杂有源区和多晶硅栅。其中,中心N型重...
  • 本发明公开了一种环状阵列GGNMOS结构和静电放电防护器件,所述GGNMOS结构包括衬底、注入于所述衬底上的Pwell、多个阵列N+、多个第一多晶硅栅、多个阵列P+和多个第二多晶硅栅;多个阵列N+均注入于Pwell上,并阵列并邻接设置,且相...
  • 本发明提供一种混合沟道叉片晶体管的制备方法,属于超大规模集成电路先进节点制造技术领域。本发明通过在晶体管制作过程中对材料沉积技术与选择性腐蚀技术的使用,实现在叉片晶体管Fork‑sheet隔离墙的两侧,NMOS和PMOS分别采用Si和SiG...
  • 本发明涉及一种基于石墨烯碲化镍异质结构的太赫兹光电探测器及其制备方法,太赫兹光电探测器由上至下依次包括上层石墨烯、碲化镍和下层石墨烯三层材料,构成异质结,并通过四端金属电极实现多路径电流采集。其制备方法是通过紫外光刻技术光刻四端电极结构,再...
  • 一种CoAl2O4基异质结薄膜的光伏型光电逻辑门器件及其制备方法,本发明是为了解决传统光电逻辑门器件响应波段受限、需要外部偏压来驱动、能耗较大且逻辑功能单一的问题。本发明CoAl2
  • 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物双色分辨探测器、成像阵列及成像方法,该探测器包括衬底层、宽禁带层、窄禁带层、电极阴极和电极阳极。该阵列包括多个并列设置的Ⅲ族氮化物双色分辨探测器。该方法包括:光信号从探测器顶部入射,入射光中长波长成分在窄禁带层被吸...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,尤其是涉及一种光学传感器封装结构及其制备方法。光学传感器封装结构包括透光性的塑封层将光学元件及其他元件的固定,避免光学传感器封装结构晃动、碰撞时,所述光学元件和所述第一布线层之间的解键合,导致的光学传感器封装结...
  • 一种基于MgZnO/Nb2O5异质结光敏感层的高性能肖特基型紫外探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。从下到上由SiO2/ITO衬底、在ITO表面生长的MgZnO纳米...
  • 本发明涉及发光二极管的技术领域,公开了一种提高抗水解性能的LED外延结构及其制备方法,包括衬底,所述衬底上依次设置有缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层;其中,所述N型半导体层包括依次层叠的第一N型...
  • 本公开提供了一种微发光二极管的制备方法、驱动基板和微发光二极管,该方法包括:制备带有焊盘的驱动基板及多个发光二极管芯片;在驱动基板上覆盖目标厚度的光显型材料,其中目标厚度大于第一厚度、且小于或等于第二厚度,第一厚度为基于焊盘的厚度和焊接金属...
  • 本申请提供一种背板结构及其制造方法、显示面板、显示装置,背板结构包括显示背板、显示背板上的背板电极、背板电极上的焊接结构,焊接结构用于焊接连接发光元件,包括在远离显示背板的方向上依次层叠的底部焊料、绝缘层和顶部焊料,绝缘层具有开口,开口中填...
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