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  • 本发明公开了一种电源,涉及能源领域,解决了现有温差发电方式适应性差、发电效率低且不能持续可靠供电的技术问题。它包括连接件、散热结构和温差发电结构,所述散热结构可拆卸安装在连接件外部,所述散热结构和连接件之间设有温差发电结构,所述连接件设有导...
  • 本发明公开了一种基于时频域分析和小波变换的光伏拉弧检测方法及系统,涉及光伏发电系统安全检测技术领域,包括实时采集光伏板电流数据,计算电流数据的高频信号并与报警阈值进行比较;对电流数据进行小波分解,并记录小波系数;经过小波细节系数计算、时域信...
  • 本发明公开了一种基于可重构全息器件的共生无线电网络分布式多址接入系统,包括:环境网络(BS/UE)和由K个可重构全息器件(RHD)及IoT接收机(IR)构成的IoT网络;每个RHD集成天线、负载调制器和可重构全息表面(RHS),通过激活亚波...
  • 本发明公开了一种基于可重构全息表面(RHS)辅助的共生无线电网络混合波束赋形方法和系统,包括:构建以RHS为发射天线的通信架构,消除双重路径损耗;设计双模式信号解调策略,策略I采用MMSE‑SIC联合MRC技术实现先解调环境信号,并通过SI...
  • 本发明公开了空天地网络中UAV智能匹配与韧性增强的通信管理方法,获取待分配物联网设备数目、无人机数目、信道数目,构建系统容量、传输速率计算模型;物联网设备通过无人机进行通信,空天地一体化网络负责管理无人机飞行速率与区域,构建无人机匹配与轨迹...
  • 本发明涉及通讯控制技术领域,公开了充电器内部电路TTL转CAN通信滤波控制方法,包括以下步骤:S1、预设CAN物理链路抗干扰:CAN信号线双绞并套磁环;S2、实时获取CAN链路当前干扰特征并量化为干扰特征向量;S3、实时评估CAN链路当前通...
  • 本发明涉及基于多机制融合的复杂地下工事PNT系统抗重放攻击方法,包括:对PNT系统进行日期过滤以及序列号检测;利用随机数机制对检测后的数据包进行验证;利用会话机制对随机数验证后的数据包进行传输,并在传输过程中对数据包进行加密和签名处理。本发...
  • 本发明公开了一种基于移动端的轻节点参与以太坊共识的验证方法,通过降低普通用户参与区块链共识机制的技术门槛,允许智能手机等移动设备通过轻节点形式参与以太坊区块验证过程并获得奖励,本发明使移动端与以太坊网络中的验证者节点连接;在每个新区块生成前...
  • 本发明提供了一种虚拟化平台扩容云化部署方法及系统,涉及云计算与虚拟化技术领域,通过采集虚拟机运行数据,构建实时监控数据集,分析资源依赖关系和数据流动模式,确定部署位置坐标,根据流量分配峰值和依赖权重,动态调整部署策略和安全防护配置。本发明采...
  • 本发明公开了一种基于多运营商的物联网卡智能管理方法及系统,涉及多运营商网络协同管理领域,包括,采集网络服务质量数据、网络状态、多运营商网络和可用带宽指标,将设备标识和业务类型加密后发送至智能管理平台,分配虚拟用户识别模块身份,生成终端专属密...
  • 本发明公开了一种消防设备电源监控及报警系统,涉及电气安全与智能监控技术领域,包括:多源数据同步采集模块:用于同步采集电气参数数据与环境数据;环境因子建模与补偿处理模块,根据获取的环境信息构建反映电源线路工作环境状态的补偿系数;异常特征提取与...
  • 本申请涉及门禁授权技术领域,本申请提出了一种缓存装置、服务器、门禁终端、门禁系统,该方案通过在门禁系统中集成缓存装置,并利用该缓存装置获取用户的当前通行授权数据来更新去自身存储的用户的历史通行授权数据,以及查询到门禁终端不能从服务器中获取用...
  • 本申请实施例公开了一种自动化操作执行方法、装置及终端,属于射频技术领域。所述方法包括:确定终端中至少一个天线的实时负载反射系数;基于所述至少一个天线的所述实时负载反射系数,确定所述终端的实时握持手势;在所述实时握持手势与预设握持手势匹配的情...
  • 本申请实施例提供了一种对投影仪的测试方法、装置、系统、测试设备及介质,涉及测试技术领域,本申请实施例的技术方案包括:获取对投影屏幕进行拍摄得到的采集图像,其中投影屏幕包括待测试投影仪投射的测试图像,测试图像包括测试线段。然后对采集图像进行图...
  • 本申请实施例提供了一种用户行为模拟方法及电子装置,该方法包括:根据构建的用户行为模型生成目标用户实例;通过目标用户实例在目标网络中模拟用户行为,其中,目标用户实例为移动网络中真实用户行为的模拟实体。因此,通过本申请实施例可以解决传统的仿真环...
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法,其中,半导体器件包括:衬底;沟道层;势垒层;第一栅极结构和第二栅极结构,间隔位于势垒层远离衬底的一侧;第一钝化层,第一钝化层包括第一开口,第一开口位于第一栅极结构和第二栅极结构之间,第一开口暴露势垒层...
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法,其中,半导体器件包括:衬底;位于衬底一侧的沟道层和势垒层;栅极结构,位于势垒层远离衬底的一侧;第一钝化层,第一钝化层包括第一开口和第二开口,第一开口和第二开口分别位于栅极结构的两侧,第一开口和第二开口...
  • 本发明公开了一种功率器件及其制备方法,功率器件包括:栅极结构,栅极结构包括掺杂的氮化物半导体层和栅极;掺杂的氮化物半导体层覆盖部分势垒层;栅极覆盖部分掺杂的氮化物半导体层;第一应变层位于栅极远离衬底的一侧,第一应变层覆盖栅极的侧面、栅极远离...
  • 本申请提供一种光电器件及其制备方法。光电器件包括至少一个光电器件单元,每一个光电器件单元包括光电二极管、波长转换层及反射层。光电二极管具有相互背离的入光侧和背光侧。波长转换层位于光电二极管的背光侧,波长转换层用于对自光电二极管入光侧入射并经...
  • 本发明公开了一种LED全彩器件及LED全彩器件的制作方法,LED全彩器件包括依次层叠的色转换层、键合层和芯片阵列;色转换层包括若干个量子点色转换结构,任意一个量子点色转换结构包括光转换层;芯片阵列包括依次层叠的缓冲层、N型半导体层、多量子阱...
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