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最新专利技术
  • 整合封装结构
    整合封装结构_立锜科技股份有限公司_202410898538.2
    本发明公开一种整合式封装结构， 包含集成电路封装结构及电感元件。集成电路封装结构包含基板、芯片、接线端子及包覆材料。芯片设置于基板上， 以倒装封装方式与基板连结， 其中芯片的背部朝上。接线端子设置于基板上。包覆材料包覆于基板上， 且暴露芯片...
    2026-03-23
  • 封装内的管芯和模制材料上方的气密层
    封装内的管芯和模制材料上方的气密层_英特尔公司_202510231483.4
    封装内的管芯和模制材料上方的气密层。本文中的实施例涉及用于在半导体封装内施加气密层以防止或减轻湿气跨材料的层的迁移的系统、装置或过程。在实施例中， 气密层可以包括氮化物并且可以是介电层。气密层可以被放置在由填充材料围绕的一个或多个管芯的顶部...
    2026-03-23
  • 功率模块
    功率模块_旭化成微电子株式会社_202510334419.9
    本发明提供一种功率模块。功率模块可以具备：绝缘基板；第一功率半导体， 搭载于绝缘基板；第一导体， 在俯视时至少一部分与第一功率半导体重叠， 与第一功率半导体的第一端子电连接， 沿着绝缘基板的面在第一方向上延伸；电流传感器， 以在俯视时至少一...
    2026-03-23
  • 一种塑封芯片封装方法及塑封芯片封装结构
    一种塑封芯片封装方法及塑封芯片封装结构_广东台进半导体科技有限公司_202510893871.9
    本发明提供的塑封芯片封装方法及塑封芯片封装结构， 其包括基板， 基板上沿第一方向依次设置有第一芯片、中间芯片及第二芯片；中间芯片的至少一引脚通过第一引线与第一芯片电连接， 第一芯片通过第二引线与基板电连接；中间芯片的至少另一引脚通过第三引线...
    2026-03-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510906281.5
    公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：层间绝缘层， 设置在基底上；多个中部互连件， 设置在层间绝缘层中；垫， 设置在层间绝缘层上；上部互连件， 设置在层间绝缘层上；保护绝缘层， 覆盖垫的边缘、上部互连件以及垫与上部互连件之间的水平的间隙...
    2026-03-23
  • 晶上系统的封装结构及其制作方法
    晶上系统的封装结构及其制作方法_深圳市中兴微电子技术有限公司_202511167333.8
    本发明实施例提供了一种晶上系统的封装结构及其制作方法， 涉及系统级超大封装的技术领域。其中， 该封装结构包括：转接板， 背面设置有微通道沟槽、密封结构， 正面设置有第一金属布线层；第一散热模块， 与所述微通道沟槽连通， 以循环冷却液；至少一...
    2026-03-23
  • 封装结构和电子设备
    封装结构和电子设备_华为技术有限公司_202410391038.X
    本申请实施例提供了一种封装结构和电子设备， 涉及电子设备技术领域。其中， 封装结构包括基板、多层芯片和散热组件。多层芯片层叠设置在基板上。散热组件包括第一散热层、第二散热层和连接部， 第一散热层设于多层芯片中至少一层芯片的靠近基板的一侧， ...
    2026-03-23
  • 半导体模块
    半导体模块_JMJ韩国株式会社_202411711424.9
    本发明公开一种半导体模块， 包括：多层绝缘基板， 利用相互绝缘的两层以上的金属层和形成为供一个以上的第一半导体部件插入的插入槽构成， 并通过在金属层夹设接合层而使一个以上的第一半导体部件的一表面或另一表面电连接；绝缘材料， 在插入槽内包围第...
    2026-03-23
  • 一种具有局部散热通道的二极管限幅器及其制备方法
    一种具有局部散热通道的二极管限幅器及其制备方法_武汉大学_202510802983.9
    本发明公开了一种具有局部散热通道的二极管限幅器及其制备方法， 涉及二极管增幅器技术领域。本发明提供的二极管限幅器， 目的在于提供一种散热能力强、耐功率水平高的二极管限幅器。本发明在限幅器局域热点二极管正下方的衬底上刻蚀出局部散热通道， 在局...
    2026-03-23
  • QFN封装结构及其制造方法
    QFN封装结构及其制造方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202510892412.9
    本发明涉及QFN封装相关技术领域， 具体为QFN封装结构及其制造方法， 包括封装结构主体、散热片和引脚， 封装结构主体用于对芯片结构进行封装， 封装结构主体的下侧面预留有散热片安装槽， 且封装结构主体的侧边及下侧面的边缘处预留有引脚安装槽，...
    2026-03-23
  • 封装结构以及封装结构的形成方法
    封装结构以及封装结构的形成方法_长电微电子(江阴)有限公司_202510897327.1
    一种封装结构以及封装结构的形成方法， 在封装结构通过在导热块顶部和芯片顶部形成散热结构， 还使得芯片顶部产生的热量能够直接被散热结构吸收和传导， 更重要的是， 导热块从芯片侧壁吸收并传导至其顶部的热量， 也能够汇入散热结构中， 也就是说芯片...
    2026-03-23
  • 散热器及其设计方法、散热模组和电子设备
    散热器及其设计方法、散热模组和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202510914409.2
    本公开涉及一种散热器及其设计方法、散热模组和电子设备， 该方法包括：获取待散热芯片的温度分布图；根据温度分布图获取待散热芯片的第一温度区和第二温度区；其中， 第一温度区的温度大于第二温度区的温度；根据第一温度区和第二温度区设计散热器的第一冷...
    2026-03-23
  • 芯片及其制备方法、半导体器件和电子设备
    芯片及其制备方法、半导体器件和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202510914413.9
    本公开涉及一种芯片及其制备方法、半导体器件和电子设备， 该芯片包括第一温度区域和第二温度区域， 第二温度区域的温度大于第一温度区域的温度；芯片还包括微通道， 微通道包括用于第一温度区域冷却的多个第一微流体通道和用于第二温度区域冷却的多个第二...
    2026-03-23
  • 一种半导体放电二极管的芯片叠加封装工艺及其封装结构
    一种半导体放电二极管的芯片叠加封装工艺及其封装结构_苏州亿芯微电子技术有限公司_202510694518.8
    本发明公开了一种半导体放电二极管的芯片叠加封装工艺及其封装结构， 包括：芯片组， 设置于所述芯片组外部的密封组件， 其特征在于， 所述芯片组包括底层芯片， 设置于所述底层芯片上方的中层芯片， 以及设置于所述中层芯片上方的顶层芯片；所述底层芯...
    2026-03-23
  • 一种控制芯片的散热结构
    一种控制芯片的散热结构_杭州拓尔微电子有限公司_202510832275.X
    本发明涉及芯片散热技术领域， 具体涉及一种控制芯片的散热结构， 包括安装机构、外壳组件、芯片组件和散热组件；所述安装机构安装在控制器的内部， 所述外壳组件安装在安装机构的中间， 所述芯片组件安装在外壳组件的下面， 所述散热组件安装在安装机构...
    2026-03-23
  • 应用于电子芯片的复合型散热装置
    应用于电子芯片的复合型散热装置_克拉玛依碳和网络科技有限公司_202510694404.3
    本发明专利公开了一种应用于电子芯片热管理的复合型散热装置， 主要由液冷散热器和蒸发冷凝式换热器构成。液冷散热器内部含有液体流道， 并与进液口和出液口相连通， 冷却液体由进液口进入散热器， 并在内部流道中流动， 同时带走蒸发冷凝式换热器的热量...
    2026-03-23
  • 一种碳化硅功率模块
    一种碳化硅功率模块_武汉大学_202510809263.5
    本发明公开一种碳化硅功率模块， 包括顶部金刚石微流道散热层、底部金刚石微流道散热层、上层金刚石层、中间金刚石层和下层金刚石层， 所述上层金刚石层与所述中间金刚石层之间设有上层电流传导层， 所述中间金刚石层与所述下层金刚石层之间设有下层电流传...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510899287.4
    本公开实施例涉及半导体领域， 提供一种半导体结构及其制备方法， 至少可以提高半导体结构中高深宽比的孔洞的良率。半导体结构包括：第一堆叠体， 第一堆叠体包括：交替层叠的多个第一半导体层以及多个第二半导体层；第一基础层， 位于第一堆叠体的中部，...
    2026-03-23
  • 用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法
    用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法_北京比格博思信息技术有限公司_202410497421.3
    本发明涉及一种用于半导体中介层制程的中介层电子模组及其制造方法， 所述的中介层电子模组包括有一硅基材、一胶脂层及至少一针脚， 所述的硅基材采用硅材质作为基底， 并具有一定厚度及包括有至少两个表面， 所述胶脂层均匀分布并结合在硅基材表面， 并...
    2026-03-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510855943.0
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法， 半导体结构包括：衬底， 衬底包括中间区域以及环绕中间区域的边缘区域， 中间区域包括第一区域， 以及环绕第一区域且位于第一区域和边缘区域之间的第二区域；多个导电凸块， 位于衬底的表面；多个导电凸...
    2026-03-23
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