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最新专利技术
  • 一种场解耦式压接功率模块
    一种场解耦式压接功率模块_南京南瑞半导体有限公司_202510649346.2
    本发明涉及技术领域， 特别是一种场解耦式压接功率模块， 包括， 承载组件， 包括有热解耦型管盖和设于所述热解耦型管盖下方的管盖底板， 控制组件， 包括有设于所述管盖底板下方的芯片子单元， 散热组件， 包括有设于所述芯片子单元下方的场解耦管座...
    2025-12-01
  • 散热装置、散热方法和电子设备
    散热装置、散热方法和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202510915108.1
    本公开涉及一种散热装置、散热方法和电子设备， 散热装置包括节流件和设于半导体器件的多个散热微通道， 并能够根据半导体器件的运行场景， 通过控制节流件的开度调节散热微通道内的换热介质的流量， 从而针对不同运行场景下半导体器件的温度区域进行温度...
    2025-12-01
  • 一种传感器芯片的封装结构
    一种传感器芯片的封装结构_深圳市深视智能科技有限公司_202510938248.0
    本发明公开一种传感器芯片的封装结构， 涉及到光学传感器技术领域， 它包括壳体、冷却元件和PCB板；通过在芯片主体和冷却元件之间设置PCB板， PCB板上设置有贯穿的导热元件， 导热元件直接与芯片主体以及冷却元件接触， 将芯片主体产生的热量传...
    2025-12-01
  • 一种芯片正面散热结构、功率模块及制作方法
    一种芯片正面散热结构、功率模块及制作方法_无锡利普思半导体有限公司_202511076321.4
    本发明属于半导体器件技术领域， 公开了一种芯片正面散热结构、功率模块及制作方法， 所述芯片正面散热结构包括第一陶瓷覆铜板、金属铜板、第一铜带和第二铜带， 第一铜带和第二铜带的两端均焊接于金属铜板的下表面， 第一铜带的中部远离金属铜板的一侧设...
    2025-12-01
  • 一种半导体结构、制作方法及电子器件
    一种半导体结构、制作方法及电子器件_深圳平湖实验室_202511267960.9
    本申请涉及半导体技术领域， 公开了一种半导体结构、制作方法及电子器件， 该半导体结构包括：衬底、功能层， 第一电极、第二电极和第一热电体， 第一电极和第二电极设置在功能层背离衬底的一侧， 第一热电体设置在衬底中， 第一热电体包括沿第一方向排...
    2025-12-01
  • 全浸没式散热装置
    全浸没式散热装置_浙江银轮机械股份有限公司_202511234185.7
    本申请涉及一种全浸没式散热装置， 该全浸没式散热装置用于对功率元件进行散热， 全浸没式散热装置包括主室体、平衡通道部、伸缩腔体和冷凝组件， 平衡通道部连通主室体和伸缩腔体， 主室体、平衡通道部和伸缩腔体连通形成无不凝气体的密封腔体。功率元件...
    2025-12-01
  • 一种板级扇出型封装结构及其制造方法
    一种板级扇出型封装结构及其制造方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202510886113.4
    本发明提供一种板级扇出型封装结构及其制造方法， 包括：保护结构， 所述保护结构内封装有芯片以及所述芯片晶圆段上的第一绝缘钝化层， 所述保护结构上设有贯穿保护结构的通孔， 所述保护结构正反面增层并填充通孔以形成正反双面互连的重布线层， 所述重...
    2025-12-01
  • 一种三明治结构的clip材料及功率模块
    一种三明治结构的clip材料及功率模块_长沙升华微电子材料有限公司_202511212110.9
    本发明涉及电气元件连接技术领域， 具体涉及一种三明治结构的clip材料及功率模块。一种三明治结构的clip材料， 包括折弯段和两个焊接段。焊接段和折弯段均包括低热膨胀系数金属层和高导电金属层。折弯段上设置有至少一个折弯节点， 折弯节点处低热...
    2025-12-01
  • 封装组件、封装模块与封装模块的制备方法
    封装组件、封装模块与封装模块的制备方法_深圳赛意法微电子有限公司_202510790671.0
    本发明公开了封装组件、封装模块与封装模块的制备方法， 封装组件包括第一母板， 包括第一边框与多组第一子板， 多组第一子板沿第一方向间隔分布， 每组第一子板包含沿第二方向间隔分布的多个第一子板， 第一母板还包括多个第一连接部， 各第一子板通过...
    2025-12-01
  • 散热盖、芯片封装结构及其形成方法
    散热盖、芯片封装结构及其形成方法_长电科技管理有限公司_202510814886.1
    本发明涉及一种散热盖、芯片封装结构及其形成方法。所述散热盖包括：支撑壳体， 包括本体部以及凸出设置在所述本体部的下表面上的凸台， 所述本体部包括相对分布的上表面和所述下表面， 所述凸台包括朝向所述本体部的顶面和与所述顶面相对的底面， 且所述...
    2025-12-01
  • 封装基板及其制造方法
    封装基板及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202510254785.3
    本申请涉及半导体封装技术领域， 公开一种封装基板及其制造方法。其中， 封装基板包括基板和阻挡结构。基板包括有效图形区。阻挡结构设置于基板的内部。其中， 沿着有效图形区的周向， 阻挡结构环绕有效图形区。本申请能够提高阻止基板内部裂纹扩展的有效...
    2025-12-01
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_江苏长电科技股份有限公司_202510767357.0
    本发明提供一种封装结构及制造方法， 封装结构包括：芯片区， 包括多个功能芯片， 功能芯片正面设置有第一导电凸块及第二导电凸块；中间连接区， 沿第一方向设置在芯片区上， 中间连接区包括中介层， 中介层包括并行设置的芯片互连中介结构以及分立器件...
    2025-12-01
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_江苏长电科技股份有限公司_202510767358.5
    本发明提供一种封装结构及制造方法， 封装结构包括：芯片区， 包括多个功能芯片， 功能芯片正面设置有第一导电凸块及第二导电凸块；中间连接区， 沿第一方向设置在芯片区上， 中间连接区包括中介层， 中介层包括芯片互连中介结构， 芯片互连中介结构具...
    2025-12-01
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510920739.2
    本发明的实施方式涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体衬底， 该半导体衬底具有设置着半导体元件的第1面、及位于与该第1面相反侧的第2面。金属电极设置于在第1面与第2面之间贯通半导体衬底的贯通孔内。第1绝缘膜设置在半导体衬底的第1...
    2025-12-01
  • 可靠性测试结构及应力迁移测试方法、电介质可靠性测试方法
    可靠性测试结构及应力迁移测试方法、电介质可靠性测试方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510890681.1
    本发明公开了一种可靠性测试结构及应力迁移测试方法、电介质可靠性测试方法， 属于可靠性技术领域， 该可靠性测试结构包括若干沿第一方向排布的第一类金属条和第二类金属条；若干沿第二方向排布的第三类金属条和第四类金属条， 任一第三类金属条的两端均和...
    2025-12-01
  • TDDB测试工艺结构及其制备方法、TDDB测试方法
    TDDB测试工艺结构及其制备方法、TDDB测试方法_苏州苏纳光电有限公司_202510931544.8
    本发明公开了一种TDDB测试工艺结构及制备方法、TDDB测试方法， 所述TDDB测试工艺结构包括：衬底， 包括相对设置的第一表面和第二表面；绝缘层， 位于所述第一表面上， 所述绝缘层包括第一区域和第二区域；电容器， 位于所述第一区域上， 所...
    2025-12-01
  • 一种半导体测试结构及其测试方法
    一种半导体测试结构及其测试方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511172698.X
    本发明公开一种半导体测试结构及其测试方法， 属于半导体领域。测试结构包括：至少两层金属层， 设置在衬底上， 且金属层至少包括下层金属层和上层金属层， 下层金属层靠近衬底设置， 至少包括测试区、检验区、对照区和参考区， 检验区设置在测试区和对...
    2025-12-01
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202510902070.4
    本申请公开一种半导体器件及其制备方法， 半导体器件包括：衬底；有源层， 形成于衬底上方；金属互连层， 形成于有源层上方， 其包括交替层叠设置的多个金属布线层和多个金属间介质层， 其中， 每层金属布线层中邻近其周向边缘的位置均设置有屏蔽环， ...
    2025-12-01
  • 显示基板、显示面板及显示装置
    显示基板、显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410371375.2
    本申请公开了一种显示基板、显示面板以及显示装置。显示基板包括基底、发光单元以及光反射结构；若干发光单元呈阵列设置于基底一侧；光反射结构用于将发光单元发出的部分光线反射至显示侧， 光反射结构包括支撑台以及反射层；支撑台与发光单元置于基底的同一...
    2025-12-01
  • 一种水系钠离子电池极片及其制备方法和应用
    一种水系钠离子电池极片及其制备方法和应用_河南杉禾新能源科技有限公司_202510818814.4
    本发明涉及水系电池技术领域， 尤其涉及一种水系钠离子电池极片及其制备方法和应用， 该极片是由正极极片和负极极片组成；所述正极极片和负极极片均包括活性物质、粘结剂和导电剂， 且活性物质：粘结剂：导电剂的质量比为80‑92：3‑10：5‑10。...
    2025-12-01
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