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最新专利技术
  • 一种贴片机托盘防撞机构
    一种贴片机托盘防撞机构_广州市柯洱斯电子有限责任公司_202510911941.9
    本发明公开了一种贴片机托盘防撞机构， 属于贴片机托盘技术领域， 本发明包括升降台前部上表面滑动安装水平清扫刷；双向伸缩杆通过两撑杆转动安装承接板；升降台后部安装收集盒；当双向伸缩杆抽出托盘时， 水平清扫刷在驱动机构的驱动下向上移动， 使得水...
    2025-11-20
  • 贴片式元器件的送料装置
    贴片式元器件的送料装置_深圳市钲思科技有限公司_202510932254.5
    本发明公开了一种贴片式元器件的送料装置， 包括导料通道、送料通道、传送带及驱动传送带运动的驱动机构， 送料通道前端对应与导料通道尾端衔接；传送带位于送料通道底部， 用于输送进入送料通道的贴片式元器件；送料通道末端对应设有取料口， 取料口末端...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202510940134.X
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括：形成至少两个第一图案化有源区。于第一图案化有源区的一侧形成牺牲层；牺牲层包括至少覆盖第一图案化有源区在竖直方向上的一侧表面的第一牺牲层以及填充于任相邻两个第一图案化有源区之间的第二牺牲层...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410358183.8
    本申请实施例属于半导体技术领域， 尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备， 用于改善相关技术中的垂直晶体管的开启电流较低的问题。半导体结构包括第一电极层、栅极层、第二电极层、沟道层以及第一缓冲层。第一电极层、栅极层以及第二电极层沿第一...
    2025-11-20
  • 存储器、存储器的制备方法、芯片及设备
    存储器、存储器的制备方法、芯片及设备_北京超弦存储器研究院_202410360036.4
    本申请公开了存储器、存储器的制备方法、芯片及设备， 属于半导体技术领域。存储器包括多层沿垂直于衬底的第一方向在衬底上堆叠的存储单元阵列和多条字线；每层存储单元阵列包括至少一行沿平行于衬底的第二方向排列的晶体管；沿第一方向排列的一列晶体管的栅...
    2025-11-20
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410360341.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备， 涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：多层堆叠的存储单元阵列；存储单元阵列包括晶体管， 晶体管包括依次排列的第一源/漏极、绝缘结构和第二源/漏极， 以及依次环绕绝缘结构外周的半导体层、栅极...
    2025-11-20
  • 存储器结构、其制造方法、其操作方法及存储器阵列
    存储器结构、其制造方法、其操作方法及存储器阵列_旺宏电子股份有限公司_202410458076.2
    本发明提供一种存储器结构、其制造方法、其操作方法及存储器阵列。该存储器结构包括多个绝缘层、多个栅极层、第一掺杂层、多个第二掺杂层、多个第三掺杂层、柱状通道、第一介电层、多个第二介电层及第三介电层。第一掺杂层及柱状通道贯穿交替堆叠的绝缘层及栅...
    2025-11-20
  • 动态随机存取存储器装置
    动态随机存取存储器装置_福建省晋华集成电路有限公司_202510736634.1
    本发明公开了一种动态随机存取存储器装置， 包括衬底、多条位线、多个触点、介电层、多个存储节点焊盘以及电容结构。位线设置于衬底上， 包括多条第一位线以及一第二位线。触点设置于衬底上并与位线交替且分隔地设置。介电层覆盖于触点以及位线上方。存储节...
    2025-11-20
  • 2T0C存储单元及其制备方法和2T0C存储阵列
    2T0C存储单元及其制备方法和2T0C存储阵列_南方科技大学_202510786668.1
    本发明公开了2T0C存储单元及其制备方法和2T0C存储阵列， 2T0C存储单元包括栅极堆叠、源极堆叠、漏极堆叠和有源区堆叠；栅极堆叠包括：上下贯通的第一栅极以及依次包裹第一栅极的第二栅介质层和第二半导体薄膜层；源极堆叠包括：上下贯通的第二源...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_长鑫集电(北京)存储技术有限公司_202510899503.5
    本公开关于半导体技术领域， 涉及一种半导体结构及其形成方法， 形成方法包括：形成初始半导体结构， 初始半导体结构包括衬底和形成于衬底上的第一导电层， 衬底包括多个间隔分布的有源区；在第一导电层上形成应力缓冲层， 在垂直于衬底的表面的方向上，...
    2025-11-20
  • 三维存储器的制备方法
    三维存储器的制备方法_深圳市章阁仪器有限公司_202511007239.6
    一种三维存储器的制备方法， 方法包括：提供第一衬底， 第一衬底包括基底和位于基底上方的堆叠层， 以及位于堆叠层和基底之间的底部电极层， 堆叠层中形成有通孔， 通孔的底部暴露底部电极层的顶部；形成第一薄膜层；沿通孔的深度方向执行离子注入工艺，...
    2025-11-20
  • 一种存储器件的制造方法及存储器件
    一种存储器件的制造方法及存储器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202410366099.0
    本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件， 制造方法包括：提供半导体基体， 半导体基体包括衬底、形成在衬底上的第一介质层和半导体层；从半导体层朝向衬底开设第一凹槽， 并在第一凹槽内依次形成栅绝缘层和第一栅极；在第一栅极的一侧形成第二栅极...
    2025-11-20
  • 闪存器件的制备方法
    闪存器件的制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510815904.8
    本申请提供一种闪存器件的制备方法， 先通过ISSG工艺生成一层致密的第一氧化硅层， 再通过扩散等离子体氮化工艺向第一氧化硅层中渗入氮离子， 最后通过氮化后热退火工艺修复第一氧化硅层的晶格， 渗氮后的第一氧化硅层的介电常数大于传统的ONO膜层...
    2025-11-20
  • 抗辐照加固型Flash存储单元、存储器及方法
    抗辐照加固型Flash存储单元、存储器及方法_湖南融创微电子股份有限公司_202511225816.9
    本发明涉及抗辐照加固型Flash存储单元、存储器及方法， 通过将两个浮栅单元并联成一个存储单元， 采用两个浮栅单元存储同样的数据， 以根据两个浮栅单元存储电子的总数来判断该存储单元的数据状态， 当其中一个浮栅单元因重离子辐照而发生电子减少时...
    2025-11-20
  • 非易失性两端存储单元及其制备方法
    非易失性两端存储单元及其制备方法_昕原半导体(上海)有限公司_202510812758.3
    本申请公开了一种非易失性两端存储单元及其制备方法。其中， 非易失性两端存储单元包括：下电极结构；位于所述下电极结构上， 由下至上层叠设置的第一下电极层、阻变层以及上电极层；其中， 所述阻变层上具有沿层叠方向贯穿所述阻变层的第一间隔部， 所述...
    2025-11-20
  • 一种多存储芯片封装结构及封装方法
    一种多存储芯片封装结构及封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202510860973.0
    本发明涉及芯片封装技术领域， 具体地说是一种多存储芯片封装结构及封装方法。包括Soc芯片、Dram芯片， 所述的Soc芯片上分别设有焊盘、导电结构一， Soc芯片通过焊盘连接SRAM芯片， Soc芯片通过导电结构一连接重布线层， DRAM芯...
    2025-11-20
  • 层叠半导体的制造方法
    层叠半导体的制造方法_超极存储器股份有限公司_202511017639.5
    本发明提供一种由多个芯片层叠构成的层叠半导体的制造方法， 具有：堆叠工序， 将存储器晶圆和逻辑晶圆堆叠成晶圆层叠体， 所述存储器晶圆将多个存储器主体配置成矩阵状， 所述逻辑晶圆将与各个所述存储器主体重叠配置的多个逻辑芯片配置成矩阵状；区域决...
    2025-11-20
  • 基于沟槽电容的沟槽填充方法及沟槽电容结构
    基于沟槽电容的沟槽填充方法及沟槽电容结构_苏州苏纳光电有限公司_202510931548.6
    本发明公开了一种基于沟槽电容的沟槽填充方法及沟槽电容结构， 基于沟槽电容的沟槽填充方法， 包括：提供半导体衬底， 半导体衬底上形成有沟槽；在半导体衬底表面及沟槽的内壁上形成电极‑介质堆叠层组， 电极‑介质堆叠层组未填充满沟槽， 沟槽内保留有...
    2025-11-20
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202510899409.X
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法， 该半导体器件包括：衬底；隔离层， 设置于衬底上；多个间隔设置的电容结构， 设置于隔离层上， 电容结构包括自下而上依次层叠的第一电极层、绝缘层和第二电极层；介电层， 覆盖隔离层和电容结构， 其中， 介电...
    2025-11-20
  • 一种超低结电容TVS防护器件的制备方法
    一种超低结电容TVS防护器件的制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202511181026.5
    本发明涉及半导体器件制造技术领域， 具体地说， 涉及一种超低结电容TVS防护器件的制备方法。其包括：基于GaAs衬底构建高深宽比鳍槽阵列， 通过反应离子深刻蚀与等离子体修复工艺形成陡直侧壁， 突破传统刻蚀深宽比极限， 实现耗尽区体积数量级扩...
    2025-11-20
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