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  • 本发明公开了一种阵列基板、显示面板, 该阵列基板具有像素区及围绕所述像素区的周边区, 所述周边区设置有第一扇出线, 阵列基板包括:衬底基板;栅极层, 位于所述衬底基板的一侧;所述第一扇出线与所述栅极层同层设置;保护层, 位于所述栅极层远离所...
  • 本发明提供一种电子装置的制作方法, 其特征在于, 包含:提供一衬底;形成一第一导电层在该衬底上;图案化该第一导电层以形成一第一导电图案;形成一第二导电层在该第一导电图案上;以及图案化该第二导电层以形成一第二导电图案, 该第二导电图案包含一第...
  • 本申请涉及半导体技术领域, 尤其涉及一种晶粒、芯片、版图设计方法及相关设备, 晶粒包括第一逻辑门单元和M个第一CNT组;第一逻辑门单元包括N个第一FET组, 每个FET组包括沟道类型相同的多个FET, 不同FET组的FET沟道类型不同;每个...
  • 本发明提供一种输入/输出驱动器, 包括静电放电保护电路。静电放电保护电路具有硅控整流器, 且包括分别设置于基底的第一至第四井区的表层区域中的第一第至第四重掺杂区。第一井区至第四井区沿第一方向依序排列且彼此邻接。第一井区、第三井区、第一重掺杂...
  • 本申请涉及显示装置。根据本公开的示例性实施方式, 一种显示装置包括:显示面板, 其被划分为显示区域、非显示区域、弯曲区域和焊盘区域, 并且在弯曲区域中在一个方向上弯曲;多个像素, 其设置在显示区域中;至少一个选通驱动器, 其设置在非显示区域...
  • 本发明公开了一种引入穿孔结构的TBC太阳能电池片及制备方法, 属于太阳能电池片技术领域, 包括硅基底, 硅基底背面设有若干第一区域和第二区域, 第一区域的非电极区内设有第一穿孔区域, 第一穿孔区域由多个贯穿所第一隧穿钝化层、第一掺杂层和第一...
  • 本发明涉及光伏电池技术领域, 具体公开了一种多层半导体层的太阳能电池结构及其制造工艺。其包括:硅晶片, 形成在所述硅晶片上的第一半导体层、次级半导体层以及金属电极;所述次级半导体层局域或整体形成在所述第一半导体层的上方, 所述金属电极与所述...
  • 本发明属于异质结电池领域, 具体公开一种异质结电池及其制备方法, 通过栅线电极对应区域沉积重掺杂非晶硅, 降低高寄生吸收、表面悬挂键和界面态密度, 提高开压和异质结电池效率。本发明主要技术方案为:一种异质结电池, N型硅衬底正面和背面栅线电...
  • 本发明适用于光伏技术领域, 提供一种电池组件及光伏系统, 电池组件包括:沿第一方向依次设置的第一电池单元和第二电池单元, 第一电池单元与第二电池单元并联设置, 第一电池单元和第二电池单元均包括沿第二方向依次排布且相串联的多个电池串组, 每个...
  • 本申请提供了一种光伏组件层压机, 包括:n个层压单元, 层压单元包括热压板、下压驱动件及压板, 其中, 热压板内形成有向下开口的层压腔, 下压驱动件安装在热压板上且位于层压腔的上方, 压板连接在下压驱动件的活动部件上且位于层压腔内;层压驱动...
  • 本申请提供了一种光伏组件及其制备方法, 涉及背接触电池技术领域。在光伏组件第一电池片的背面, 绝缘条覆盖多条第一极性焊带的第一段以及多条第二极性焊带的端部, 第一极性焊带的第二段和汇流条均设置于绝缘条的远离第一电池片的一侧, 汇流条与第二段...
  • 本申请属于光伏技术领域, 具体提供一种导电互联条及其制备方法、光伏电池组件, 旨在解决现有的互联条在焊接时会对电池片造成遮挡, 影响电池片的受光面积, 以及焊接过程中的焊接温度易对电池片造成损伤, 从而影响组件效率的问题。为此, 本申请的导...
  • 本申请涉及光伏技术领域, 尤其涉及一种光伏组件, 包括电池片、连接点组和焊带, 焊带连接相邻的电池片, 连接点组设置于电池片和焊带之间;连接点组包括沿第一方向间隔设置的多个连接点, 多列连接点组沿第二方向间隔设置在电池片上;沿第一方向, 电...
  • 本申请提供了一种太阳能电池串及其制备方法、光伏组件, 该太阳能电池串包括导电体和太阳能电池, 太阳能电池包括相对设置的正面和背面, 太阳能电池的正面或背面设有多个主栅, 导电体折弯设置, 包括相对的第一抵接面和第二抵接面, 第一抵接面和第二...
  • 一种基于BiVO4‑BaTiO3复合薄膜的自供电可见光探测器及其制备方法, 本发明属于金属氧化物半导体光电探测技术领域。解决现有光电探测器无法有效扩宽波长检测范围, 且现有光电探测器多基于含铅材料体系, 材料不稳定、改性困难、在零偏压下的光...
  • 本发明涉及半导体器件的技术领域, 尤其是涉及一种锗基多结型双色长波红外探测器及其制备方法, 其包括:锗基底;设置在锗基底表面的电极注入区、多个阻挡区、多个第一单色吸收区和多个第二单色吸收区;设置在电极注入区上的公共电极、多个第一吸收区电极和...
  • 本发明涉及紫外光电探测器制备领域, 具体涉及一种基于4H‑SiC‑GaN异质结构的p‑i‑n型紫外光电探测器及其制备方法, 在材料结构层面, 极大程度地降低了位错缺陷, 为后续高质量晶体生长筑牢根基, 确保探测器在复杂工况下结构稳定, 有效...
  • 本申请属于光器件技术领域, 提供了一种单光子雪崩二极管、接收传感器及激光雷达, 通过设置第一SPAD单元的阴极掺杂区电连接第一阴极, 第二SPAD单元的阴极掺杂区电连接第二阴极, 第一SPAD单元的阳极掺杂区与第二SPAD单元的阳极掺杂区相...
  • 本发明公开了一种基于Cr2Ge2Te6的高灵敏光电探测器的制备方法和应用。其设计方法和步骤为:使用银辅助剥离法获取单层或少层Cr2Ge2Te6, 再使用PDMS/PVA薄膜将其转移到干净的SiO2/Si衬底上。最后在Cr2Ge2Te6两端镀...
  • 可探测羟基自由基发光的金刚石紫外火焰探测器及其户外紫外信号探测系统, 本发明是要解决OH*基团的紫外发光信号探测效率低的问题。本发明平面对称型金刚石紫外火焰探测器包括金刚石层、TiO2膜层、第一接触电极和第二接触电极, 金刚石层为本征金刚石...
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