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最新专利技术
  • 接触器、接触器系统、高压配电盒及载具
    接触器、接触器系统、高压配电盒及载具_广州小鹏汽车科技有限公司_202511115660.9
    本申请涉及电动汽车技术领域， 公开了一种接触器、接触器系统、高压配电盒及载具， 其中的接触器包括第一壳体、第一静触点单元、第一动触点单元和转接件。第一壳体具有容纳腔， 第一静触点单元设置于第一壳体端部， 第一动触点单元活动设置于容纳腔中， ...
    2025-12-01
  • 电池装置及用电设备
    电池装置及用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202511270123.1
    本申请涉及一种电池装置及用电设备。本申请的电池装置包括至少一个电池单体和继电器， 继电器与电池单体电连接， 其中， 继电器包括外壳、线圈组件和磁体组件， 外壳的内部形成有容纳腔， 线圈组件设于容纳腔内， 线圈组件包括通电后可产生磁场的线圈，...
    2025-12-01
  • 电池装置及用电设备
    电池装置及用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202511270326.0
    本申请涉及一种电池装置及用电设备。本申请的电池装置包括至少一个电池单体和继电器， 继电器与电池单体电连接， 继电器包括外壳和继电器本体， 继电器本体的至少部分结构设于外壳的内部， 继电器本体包括线圈组件和磁体组件， 线圈组件包括通电后可产生...
    2025-12-01
  • 可提高电磁吸力的电磁系统及接触器
    可提高电磁吸力的电磁系统及接触器_西安中熔电气股份有限公司_202410386334.0
    本发明的可提高电磁吸力的电磁系统及接触器， 包括导磁筒、动铁芯、推动杆， 电磁系统所在腔室通过轭铁板与触头系统所在腔室分隔；动铁芯一端穿设在导磁筒中；推动杆一端固定在动铁芯上， 另一端穿过轭铁板， 触头系统的动触头设置在推动杆上且可相对推动...
    2025-12-01
  • 塑壳断路器
    塑壳断路器_宁波公牛低压电气有限公司_202511220746.8
    本发明公开了一种塑壳断路器， 涉及电路保护的电气设备技术领域， 其中， 该塑壳断路器包括主壳体、至少两个微型断路器模块以及至少一个联动部件， 每一微型断路器模块可拆卸设于壳体内， 微型断路器模块具有保护壳及位于保护壳内的操作机构， 操作机构...
    2025-12-01
  • 一种断路器重合闸装置及断路器
    一种断路器重合闸装置及断路器_北京北元电器有限公司_202510968714.X
    本发明公开了一种断路器重合闸装置及断路器， 包括：盖、基座和中座， 所述中座位于基座和盖的之间， 所述盖和所述基座彼此之间采用固定件固定；还包括重合闸机构， 所述重合机构包括联动件、齿轮组件、控制组件和执行器。相对于现有技术， 该装置通过设...
    2025-12-01
  • 一种基于双金属片的可恢复式熔断器
    一种基于双金属片的可恢复式熔断器_西安宏发电器有限公司_202511146426.2
    本发明涉及熔断器， 具体涉及一种基于双金属片的可恢复式熔断器；包括熔管， 以及分别置于熔管两端的第一连接端子、第二连接端子， 第一连接端子与第二连接端子分别固定于熔管的两端；所述第一连接端子的一侧设有热膨胀系数不同的双金属片， 双金属片的另...
    2025-12-01
  • 保护元件
    保护元件_聚鼎科技股份有限公司_202410490469.1
    一种保护元件， 包含熔断件、电极组及加热件。熔断件具有核心金属层及其下方的底部金属层， 且底部金属层的熔点低于核心金属层的熔点。电极组具有第一电极、第二电极及辅助电极。辅助电极位于第一电极及第二电极之间并设置于熔断件下方， 借此接触底部金属...
    2025-12-01
  • 一种仪表保险盒总成
    一种仪表保险盒总成_浙江众志汽车电器有限公司_202511258427.6
    本发明属于保险盒技术领域， 且公开了一种仪表保险盒总成， 包括基座和开设在基座上的多个插槽， 每个插槽内底部均设置有簧片端， 当保险丝完全插入插槽内， 簧片端与保险丝上的插片端进行电性连接；还包括夹持组件， 其设置在插槽两侧， 夹持组件包括...
    2025-12-01
  • 一种基于微控制器单元的多路采集测量气体放电管参数的控制方法及系统
    一种基于微控制器单元的多路采集测量气体放电管参数的控制方法及系统_上海电力大学_202510719708.0
    本发明公开一种基于微控制器单元的多路采集测量气体放电管参数的控制方法及系统， 包括：微控制器单元接收测试指令；根据电压输出参数控制数字电位器调节电阻值；根据电压斜率参数控制继电器组切换电阻电容组合， 确定并施加测试电压至气体放电管；控制高压...
    2025-12-01
  • 一种中和器及包括该中和器的霍尔离子源装置
    一种中和器及包括该中和器的霍尔离子源装置_核工业西南物理研究院_202510978330.6
    本发明公开了一种中和器及包括该中和器的霍尔离子源装置， 具体涉及离子源技术领域， 技术要点为：内磁极和外屏蔽罩均放置在支撑法兰的上表面， 且外屏蔽罩的下边缘部合围于内磁极的外边缘部；外磁极设于内磁极的上方， 且外屏蔽罩的上边缘部合围于外磁极...
    2025-12-01
  • 带电粒子束装置和解析方法
    带电粒子束装置和解析方法_日本电子株式会社_202510371273.5
    提供能够使特征像的取得时间变短的带电粒子束装置。在本发明的带电粒子束装置中， 图像取得部反复进行以下处理来取得多个特征像：基于在已经取得的试样像中特征物的区域在视野中所占的比例， 从用于取得特征像的多个模式选择1个模式的处理；以及以所选择的...
    2025-12-01
  • 一种低温冷却型稳定离子源注入装置
    一种低温冷却型稳定离子源注入装置_无锡赛思一科技有限公司_202510909118.4
    本发明公开了一种低温冷却型稳定离子源注入装置， 包括离子源主体， 离子源主体的输入端安装有源气体管， 离子源主体的输出端连接有离子引出机构， 离子引出机构的输出端连接有质量分析器， 质量分析器的输出端连接有加速管， 离子源主体的内安装有冷却...
    2025-12-01
  • 用于操作粒子束显微镜的方法、粒子束显微镜和计算机程序产品
    用于操作粒子束显微镜的方法、粒子束显微镜和计算机程序产品_卡尔蔡司显微镜有限责任公司_202510424311.9
    本发明涉及一种用于操作粒子束显微镜的方法、一种粒子束显微镜以及一种计算机程序产品。一种用于操作粒子束显微镜的方法包括接收用户对多个检测器中的至少一个检测器的选择， 其中， 该选择指定应当显示从中记录的图像的检测器。该方法进一步包括：对物体进...
    2025-12-01
  • 经由研磨-激发的原位保护性聚合物
    经由研磨-激发的原位保护性聚合物_FEI公司_202510295660.5
    提供了促进经由研磨‑激发的原位保护性聚合物的系统或技术。在各种实施方案中， 一种设备可包括离子束发射器， 该离子束发射器可被配置为经由离子束执行对样本的切面的研磨。在各种方面， 该设备可包括气体喷射器， 该气体喷射器可被配置为将分解的前体递...
    2025-12-01
  • 下电极组件的功率控制方法及半导体工艺设备
    下电极组件的功率控制方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410404653.X
    本发明提供了下电极组件的功率控制方法及半导体工艺设备；其中， 该方法包括：根据检测参数计算得到下电极组件的硬件损耗功率， 并根据输出功率、预设目标功率和硬件损耗功率得到等离子体的补偿功率， 若补偿功率不小于对应的预设功率阈值， 则根据补偿功...
    2025-12-01
  • 上电极射频柱的连接结构、上电极结构和半导体工艺设备
    上电极射频柱的连接结构、上电极结构和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410404954.2
    本发明提供一种上电极射频柱的连接结构、上电极结构和半导体工艺设备， 上电极射频柱的连接结构用于半导体工艺设备， 射频柱包括第一柱段和第二柱段， 连接结构包括导电件， 导电件用于在第一柱段与第二柱段之间在射频柱的轴向上具有预设间隙的状态下， ...
    2025-12-01
  • 衬里型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备
    衬里型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备_圆益QNC股份有限公司_202510319584.7
    本发明涉及半导体干法蚀刻设备的衬里型组件用氟化清洗装置及包括其的形成氧化钇涂覆组件用氟氧化钇的氟化清洗设备性氟化清洗设备， 其通过含有CF4反应气体的工艺气体和特定处理条件的等离子体热处理， 可以在半导体蚀刻设备中的涂有氧化钇的衬里上容易形...
    2025-12-01
  • 花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备
    花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的氟化清洗设备_圆益QNC股份有限公司_202510319915.7
    本发明涉及半导体干法蚀刻设备的花洒头型组件用氟化清洗装置及包括其的形成氧化钇涂覆组件用氟氧化钇的氟化清洗设备性氟化清洗设备， 其通过含有CF4反应气体的工艺气体和特定处理条件的等离子体热处理， 可以在半导体蚀刻设备中的涂有氧化钇的组件上容易...
    2025-12-01
  • 半导体工艺腔室及半导体工艺设备
    半导体工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510866722.3
    本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备， 该半导体工艺腔室包括腔室本体、盖板、上电极和下电极， 上电极设于腔室本体的顶部， 腔室本体的侧面具有开口， 盖板可拆卸地设置于开口， 用于封堵开口， 下电极与盖板相连。在工艺过程中， 可利用...
    2025-12-01
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