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最新专利技术
  • 一种面向复杂流道的气囊式电化学抛光装置
    一种面向复杂流道的气囊式电化学抛光装置_烟台大学_202510995495.4
    本发明涉及一种面向复杂流道的气囊式电化学抛光装置。内流道表面形状复杂导致抛光难度大。采用气囊式的内流道电化学抛光装置有效解决这一难题。所述的气囊采用热塑性聚氨酯制作， 具有优良强度和耐磨性。所述的气囊采用外翻设计， 气囊形状主动贴合内流道曲...
    2026-02-11
  • 一种体块β相碘化银单晶材料及其制备方法
    一种体块β相碘化银单晶材料及其制备方法_山东理工大学_202511010374.6
    本发明公开了一种体块β相碘化银单晶材料及其制备方法， 属于离子晶体材料技术领域， 采用反溶剂法， 以碘化钾溶液为良溶剂， 蒸馏水为反溶剂， 在室温环境下， 制备出了体块β‑AgI单晶。本发明采用上述的一种体块β相碘化银单晶材料及其制备方法，...
    2026-02-11
  • 一种光电效应促进氮化镓材料生长装置及方法
    一种光电效应促进氮化镓材料生长装置及方法_中科空间半导体科技(北京)有限公司_202510987925.8
    本发明涉及光电反应技术领域， 具体地涉及一种光电效应促进氮化镓材料生长装置及方法， 包括反应腔体， 反应腔体的顶部固定安装有透镜， 反应腔体的外侧与底端固定安装有加热组件， 反应腔体的底端固定安装有转动轴， 反应腔体的内部底端固定安装有晶种...
    2026-02-11
  • 一种用于制备大尺寸钙钛矿单晶或多晶片的装置
    一种用于制备大尺寸钙钛矿单晶或多晶片的装置_浙江大学杭州国际科创中心_202510988574.2
    本发明公开了一种用于制备大尺寸钙钛矿单晶或多晶片的装置， 该装置利用温度控制单元调控不同加热单元的温度， 从而形成温度差， 进而在高温端或低温端诱导晶核形成， 由于加热单元的温度可调控， 实现了温度差的大小和位置可调控， 进而本发明能够基于...
    2026-02-11
  • 一种消除水氧干扰生长GaN晶体的制备方法
    一种消除水氧干扰生长GaN晶体的制备方法_江西科技师范大学_202511006486.4
    本申请属于氮化镓晶体生长制备技术领域， 具体涉及一种消除水氧干扰生长GaN晶体的制备方法。在充有保护气体的手套箱中将含钠的助溶剂、金属镓和添加剂放入中转坩埚中， 并将中转坩埚进行加热， 熔化后停止加热， 冷却， 得到金属镓薄片；将GaN籽晶...
    2026-02-11
  • 一种α-Fe2O3单晶的制备方法
    一种α-Fe2O3单晶的制备方法_中国科学院新疆理化技术研究所_202511032496.5
    本发明提出了一种α‑Fe2O3单晶的制备方法， 包括以下步骤：把Fe2O3粉体和核心三元助熔剂LiF‑KF‑B2O3进行混合， 形成混合原料；将所述混合原料置于铂金坩埚内， 把所述铂金坩埚内升温至780‑850℃；所述铂金坩埚内恒温使混合原...
    2026-02-11
  • 一种铁酸钇单晶的制备方法
    一种铁酸钇单晶的制备方法_中国科学院新疆理化技术研究所_202511032498.4
    本发明提出了一种铁酸钇单晶的制备方法， 包括以下步骤：把摩尔比为1：(1.05‑1.08)的Y2O3和Fe2O3进行混合， 再混合复合助熔剂LiCl‑KCl‑B2O3， 从而形成混合原料， 所述复合助熔剂中LiCl、KCl以及B2O3的摩尔...
    2026-02-11
  • 采用隔热板调节垂直温度梯度的晶体生长装置与长晶方法
    采用隔热板调节垂直温度梯度的晶体生长装置与长晶方法_先薯(厦门)科技有限公司_202510979157.1
    本发明公开了一种采用隔热板调节垂直温度梯度的晶体生长装置及长晶方法， 该装置在加热器与晶体生长坩埚之间引入隔热板， 保持加热器与晶体生长坩埚相对位置不动， 利用隔热板的升降来调节生长腔室内垂直方向的温度梯度， 从而实现半导体熔体在坩埚中自下...
    2026-02-11
  • 人工晶体连续加料装置及人工晶体连续制备方法
    人工晶体连续加料装置及人工晶体连续制备方法_济南量子技术研究院_202511242766.5
    本发明涉及一种人工晶体连续加料装置及人工晶体连续制备方法， 人工晶体连续加料装置包括熔融炉和生长炉、连通熔融炉和生长炉的输送管、控制器， 熔融炉顶部设有进料部， 进料部配置有通断阀；生长炉内具有液位测量结构， 生长炉顶部具有旋转布置有提拉杆...
    2026-02-11
  • 一种单晶炉防氧化物料补给装置
    一种单晶炉防氧化物料补给装置_内蒙古科晟科技有限公司_202511299434.0
    本发明公开了一种单晶炉防氧化物料补给装置， 属于单晶硅生产设备技术领域， 该单晶炉防氧化物料补给装置， 包括单晶炉体， 所述单晶炉体上端一侧固定连接有安装支撑块， 所述单晶炉体上方转动设置有炉顶盖， 所述单晶炉体下端固定连接有底壳， 所述炉...
    2026-02-11
  • 一种利用磷锑控制N型晶棒电阻率的方法
    一种利用磷锑控制N型晶棒电阻率的方法_四川永祥光伏科技有限公司_202510917837.0
    本发明提供了一种利用磷锑控制N型晶棒电阻率的方法， 涉及多晶硅制备领域。该方法， 包括：在采用CZ法生产N型晶棒时， 其主要包括以下步骤：S1、在多晶硅生产时掺入磷和锑， 并得到熔融硅料；S2、引入籽晶并采用CZ法使得混合硅料生长出晶棒；S...
    2026-02-11
  • 单晶硅棒的制备方法和硅片
    单晶硅棒的制备方法和硅片_晶科能源股份有限公司_202511204827.9
    本申请实施例涉及半导体制造领域， 提供一种单晶硅棒的制备方法和硅片。该单晶硅棒的制备方法包括：建立第一对应关系， 第一对应关系为历史制备过程中单晶硅棒的等径长度与坩埚中掺杂剂的蒸发参数之间的对应关系；根据第一对应关系， 确定单晶硅棒在等径过...
    2026-02-11
  • 提高重掺锑硅单晶氧含量的热场系统、单晶炉及拉晶方法
    提高重掺锑硅单晶氧含量的热场系统、单晶炉及拉晶方法_麦斯克电子材料股份有限公司_202511270976.5
    提高重掺锑硅单晶氧含量的热场系统、单晶炉及拉晶方法， 涉及重掺锑硅单晶拉制技术领域， 包括加热器、热场组件、保温层组件、埚底保温组件和反射保温组件， 热场组件包括同轴设置且底端能够伸入石英坩埚内的内屏和外屏以及套设在加热器外侧的环形内胆， ...
    2026-02-11
  • 一种磷锑共掺杂回收料分类工艺方法
    一种磷锑共掺杂回收料分类工艺方法_包头美科硅能源有限公司_202510876625.2
    本发明涉及单晶硅技术领域， 具体涉及一种磷锑共掺杂回收料分类工艺方法， 包括步骤(1)磷锑共掺晶棒拉晶待检验；步骤(2)将磷锑共掺晶棒按照位置进行区分收集， 并开方得到边皮， 每份边皮单独清洗并备注；步骤(3)调整参数；步骤(4)调整磷锑回...
    2026-02-11
  • 拉晶控制方法、系统及单晶硅棒
    拉晶控制方法、系统及单晶硅棒_宁夏中环光伏材料有限公司_202510947169.6
    本申请实施例提供一种拉晶控制方法、系统及单晶硅棒， 涉及半导体领域， 该方法包括采集放肩阶段的实时数据， 确定放肩阶段的实时数据满足预设条件；在实时数据满足预设条件的前提下， 基于实时数据， 得到放肩控制数据；基于放肩控制数据进行埚升操作。...
    2026-02-11
  • 重掺单晶棒及其制备方法、重掺外延硅片及其制备方法
    重掺单晶棒及其制备方法、重掺外延硅片及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510986892.5
    本发明涉及一种重掺单晶棒及其制备方法、重掺外延硅片及其制备方法， 其中重掺单晶棒的制备方法， 采用单晶棒生长设备实现， 重掺单晶棒的制备方法包括以下步骤：提供掺杂有掺杂剂的硅溶液， 其中， 掺杂剂为氮、砷、锑中的至少一种；采用直拉法生长成型...
    2026-02-11
  • 一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置
    一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置_北京大学_202510902378.9
    本发明公开一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置， 属于大尺寸氮化铝(AlN)晶体生长技术领域。本发明在坩埚的底部增加设有一导热结构， 所述导热结构位于坩埚内粉体的中心区域， 所述导热结构与坩埚紧密配合可以降低热阻， 且将热量定向传导至粉...
    2026-02-11
  • 一种大尺寸碳化硅晶体生长热场的多维度耦合结构的坩埚装置
    一种大尺寸碳化硅晶体生长热场的多维度耦合结构的坩埚装置_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202510974971.4
    本发明涉及晶体生长技术领域， 公开了一种大尺寸碳化硅晶体生长热场的多维度耦合结构的坩埚装置， 包括：坩埚锅体；多维度耦合机构；多维度耦合机构设置在坩埚锅体内部， 本发明中， 通过设置的多维度耦合机构， 实现驱动电机的正反转以及升降架的上下移...
    2026-02-11
  • 用于碳化硅晶体生长的部件及其制备工艺、碳化硅长晶工艺和碳化硅器件
    用于碳化硅晶体生长的部件及其制备工艺、碳化硅长晶工艺和碳化硅器件_江苏集芯先进材料有限公司_202511023386.2
    本申请公开了用于碳化硅晶体生长的部件及其制备工艺、碳化硅长晶工艺和碳化硅器件， 该部件包括：石墨盖；碳化硅晶片， 所述碳化硅晶片位于所述石墨盖的一侧；石墨纸， 所述石墨纸位于所述碳化硅晶片远离所述石墨盖的一侧；碳层， 所述碳层位于所述石墨纸...
    2026-02-11
  • 优化长晶界面的装料方法及碳化硅晶体的制备方法
    优化长晶界面的装料方法及碳化硅晶体的制备方法_陕西立创晶源半导体科技有限公司_202511047609.9
    本发明涉及碳化硅的制备技术领域， 公开了优化长晶界面的装料方法及碳化硅晶体的制备方法。优化长晶界面的装料方法， 包括：在石墨坩埚的中下部的中部均匀铺设多根石墨柱， 之后装料至与所述石墨柱的顶部齐平；在下部的装料上均匀铺设多根石墨管， 之后装...
    2026-02-11
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