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最新专利技术
  • 优化长晶界面的装料方法及碳化硅晶体的制备方法
    优化长晶界面的装料方法及碳化硅晶体的制备方法_陕西立创晶源半导体科技有限公司_202511047609.9
    本发明涉及碳化硅的制备技术领域， 公开了优化长晶界面的装料方法及碳化硅晶体的制备方法。优化长晶界面的装料方法， 包括：在石墨坩埚的中下部的中部均匀铺设多根石墨柱， 之后装料至与所述石墨柱的顶部齐平；在下部的装料上均匀铺设多根石墨管， 之后装...
    2026-02-11
  • 碳化硅晶体生长装置及生长方法
    碳化硅晶体生长装置及生长方法_内蒙古晶环电子材料有限公司_202511299615.3
    本申请提供了一种碳化硅晶体生长装置及生长方法， 属于碳化硅晶体生长技术领域， 解决了现有技术晶体扩径生长气氛的量难以控制的问题。本申请包括坩埚、扩径环、隔断组件以及加热组件， 扩径环设置于籽晶固定区外周侧， 扩径环具有倾斜面， 隔断组件包括...
    2026-02-11
  • 一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法
    一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法_山西烁科晶体有限公司_202511307712.2
    本发明公开了一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法， 制备方法包括以下步骤：S1：采用石墨挡板将坩埚内部分为多个装料区， 在每个装料区内装填碳化硅粉料， 装填完成后， 在石墨挡板顶部覆盖多孔石墨片；S2：在装填好碳化硅粉料的坩埚顶部固定籽晶， 采...
    2026-02-11
  • 一种CVD-SiC单晶生长方法及装置
    一种CVD-SiC单晶生长方法及装置_山西烁科晶体有限公司_202511299875.0
    本发明提供了一种CVD‑SiC单晶生长方法及装置。该方法包括以下步骤：在生长腔体设置籽晶， 进行加热， 并通入碳源气体以及第三反应腔体提纯后的硅源气体和氢气， 进行CVD‑SiC单晶生长；将生长腔体尾气通入第一反应腔体进行过滤吸附；将吸附后...
    2026-02-11
  • 基于MPCVD工艺的硼氮共掺N型金刚石及其制备方法
    基于MPCVD工艺的硼氮共掺N型金刚石及其制备方法_武汉大学_202510901826.3
    本申请提供了一种基于MPCVD工艺的硼氮共掺N型金刚石及其制备方法。包括采用MPCVD工艺， 往MPCVD生长腔内通入硼源、氮源、碳源及生长气体， 外延得到硼氮共掺N型金刚石。通过采用硼氮共掺杂的掺杂方法制备N型金刚石， 可以提升制备得到的...
    2026-02-11
  • 一种外延炉降温系统、方法及存储介质
    一种外延炉降温系统、方法及存储介质_季华实验室_202511287054.5
    本发明涉及外延炉技术领域， 本发明公开了一种外延炉降温系统、方法及存储介质， 包括：反应室、片盘、冷却室、传送室、进气装置、排气装置和控制装置；控制装置与所述反应室、所述冷却室、所述传送室、所述进气装置和所述排气装置电性连接；所述控制装置用...
    2026-02-11
  • 一种具有缓变Sc组分过渡层的大面积多晶金刚石GaN异质结构及其制备方法
    一种具有缓变Sc组分过渡层的大面积多晶金刚石GaN异质结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202510883545.X
    本发明提供一种具有缓变Sc组分过渡层的大面积多晶金刚石GaN异质结构及其制备方法， 上述制备方法包括：对多晶金刚石进行预处理， 得到多晶金刚石衬底；对多晶金刚石衬底进行刻蚀掩膜沉积与图形化， 在多晶金刚石衬底的上部区域形成多个纳米柱状结构；...
    2026-02-11
  • 一种碳化硅外延设备
    一种碳化硅外延设备_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202511291827.7
    本申请公开一种碳化硅外延设备， 其包括反应腔， 反应腔具有壳体， 其内具有同轴设置的第一石墨筒及第二石墨筒， 第一石墨筒与第二石墨筒间隔设置且第二石墨筒采用孔径介于100‑1000nm多孔石墨材质；喷淋装置， 其设置于壳体的一侧端， 喷淋装...
    2026-02-11
  • 托盘和半导体设备
    托盘和半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510887224.7
    本申请公开一种托盘和半导体设备， 属于半导体加工技术领域， 所述托盘包括承载部和环绕所述承载部设置的限位部， 所述承载部具有凹面和环绕所述凹面设置的承载面；所述承载面为平面， 所述承载面用于承载晶圆；所述凹面相对所述承载面凹陷设置；所述限位...
    2026-02-11
  • 气体环境管理系统、方法及碳化硅外延炉
    气体环境管理系统、方法及碳化硅外延炉_浙江求是半导体设备有限公司_202511310193.5
    本申请提供一种气体环境管理系统、方法及碳化硅外延炉， 碳化硅外延炉包括反应舱、上下料舱、中转舱以及上述气体环境管理系统， 气体环境管理系统与碳化硅外延炉的反应舱、气体环境管理系统与碳化硅外延炉的中转舱、气体环境管理系统与碳化硅外延炉的上下料...
    2026-02-11
  • 基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法
    基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法_武汉大学_202510816147.6
    本申请提供了一种基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法， 属于半导体领域。所述基于MPCVD和MBE的氧化镓结构的制备方法包括：提供衬底；对衬底进行预处理；采用MBE工艺， 在衬底表面外延得到镓膜；采用MPCVD工艺， 往生长腔内通...
    2026-02-11
  • 氧化镓的外延生长方法
    氧化镓的外延生长方法_蓝河科技(绍兴)有限公司_202511310061.2
    本发明公开了一种氧化镓的外延生长方法， 包括在反应腔室内设置氧电离装置， 控制氧电离装置的输出功率不低于100瓦， 以在氧化镓衬底上进行氧化镓生长。控制反应腔室内温度为不超过1000℃的第一温度， 压力为不超过200mbar的第一压力， 控...
    2026-02-11
  • 氧化镓的异质外延生长方法
    氧化镓的异质外延生长方法_蓝河科技(绍兴)有限公司_202511310068.4
    本发明公开了一种氧化镓的异质外延生长方法， 该氧化镓的异质外延生长方法包括在反应腔室内设置氧电离装置。控制反应腔室内的温度为不超过500℃的第一温度， 压力为不低于100mbar的第一压力， 向反应腔室内通入氧源和镓源， 控制氧源流量不低于...
    2026-02-11
  • 一种范德华异质外延单层三碘化铬薄膜的方法
    一种范德华异质外延单层三碘化铬薄膜的方法_武汉大学_202510912554.7
    本发明涉及纳米材料技术领域， 具体公开了一种在范德华衬底HOPG上异质外延大面积单层三碘化铬磁性半导体薄膜的方法， 包括：A级HOPG(0001)面为衬底， 对其机械解理， 扫描隧道显微镜检测解理后表面质量， 超高真空退火除气， 测试生长前...
    2026-02-11
  • 基于Ir衬底异质外延与马赛克拼接的单晶金刚石制备方法
    基于Ir衬底异质外延与马赛克拼接的单晶金刚石制备方法_哈尔滨工业大学_202511041794.0
    本发明涉及金刚石材料制备技术领域， 特别是涉及基于Ir衬底异质外延与马赛克拼接的单晶金刚石制备方法， 包括以下步骤：选择基底衬底并进行表面处理， 在所述基底衬底表面沉积铱金属薄膜形成化学惰性且匹配良好的Ir衬底；在微波等离子体化学气相沉积反...
    2026-02-11
  • 一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片
    一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片_金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司_202511321399.8
    本发明公开了一种重掺硅单晶衬底制备硅外延片的方法及形成的外延片， 所述方法为：以碳氧共掺的重掺硼或磷的直拉单晶硅片为衬底， 经外延高温氢气预处理后， 再升温至外延温度进一步生长外延层制得高质量硅外延片。所述高温氢气预处理步骤为以40℃~60...
    2026-02-11
  • 一种基于辐照技术的黄色钻石毛坯制备方法
    一种基于辐照技术的黄色钻石毛坯制备方法_郑州华晶金刚石股份有限公司_202410385139.6
    本发明属于材料科学和宝石加工技术领域， 尤其涉及一种基于辐照技术的黄色钻石毛坯制备方法， 选取除晶种面外无明显杂质的高温高压(HPHT)合成无色钻石毛坯， 将其放入高能电子束设备中按照一定剂量进行辐照， 随后将辐照后的钻石毛坯取出， 并通过...
    2026-02-11
  • 一种新型金刚石均温生长台
    一种新型金刚石均温生长台_上海理工大学_202510839782.6
    本发明提供了一种新型金刚石均温生长台， 属于金刚石生长装置技术领域。本发明包括自下而上依次设置的冷却结构、导热结构、衬底托和衬底；衬底用于供金刚石生长， 衬底托的内部集成蒸汽腔均热板， 蒸汽腔均热板的外壳材料采用高导热材料， 其内部工作介质...
    2026-02-11
  • 一种水冷式晶棒熔融的高频感应加热装置
    一种水冷式晶棒熔融的高频感应加热装置_上海汉虹精密机械有限公司_202510839754.4
    本发明公开了一种水冷式晶棒熔融的高频感应加热装置。一种水冷式晶棒熔融的高频感应加热装置， 包括高频线圈；高频线圈的开口侧的两端分别通过螺栓可拆卸连接两个水冷电极；还包括水冷法兰， 水冷法兰上开设有用于水冷电极延伸且穿过的穿孔， 穿孔与水冷电...
    2026-02-11
  • 一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法
    一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法_山东理工大学_202511010370.8
    本发明公开了一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法， 属于光电晶体材料技术领域， 碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体的化学式为CsPb2IxBr5‑x， 其中x为0～0.5。本发明采用上述的一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法， ...
    2026-02-11
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