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  • 本发明涉及光学邻近修正领域, 特别是涉及一种基于模型的光学邻近效应修正优化方法、装置及设备。通过根据预设的MRC规则对待调版图进行掩模规则检查, 确定存疑边缘;对所述存疑边缘对应的主图形进行曝光模拟, 得到曝光图形;确定所述曝光图形与所述主...
  • 一种光学临近效应修正方法、掩膜版, 该方法包括:获取初始掩膜图形;将初始掩膜图形的边缘分割为多个片段, 其中, 初始掩膜图形至少包括第一边缘和第二边缘, 第一边缘由多个第一切分点分割为多个第一片段, 第二边缘由多个第二切分点分割为多个第二片...
  • 本发明提供一种亚分辨率辅助图形的成像验证方法及成像验证装置, 通过建立真实的亚分辨率辅助图形模型, 将亚分辨率辅助图形进行实际曝光后收集成像程度的量化数据, 运用原本建立的光学模型加上新的成像程度的量化数据建立新的侦查模型, 该侦查模型关注...
  • 用于微光刻光掩模(100)的缺陷(D1)的粒子束诱导蚀刻的方法, 包括以下步骤:a)在所述缺陷(D1)的区域(120)中的所述光掩模(100)的表面(118)处提供(S1)活化粒子束(114)和第一气体成分(116), 所述第一气体成分(1...
  • 本申请涉及光刻胶组合物及其使用方法。本文描述了包含可固化树脂组合物和溶剂的光刻胶。以可固化树脂组合物的总重计, 可固化树脂组合物包含:大于或等于10重量%且小于或等于99重量%环脂族环氧树脂, 大于或等于1重量%且小于或等于20重量%粘合促...
  • 本发明涉及印刷线路板技术领域, 尤其涉及一种树脂组合物、树脂组合物薄膜和电子元器件, 树脂组合物包括碱溶性树脂、光聚合单体和光引发剂;光引发剂包括第一光引发剂和第二引发剂, 第一光引发剂包括除1‑(联苯基‑4‑基)‑2‑甲基‑2‑吗啉基丙烷...
  • 本发明提供一种感光性着色树脂组成物、彩色滤光片及其制造方法、液晶显示设备, 其中使用感光性着色树脂组成物而制作的像素层(图案)具有良好的低曝光图案直线性。感光性着色树脂组成物包括:包括式(I)所示的着色剂(A‑1)的着色剂(A)、碱可溶性树...
  • 本发明提供在曝光后即便不进行加热处理也可析像、能够形成对镀敷处理具有充分耐性的抗蚀剂图案的抗蚀剂组合物、干膜抗蚀剂、干膜抗蚀剂的制造方法、抗蚀剂图案的形成方法和镀敷造型物的制造方法。本发明涉及含有具有式(1)所示的基团的树脂(A1)、包含式...
  • 本发明涉及负型感光性树脂组成物、图案形成方法、硬化被膜形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜、及电子零件。本发明提供了一种感光性树脂组成物, 其使用了聚酰亚胺前驱物, 能够在低温下进行酰亚胺闭环反应, 组成物的稳定性优良, 能够形成精细图案, 且...
  • 本发明的目的在于提供一种光敏树脂组合物、使用该光敏树脂组合物得到的光敏树脂覆膜、光敏干膜、及使用它们的图案形成方法以及使用所述光敏树脂组合物得到的显示装置, 所述光敏树脂组合物能够容易地形成光刻分辨率高、具有良好的蓝色光吸收特性的覆膜。本发...
  • 本发明的目的在于提供光敏树脂组合物、使用该光敏树脂组合物得到的光敏树脂覆膜、光敏干膜及使用该光敏树脂组合物和光敏干膜的图案形成方法以及使用所述光敏树脂组合物得到的显示装置, 所述光敏树脂组合物能够容易地形成光刻分辨率高、具有良好的发光特性的...
  • 本发明的技术问题在于提供可以不分开进行而是一并进行含量子点的光致抗蚀剂的工艺与吸收蓝色LED的光的抗蚀剂材料的工艺的材料、及使用了该材料的图案形成方法及显示装置。其解决手段为一种多层结构型的光敏干膜, 其特征在于, 其具备:支撑膜;形成在所...
  • 本发明提供了一种提高PHS树脂体系光刻胶的抗离子注入性方法, 在光刻胶配方中使用苯环结构单体含量大的PHS树脂。本发明还提供了一种化学放大型光刻胶, 所述光刻胶包括PHS树脂、光酸、碱、吸收剂、流平剂、溶剂。本发明的化学放大型正性光刻胶在离...
  • 一种模型的建立方法及系统、位置偏差补偿方法、设备及存储介质, 建立方法包括:获取多个相对位置参数, 相对位置参数表征版图图形中的目标图形与其相邻版图图形的相对位置关系;获取目标图形对应在晶圆上的图形结构与目标图形的位置偏差参数;结合多个目标...
  • 一种刻蚀补偿偏差的获取方法、光学邻近修正方法、存储介质及终端, 其中刻蚀补偿偏差的获取方法包括:提供测试衬底, 测试衬底包括测试基底、以及位于测试基底上的初始主测试鳍部;对初始主测试鳍部进行切断处理形成主测试鳍部, 切断处理形成的主切断开口...
  • 一种刻蚀补偿偏差的获取方法、光学邻近修正方法、存储介质及终端, 其中刻蚀补偿偏差的获取方法包括:提供测试衬底, 测试衬底包括主测试鳍部, 测试鳍部切断图层中具有主测试切断目标图形;形成测试栅极, 测试栅极在测试栅极图层中具有测试栅极目标图形...
  • 本发明涉及晶片套刻领域, 特别是涉及一种基于逐片水平向参数的套刻方法、装置、设备及介质, 通过获取目标批次的抽样晶片的测量套刻值及显著性相关参数, 及所述目标批次的剩余晶片的显著性相关参数;所述显著性相关参数为预设的逐片水平向参数;根据所述...
  • 本申请实施例提供一种决定曝光机台的曝光位置的方法及其计算机装置, 由计算机装置所实施。方法包含基于曝光机台的原始数据, 以影响曝光机台的实际偏移值的多个关键变因训练回归模型。方法更包含基于原始数据, 使用已训练的回归模型计算预测偏移值。方法...
  • 本发明提供原版支架、曝光装置以及物品制造方法。原版支架保持原版, 其中, 上述原版支架具有:支架部, 该支架部保持上述原版的下表面的至少一部分;以及密封构件, 该密封构件将在上述原版与上述支架部之间流动的气体密封, 与未设置上述密封构件的场...
  • 本发明涉及信息处理装置、信息处理方法、非暂时性计算机可读存储介质、程序产品、图案形成装置、以及物品制造方法。信息处理装置包括:获得单元, 被配置为获得图案形成的性能指标的目标值;估计单元, 被配置为对多个回归模型中的每一个估计在通过校正基板...
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