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最新专利技术
  • 一种制作半导体元件的方法
    一种制作半导体元件的方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202311017844.2
    本发明公开一种制作半导体元件的方法， 其主要先提供一基底包含一第一晶体管区以及一第二晶体管区， 然后形成一第一栅极结构于该第一晶体管区以及一第二栅极结构于该第二晶体管区， 其中第一栅极结构包含一第一硬掩模， 第二栅极结构包含一第二硬掩模， ...
    2025-11-22
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410453757.X
    一种半导体结构的形成方法， 包括：提供基底， 基底上形成有沟道凸起结构， 同一沟道凸起结构沿其延伸方向包括相邻接的第一区和第二区， 沟道凸起结构包括位于基底上的第一牺牲层和沟道凸起部；去除第一区的第一牺牲层， 形成第一通槽；在第一通槽中形成...
    2025-11-22
  • 环绕栅极晶体管的形成方法
    环绕栅极晶体管的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410488910.2
    一种环绕栅极晶体管的形成方法， 方法包括：提供基底， 基底包括多个相邻的器件区， 器件区包括NMOS区和PMOS区， 器件区的基底顶部凸立有叠层结构， 且NMOS区和PMOS区的叠层结构之间形成有第一开口， NMOS区和PMOS区交界处的叠...
    2025-11-22
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及电子设备
    半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及电子设备_北京知识产权运营管理有限公司_202511033756.0
    本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及电子设备， 该方法包括：在衬底上形成有源结构；对正面有源结构进行减薄处理；基于减薄后的正面有源结构， 形成正面晶体管；倒片并减薄衬底；在背面有源结构上沉积掩模材料， 以形成硬掩模；在硬掩...
    2025-11-22
  • BCD器件及制备方法
    BCD器件及制备方法_粤芯半导体技术股份有限公司_202511337549.4
    本申请提供了一种BCD器件及制备方法， 涉及半导体技术领域， 解决了相关技术中BCD器件不满足行业测试要求的问题， 本方案提供的BCD器件在金属层上沉积第一富硅氧化硅层、氮氧化硅层以及氧化物层， 氮氧化硅层相比于氧化物层具有更高的介电强度，...
    2025-11-22
  • 包括SiC半导体主体的半导体器件
    包括SiC半导体主体的半导体器件_英飞凌科技股份有限公司_202510513995.X
    提出了一种包括SiC半导体主体的半导体器件。SiC半导体主体包括在沟槽栅极结构之间的台面。台面包括单侧沟道区。单侧沟道区邻接相对的第一和第二台面侧壁中的第一台面侧壁。台面进一步包括邻接第一台面侧壁和台面的顶表面的第一导电类型的第一区。台面进...
    2025-11-22
  • 一种多沟道氮化镓单片集成半桥芯片及制作方法
    一种多沟道氮化镓单片集成半桥芯片及制作方法_东南大学_202510964401.7
    本发明涉及一种多沟道氮化镓单片集成半桥芯片及制造方法， 基于P型低掺硅基衬底层(1)与N型低掺硅基体区(2)形成PN结， 以高阻区结构(9)划分低侧功率区与高侧功率区， 分别由底部向上依次堆叠设置铝氮成核层(3)、至少两组氮化镓结构组、以及...
    2025-11-22
  • 一种集成无源器件的功率模块及制备方法
    一种集成无源器件的功率模块及制备方法_乐山希尔电子股份有限公司_202511072291.X
    本发明公开了一种集成无源器件的功率模块及制备方法， 涉及半导体技术领域， 模块包括衬底层和外延层， 外延层上有相互隔离的SBD有源区、HEMT有源区和无源区， SBD有源区内有SBD器件， HEMT有源区内有HEMT器件， 无源区内固定有多...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_海信家电集团股份有限公司_202510402126.X
    本申请公开一种半导体装置， 具有IGBT区域、过渡区和MOS区域， 半导体装置包括：半导体衬底， 在半导体衬底内设置有漂移层， 设置于半导体衬底内的基极层；IGBT区域、过渡区以及MOS区域各自包括贯穿基极层并部分位于漂移层的导电结构， 在...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_海信家电集团股份有限公司_202510402639.0
    本申请公开一种半导体装置， 具有IGBT区域、过渡区和MOS区域， 半导体装置包括：半导体衬底， 在半导体衬底内设置有漂移层， 设置于半导体衬底内的基极层；IGBT区域、过渡区以及MOS区域各自包括贯穿基极层并部分位于漂移层的导电结构， 在...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_海信家电集团股份有限公司_202510402856.X
    本申请公开一种半导体装置， 其包括：半导体基板， 具有第一主面和与第一主面相对的第二主面， 第一导电型的漂移层设置于第一主面和第二主面之间；MOS区， 设置于半导体基板；过渡区， 设置于半导体基板， 过渡区在第一方向的投影沿周向包围MOS区...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_海信家电集团股份有限公司_202510406563.9
    本申请公开一种半导体装置， 其包括：半导体基板， 具有第一主面和与第一主面相对的第二主面， 第一导电型的漂移层设置于第一主面和第二主面之间；MOS区， 设置于半导体基板；过渡区， 设置于半导体基板；IGBT区， 设置于半导体基板；第一边界沟...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_海信家电集团股份有限公司_202510406617.1
    本申请公开一种半导体装置， 其包括：半导体基板， 具有第一主面和与第一主面相对的第二主面， 第一导电型的漂移层设置于第一主面和第二主面之间；MOS区， 设置于半导体基板；过渡区， 设置于半导体基板；IGBT区， 设置于半导体基板， MOS区...
    2025-11-22
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202411994853.1
    本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底之上的栅极电极层、设置在衬底之上的源极/漏极区域、设置在源极/漏极区域之上的导电接触件、设置在导电接触件和栅极电极层上的第一蚀刻停止层， 并且第一蚀刻停止层包括SiCN或SiOCN。...
    2025-11-22
  • 包括掩埋沟道阵列晶体管的半导体器件
    包括掩埋沟道阵列晶体管的半导体器件_三星电子株式会社_202510296775.6
    一种半导体器件可以包括：衬底， 具有栅极沟槽；栅极介电层， 设置在栅极沟槽的内表面上；第一栅极图案， 设置在栅极介电层上并限定栅极沟槽的下部；第二栅极图案， 设置在第一栅极图案上， 第二栅极图案的至少一部分设置在栅极沟槽的下部中；以及封盖绝...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510438525.1
    公开一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底， 包括单元区域和连接区域， 并且在第一方向上延伸， 其中， 连接区域包括贯穿区域；有源区域， 从基底的第一表面垂直地突出；源极/漏极区域， 在第一方向上在基底上彼此间隔开， 并且包括第一源极/漏...
    2025-11-22
  • 双沟道鳍式晶体管结构及其形成方法
    双沟道鳍式晶体管结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410488916.X
    一种双沟道鳍式晶体管结构及其形成方法， 其中形成方法包括：包括：衬底， 衬底包括基底、以及位于基底上的若干第一鳍部结构和若干第二鳍部结构， 第一鳍部结构包括第一沟道层， 第二鳍部结构包括第二沟道层， 第一沟道层的材料为硅， 第二沟道层的材料...
    2025-11-22
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410493087.4
    半导体器件及其制造方法、电子设备， 所述半导体器件包括：衬底， 设置在衬底上的沿平行于衬底方向分布的第一极性晶体管和第二极性晶体管；第一极性晶体管包括第一半导体层， 第一半导体层的电极接触区域通过连接第一金属硅化物层连接第一电极层；第二极性...
    2025-11-22
  • 多指GGNMOS器件及制造方法、芯片
    多指GGNMOS器件及制造方法、芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510850372.1
    本发明提供一种多指GGNMOS器件及制造方法、芯片， 属于半导体集成电路技术领域。多指GGNMOS器件包括：衬底、形成于衬底的热扩散阱区、形成于热扩散阱区表面的多个源区、多个漏区和多个栅极， 以及形成于热扩散阱区两端的衬底接口， 多个源区、...
    2025-11-22
  • 半导体元件与其形成方法
    半导体元件与其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510875254.6
    本揭露提供了具有绝缘结构的半导体元件与其形成方法。半导体元件包含：位于基板上的第一鳍结构；位于第一鳍结构上的第一栅极段；位于基板上的第二鳍结构；位于第二鳍结构上的第二栅极段；和位于第一鳍结构和第二鳍结构之间以及位于第一栅极段和第二栅极段之间...
    2025-11-22
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