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最新专利技术
  • 包含溶液加工的n型导电聚合物的聚合物电解电容器
    包含溶液加工的n型导电聚合物的聚合物电解电容器_韦斯特拉材料有限公司_202380091826.0
    本发明涉及一种聚合物电解电容器，其包括阳极、介电层和阴极，其中所述阴极包含溶液加工的n型导电聚合物。
    2025-11-18
  • 电解电容器及其制造方法
    电解电容器及其制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480022346.3
    一种电解电容器，其具备第1电极、第2电极、容器和封口部件，第1电极具有第1电极箔、2个以上的第1内部引线和第1外部引线，2个以上的第1内部引线各自的一部分被重叠而形成层叠部，第1外部引线具有第1部分、第2部分和第3部分，第1部分具有凿紧于层...
    2025-11-18
  • 混合型电解电容器用电解液和混合型电解电容器
    混合型电解电容器用电解液和混合型电解电容器_三洋化成工业株式会社_202480024469.0
    本发明涉及一种混合型电解电容器用电解液，其为含有具有碳原子数为2以上的取代基的芳香族羧酸(A)的混合型电解电容器用电解液，其中，通过下述测定方法求出的上述羧酸(A)的酸离解常数(pKa)为1.0～4.5。测定方法：在25℃下，向由上述羧酸(...
    2025-11-18
  • 高压断路器
    高压断路器_日立能源有限公司_202480019089.8
    本发明涉及一种用于高压应用的断路器(1)，包括：至少一个接通和断开单元(10)，其具有用于在连接区域(16)中形成导电连接的第一触头(12)和第二触头(14)，其中，第一触头(12)具有布置成远离连接区域(16)且用于通过连接区域(16)并...
    2025-11-18
  • 电子光学板
    电子光学板_ASML荷兰有限公司_202480022167.X
    本发明涉及一种带电粒子光学板，用于带电粒子光学装置，该带电粒子光学装置用于将带电粒子束沿束路径投射到样品位置。带电粒子光学板，包括：具有晶体结构的衬底，所述晶体结构具有晶体对称线；多个通道，被配置用于使束栅格的多个束路径穿过所述衬底；以及与...
    2025-11-18
  • 具有快速可替换粒子源的多束粒子显微镜及在多束粒子显微镜中快速替换粒子源的方法
    具有快速可替换粒子源的多束粒子显微镜及在多束粒子显微镜中快速替换粒子源的方法_卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司_202480021751.3
    公开了一种具有可快速替换粒子源的多束粒子显微镜。为此，该多束粒子显微镜包含特定的双密封和柱体分离模块。借助于所述双密封和柱体分离模块，可更快替换具有粒子源的替换模块，并可保护该多束粒子显微镜的粒子光学组件的潜在敏感组成部件免受污染。
    2025-11-18
  • 用于对检查工具进行校准的系统和方法
    用于对检查工具进行校准的系统和方法_ASML荷兰有限公司_202480023192.X
    用于对检查工具进行校准的系统、装置和方法。系统、装置和方法可以包括在可替换参考样品被固定到成像系统的台之后：基于成像系统对参考样品的扫描来对成像系统的参数进行校准；以及在对成像系统的参数进行校准之后，对样品进行扫描，5其中样品包括参考样品的...
    2025-11-18
  • 制造包括超晶格的射频绝缘体上硅(RFSOI)结构的方法
    制造包括超晶格的射频绝缘体上硅(RFSOI)结构的方法_阿托梅拉公司_202480017994.X
    一种半导体加工方法可以包括：在供体半导体晶片上形成超晶格层，超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括限定基底半导体部分的多个堆叠的基底半导体单层、以及被约束在相邻基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。该方法还可以包括：对供体半导体晶片...
    2025-11-18
  • 硅绝缘膜形成方法
    硅绝缘膜形成方法_周星工程股份有限公司_202480020886.8
    本发明涉及一种硅绝缘膜形成方法，更特别地，涉及一种在基板上形成掺杂有氧的硅绝缘膜的硅绝缘膜形成方法。根据本发明的实施例的硅绝缘膜形成方法为形成掺杂有氧的硅绝缘膜的方法，并且包括如下步骤：在反应空间中准备基板；通过原子层沉积工艺在基板上形成硅...
    2025-11-18
  • 配管清洗方法和基板处理系统
    配管清洗方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480020287.6
    一种配管清洗方法，其对第1处理液供给装置和第2处理液供给装置各自的配管进行清洗，其中，所述第1处理液供给装置构成为，将来自第1处理液供给源的处理液经由设有第1过滤器的第1配管供给到向基板喷出处理液的第1喷嘴，所述第2处理液供给装置构成为，将...
    2025-11-18
  • 基片处理方法和基片处理装置
    基片处理方法和基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202480024344.8
    本发明提供一种能够进行与下层膜的外缘的状态一致的周边曝光的基片处理方法。本发明的一个方面的基片处理方法包括：基于对在表面形成有第一覆膜的基片的所述表面中的周缘区域进行拍摄而得到的拍摄图像，生成表示绕所述基片的中心的周向位置(Xθ)与所述基片...
    2025-11-18
  • 临时保护材料和临时保护材料溶液
    临时保护材料和临时保护材料溶液_积水化学工业株式会社_202480022573.6
    本发明目的在于提供能够利用常温和低温的水容易地除去的临时保护材料和临时保护材料溶液。本发明涉及一种临时保护材料，其被用作制造半导体时的保护材料，临时保护材料含有包含改性聚乙烯醇系树脂的聚乙烯醇系树脂，临时保护材料在开始施加超声波时的水温35...
    2025-11-18
  • 半导体晶片的清洗条件确定方法和半导体晶片的清洗方法
    半导体晶片的清洗条件确定方法和半导体晶片的清洗方法_胜高股份有限公司_202480017569.0
    提出了能够良好地控制热氧化膜的厚度的半导体晶片的清洗条件的确定方法。本发明的半导体晶片的清洗条件确定方法包含下述工序：求出在清洗工序后的多片半导体晶片的各自表面上形成的化学氧化膜的厚度及表面状态与清洗条件的清洗相关关系的工序；针对1个以上的...
    2025-11-18
  • 研磨和清洗方法、清洗剂、以及研磨用组合物与清洗剂的套组
    研磨和清洗方法、清洗剂、以及研磨用组合物与清洗剂的套组_福吉米株式会社_202480019311.4
    本发明提供一种能够充分地去除存在于研磨后的碳化硅基板的表面的残渣的手段。本发明为一种对碳化硅基板进行研磨并且清洗的方法，所述方法包括：将研磨用组合物供给至碳化硅基板并进行研磨的工序；以及使用清洗剂清洗所述研磨后的碳化硅基板的工序，所述清洗剂...
    2025-11-18
  • 晶片加工用片材及晶片的加工方法
    晶片加工用片材及晶片的加工方法_电化株式会社_202480022003.7
    晶片加工用片材，其具备：具有与晶片主面接触的表面的第1层；具有与前述表面相对的背面的第2层；和位于前述第1层与前述第2层之间的中间层，140℃时的储能弹性模量G’(140℃)相对110℃时的储能弹性模量G’(110℃)之比G’(140℃)/...
    2025-11-18
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480024437.0
    基板处理方法包括：准备在主表面具有含有包含磺酸基的聚合物的聚合物膜的基板的步骤；向上述基板的主表面供给氧化剂的氧化剂供给步骤；及通过上述聚合物膜中的上述磺酸基与上述氧化剂的反应产物来去除存在于上述基板的主表面的有机物的去除对象物质的有机物去...
    2025-11-18
  • 蚀刻方法
    蚀刻方法_株式会社日立高新技术_202480006255.0
    本发明提供蚀刻量的均匀性高且蚀刻处理的成品率提高的蚀刻技术。一种蚀刻方法，其对配置于晶片的表面的包含碳化钛的处理对象的膜层进行蚀刻，其中，包括：向膜层的表面供给包含氟、氧且不含氢的反应性的粒子而在该膜层的表面形成反应层的工序；以及对膜层进行...
    2025-11-18
  • 预结合自动光学检验缺陷分类
    预结合自动光学检验缺陷分类_应用材料公司_202380096521.9
    一种用于自动检测及测量经切割晶片上的破裂缺陷的方法、设备及系统包括接收经切割晶片的至少一部分的影像，对准经切割晶片的至少所述部分的所接收影像，确定在对准的所接收影像中描绘的经切割晶片的至少所述部分的边缘，自已确定的边缘自动确定至少一个基线，...
    2025-11-18
  • 探测器
    探测器_株式会社东京精密_202480020092.1
    本发明提供一种探测器，能够迅速检测探针的顶端的位置。本发明的探测器(10)，具备：晶片卡盘(16)，其保持晶片(W)；探针卡(24)，其在与晶片卡盘(16)相向的面具有探针(25)；移动机构(13、14、15)，其使晶片卡盘(16)相对于探...
    2025-11-18
  • 用于从基座冲洗污染物的固定器具
    用于从基座冲洗污染物的固定器具_朗姆研究公司_202480023077.2
    一种用于清洁衬底处理系统的基座的固定器具包含固定器具的第一部分、固定器具的第二部分、多个紧固件和适配器。所述第一部分被配置成耦合至所述基座的基部的第一表面。所述第一部分包含第一端口，所述第一端口被配置成与所述基座的所述基部中的充气室流体连接...
    2025-11-18
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