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最新专利技术
  • 显示装置和电子装置
    显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202510539297.7
    提供了一种显示装置和电子装置，该显示装置包括：显示面板，包括显示模块和窗模块，窗模块在显示模块上方并且包括在显示模块上方的第一偏振膜、在第一偏振膜上方的第一相位延迟膜、在第一相位延迟膜上方的窗和在窗上方的半透射反射膜；以及光学模块，在显示面...
    2025-11-23
  • 显示装置和包括其的电子装置
    显示装置和包括其的电子装置_三星显示有限公司_202510573840.5
    本公开涉及显示装置和包括其的电子装置。根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置包括：基板；在基板上的发光元件；多封盖层，包括在发光元件上并且具有第一折射率的第一封盖层和在第一封盖层上并且具有低于第一折射率的第二折射率的第二封盖层；低折射率层...
    2025-11-23
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_云谷(固安)科技有限公司_202511179810.2
    一种显示面板及其制备方法、显示装置，解决了相关技术中OLED显示产品的工艺性能较差的问题。其中，显示面板包括：基板；隔离结构，位于基板一侧，隔离结构围合出隔离开口；隔离结构包括隔离部和阻挡部，阻挡部位于隔离部背离基板一侧，隔离部在基板上的正...
    2025-11-23
  • 一种面向产业化应用的钙钛矿太阳能电池NiOx表面改性方法
    一种面向产业化应用的钙钛矿太阳能电池NiOx表面改性方法_大连理工大学_202511132321.1
    本发明提供一种面向产业化应用的钙钛矿太阳能电池NiOx表面改性方法，包括以下步骤：采用等离子体增强原子层沉积法制备梯度掺杂NiOx基底薄膜；对所述梯度Li掺杂NiOx薄膜进行双亲性表面活性剂钝化处理，采用喷雾热解法涂覆于所述NiOx薄膜表面...
    2025-11-23
  • 一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法
    一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法_阜阳师范大学_202511453564.5
    本发明属于半导体光电子器件与微纳加工技术领域，具体涉及一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法。具体方法为在带有底电极的衬底上，依次旋涂并经热处理形成钙钛矿层和有机半导体层；在有机半导体层上依次旋涂牺牲层和UV胶层；利用带有微孔阵列...
    2025-11-23
  • 一种基于气相传输沉积和喷雾重结晶技术制备钙钛矿薄膜的方法
    一种基于气相传输沉积和喷雾重结晶技术制备钙钛矿薄膜的方法_武汉理工大学_202511014791.8
    本发明公开了一种基于气相传输沉积(VTD)和喷雾重结晶技术协同制备钙钛矿薄膜的方法，包括如下步骤：1)用气相传输沉积技术在电子传输层上沉积基于金属卤素盐层，沉积结束后；2)采用超声喷雾工艺向金属卤素盐层表面喷涂低浓度的阳离子有机盐溶液，其中...
    2025-11-23
  • 一种改进柔性钙钛矿模组印刷均匀性的方法与柔性钙钛矿模组
    一种改进柔性钙钛矿模组印刷均匀性的方法与柔性钙钛矿模组_九江市柔烁光电科技有限公司_202511081814.7
    本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种改进柔性钙钛矿模组印刷均匀性的方法与柔性钙钛矿模组，所述方法包括：向钙钛矿前驱体溶液中添加非离子表面活性剂；其中，所述非离子表面活性剂的羟基或酯基与钙钛矿胶粒表面的铅碘键发生配位作用，形成纳米级封装结构...
    2025-11-23
  • 一种离子液体修饰的钙钛矿吸光层及制备方法与应用
    一种离子液体修饰的钙钛矿吸光层及制备方法与应用_昆明理工大学_202511092532.7
    本发明公开一种离子液体修饰的钙钛矿吸光层及制备方法与应用，属于太阳能电池技术领域。本发明碘化铯、甲基溴化铵、甲脒氢碘酸盐、碘化铅和溴化铅溶于N, N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜中；将1‑丁基‑2, 3‑二甲基咪唑对甲基苯磺酸盐加入上述溶液中搅...
    2025-11-23
  • 光伏电池及其制备方法、光伏组件
    光伏电池及其制备方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511457902.2
    本申请涉及光伏电池及其制备方法、光伏组件。光伏电池的制备方法，包括如下步骤：提供基底结构，基底结构包括位于表面的透明导电层；将混合溶液施加于透明导电层上形成液膜，混合溶液包括镍源、掺杂金属源以及有机还原剂；对液膜进行退火处理，退火处理的温度...
    2025-11-23
  • 基于溅射电极的全湿法反型有机太阳能电池及其制备方法
    基于溅射电极的全湿法反型有机太阳能电池及其制备方法_能丰(杭州)光电科技有限公司_202511468699.9
    本发明涉及有机太阳能电池技术领域，并公开了基于溅射电极的全湿法反型有机太阳能电池及其制备方法，制备方法包括对基底与透明导电电极复合层预处理；配置电子传输层分散液，湿法涂覆在透明导电电极层，退火得到湿法电子传输层；配置活性层溶液，涂覆在湿法电...
    2025-11-23
  • 一种基于二维NbOCl2的改进型压电纳米发电机及与深度学习技术相结合的动作识别系统
    一种基于二维NbOCl2的改进型压电纳米发电机及与深度学习技术相结合的动作识别系统_河南大学_202511056092.X
    本发明提出了一种基于二维NbOCl2的改进型压电纳米发电机及与深度学习技术相结合的动作识别系统，基于二维NbOCl2的改进型压电纳米发电机包括柔性衬底，柔性衬底上沉积有两端式的金‑铟非对称微结构电极，金‑铟非对称微结构电极为正交分布的阵列布...
    2025-11-23
  • 压电膜、MEMS传感器、及压电膜的制造方法
    压电膜、MEMS传感器、及压电膜的制造方法_株式会社电装_202511088930.1
    本发明提供一种压电膜，其具有氮化钪铝、碳和氧，所述碳的浓度为2.5at％以下，所述氧的浓度为0.35at％以下。本发明还提供具备所述压电膜的MEMS传感器、以及所述压电膜的制造方法。
    2025-11-23
  • 一种单原子修饰二维压电纳米片及其制备方法和应用
    一种单原子修饰二维压电纳米片及其制备方法和应用_中国科学院赣江创新研究院_202510991686.3
    本发明公开了一种单原子修饰的二维压电纳米片及其制备方法和应用，设计纳米材料领域。制备方法包括以下步骤：将铋基压电材料进行酸刻蚀处理，得到酸刻蚀产物；随后与含有金属原子的盐混合，在惰性气氛中煅烧，得到煅烧产物；再进行超声剥离和高分子修饰，得到...
    2025-11-23
  • 一种层叠式超磁致伸缩材料的制备方法
    一种层叠式超磁致伸缩材料的制备方法_湖南大学_202511445480.7
    本发明涉及一种层叠式超磁致伸缩材料的制备方法，所述层叠式超磁致伸缩材料包括交替堆叠的超磁致伸缩棒材切片和绝缘片，相邻的超磁致伸缩棒材切片和绝缘片之间通过酚醛树脂层相互粘结；先通过静电喷涂法在绝缘片的表面喷涂酚醛树脂颗粒，使得绝缘片的表面形成...
    2025-11-23
  • 一种量子限域式储电装置及其制备方法
    一种量子限域式储电装置及其制备方法_磁子太常新能源科技(中山)有限公司_202511146533.5
    本发明涉及微纳电子器件和储能技术技术领域，具体涉及一种量子限域式储电装置及其制备方法，包括宽禁带衬底，周期性堆叠于所述宽禁带衬底上的磁膜，所述磁膜由正磁化膜和负磁化膜交替排列构成以形成磁性超晶格结构；嵌入于所述正磁化膜和负磁化膜之间并用于增...
    2025-11-23
  • 磁性隧道结器件及磁存储器
    磁性隧道结器件及磁存储器_中电海康集团有限公司_202511462594.2
    本发明提供一种磁性隧道结器件，包括：具有面内净磁矩的净磁矩层，用于产生第一面内极化自旋流；具有轨道霍尔效应的轻金属层，位于净磁矩层上，用于基于轨道霍尔效应产生轨道流，第一面内极化自旋流在穿过净磁矩层/轻金属层界面后形成面外极化自旋流；转换层...
    2025-11-23
  • 磁传感器及其制造方法
    磁传感器及其制造方法_TDK株式会社_202510596207.8
    本发明提供一种磁传感器，其具备：支承部件，其包含分别相对于基准平面倾斜并且朝向互不相同的方向的第一倾斜面及第二倾斜面；第一MR元件，其配置于第一倾斜面之上；第二MR元件，其配置于第二倾斜面之上；以及第一电极，其将第一MR元件和第二MR元件连...
    2025-11-23
  • 基于钪氮铝材料的非易失性存储器及制造方法、电子设备
    基于钪氮铝材料的非易失性存储器及制造方法、电子设备_苏州实验室_202510881846.9
    本发明提供一种基于钪氮铝材料的非易失性存储器及制造方法、电子设备，包括自下而上依次形成的底电极、活性层和顶电极；所述活性层由钪氮铝材料制备获得。通过在顶电极和底电极之间形成钪氮铝材料制成的活性层，从而能够利用钪氮铝材料自发极化强度高、晶体结...
    2025-11-23
  • 一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法
    一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法_华东师范大学_202511453493.9
    本发明涉及一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法，包括：以硫系化合物作为母体材料，制备合金靶材；选择合适过渡金属为掺杂元素，制备单质靶材；将合金靶以及单质靶置于氩气气氛中，以双靶共溅射的方式在衬底上沉积制备相变材料薄膜；采用X射线衍...
    2025-11-23
  • 一种陈化诱导纳米晶晶界融合的PN结忆阻突触器件及其制备方法
    一种陈化诱导纳米晶晶界融合的PN结忆阻突触器件及其制备方法_杭州电子科技大学_202511064927.6
    本发明属于神经形态器件技术领域，具体涉及一种陈化诱导纳米晶晶界融合的PN结忆阻突触器件及其制备方法。通过低温溶液法制备NiOx/SnO2量子点异质结，利用陈化过程中纳米晶界面原子重构形成稳定PN结，构建ITO/NiOx/SnO2/Ag结构的...
    2025-11-23
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