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最新专利技术
  • 一种用于光伏部件加工的异形工件镀覆装置
    一种用于光伏部件加工的异形工件镀覆装置_华能西藏雅鲁藏布江水电开发投资有限公司_202510948476.6
    本发明涉及镀覆技术领域，具体为一种用于光伏部件加工的异形工件镀覆装置，包括电镀池、清除机构和处理机构，所述清除机构设在电镀池内侧的顶部，所述处理机构设在清除机构的底部，所述清除机构包括装取组件、传动组件、蓄力组件、定位组件和夹持组件，所述装...
    2026-01-28
  • 一种基于电场调控的金属辅助化学刻蚀装置
    一种基于电场调控的金属辅助化学刻蚀装置_东南大学_202511152965.7
    本发明公开了一种基于电场调控的金属辅助化学刻蚀装置，涉及微电子制造领域，包括：固定基板，所述固定基板上设置有电极，湿法电化学处理装置；所述电极用于提供电场的一极，所述湿法电化学处理装置用于夹持衬板，并为衬板提供导电接触的电场的另一极。本发明...
    2026-01-28
  • 一种具有高吸热效率的单晶炉水冷屏
    一种具有高吸热效率的单晶炉水冷屏_南京理工大学_202511318870.8
    本发明提供了一种具有高吸热效率的单晶炉水冷屏，属于单晶生产设备领域。所述水冷屏在内壁上设置有翅片；在内壁上设置有翅片；所述翅片与内壁的表面相交，具有预定角度，在内壁的表面形成向内延伸的、相互平行的、环状或螺旋状平台，平台间形成陷光结构；且预...
    2026-01-28
  • 一种提高电阻率集中度的方法
    一种提高电阻率集中度的方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511144621.1
    本发明涉及光伏拉晶制造技术领域，具体涉及一种提高电阻率集中度的方法，包括以下步骤：单晶硅拉制开始前准备；熔化多晶硅原料；进行引晶和放肩步骤的同时通过掺杂剂上料装置向单晶炉内添加掺杂剂；进行转肩、等径和收尾步骤，并进行在线电阻率监控，合计计算...
    2026-01-28
  • 一种单晶硅自动加掺杂延迟添加装置及延迟添加方法
    一种单晶硅自动加掺杂延迟添加装置及延迟添加方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511144722.9
    本发明涉及光伏加工技术领域，具体是涉及一种单晶硅自动加掺杂延迟添加装置及延迟添加方法，包括安装管，安装管内设有旋转伸缩机构，旋转伸缩机构包括驱动管和伸缩转杆，伸缩转杆的一端设有掺杂勺，掺杂勺内设有承装槽，掺杂勺的外壁上开设有供掺杂料落出的V...
    2026-01-28
  • 铋铁石榴石(BIG)薄膜的液相外延制备方法及其缺陷控制技术
    铋铁石榴石(BIG)薄膜的液相外延制备方法及其缺陷控制技术_福建福晶科技股份有限公司_202511115726.4
    本发明公开了一种铋铁石榴石(BIG)薄膜的液相外延制备方法及其缺陷控制技术，涉及磁性光学材料领域，包括以下步骤：加热升温液相外延炉，将调整后的化学配比的氧化物混合物充分熔化为溶液；对溶液进行均匀搅拌后降温得到过饱和溶液；对预处理后的基片缓慢...
    2026-01-28
  • 一种单晶生长装置及其应用
    一种单晶生长装置及其应用_中电化合物半导体有限公司_202410590305.6
    本发明提供一种单晶生长装置及其应用，所述单晶生长装置至少包括：真空炉，包括炉壁，所述炉壁沿着所述真空炉的重力方向设置；加热单元，穿过所述炉壁，由所述真空炉内向所述真空炉外延伸，且所述加热单元包括发热体和至少两个电极，所述发热体设置在所述真空...
    2026-01-28
  • 管理碳化硅晶体的生长
    管理碳化硅晶体的生长_半导体元件工业有限责任公司_202410888723.3
    本公开涉及管理碳化硅晶体的生长。SiC衬底需要用于高功率应用，诸如电动车辆、太阳能电池板和工业电子产品。可通过添加可移动加热器来改进用于碳化硅(SiC)锭生长的物理气相输送(PVT)设备。加热器可以是电感的或电阻的。通过在生长阶段期间严格控...
    2026-01-28
  • 一种降低碳包裹体的碳化硅单晶生长方法
    一种降低碳包裹体的碳化硅单晶生长方法_山东大学_202511150639.2
    本发明涉及一种低碳包裹体的碳化硅单晶生长方法，属于晶体生长技术领域。该方法采用低包裹体碳化硅单晶生长坩埚进行，所述的低包裹体碳化硅单晶生长坩埚包括密闭连接的坩埚本体和坩埚盖，坩埚本体的底部设置有石墨底板，坩埚本体的侧壁设置有石墨侧环，坩埚盖...
    2026-01-28
  • 改善晶体形貌的生长装置及方法
    改善晶体形貌的生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484863.5
    本发明提供了一种改善晶体形貌的生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长领域。该生长装置及配套的生长方法在坩埚体的顶部选择性地安装具有特定形状的气相出口的导流块，并设置平移机构驱动坩埚盖带着籽晶在气相出口的上方往复直线运动，根据气相出口形状和籽晶运...
    2026-01-28
  • 补偿式晶体生长装置及方法
    补偿式晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484867.3
    本发明提供了一种补偿式晶体生长装置及方法，涉及晶体生长领域，其通过在坩埚内设置多孔石墨板，且使多孔石墨板对应晶体小面区域的部分薄于对应晶体的非小面区域的部分，如此可以相对减小流向小面区域的长晶气相经过多孔石墨板时受到的阻力，以增大流向晶体的...
    2026-01-28
  • 一种大尺寸晶体生长装置及方法
    一种大尺寸晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484868.8
    本发明实施例提供了一种大尺寸晶体生长装置及方法，涉及碳化硅长晶技术领域。大尺寸晶体生长方法应用大尺寸晶体生长装置生长碳化硅晶体，大尺寸晶体生长装置包括坩埚、籽晶、导流件及加热组件。坩埚内设置有多孔石墨板，多孔石墨板将坩埚分为沿轴向排布的第一...
    2026-01-28
  • 碳化硅晶体扩径生长装置及方法
    碳化硅晶体扩径生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484870.5
    本发明提供了一种碳化硅晶体扩径生长装置及方法，涉及晶体生长领域，本扩径生长装置及方法通过水平排布粉料腔和籽晶，并设置水平延伸的气相通道，粉料腔内形成的长晶气相可以沿水平方向流向气相通道内的匀速自转的籽晶，如此可以实现晶体在籽晶周壁上各个部位...
    2026-01-28
  • 一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法
    一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484872.4
    本发明的实施例提供了一种减少碳化硅晶体边缘应力的生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域。其包括坩埚体以盖设在坩埚体上的坩埚盖，坩埚盖与坩埚体共同限定出相连通的原料区和生长区；原料区内盛装有碳化硅粉料，生长区内设置有导流筒；导流筒包括第一...
    2026-01-28
  • 径向温梯可调式晶体生长装置及方法
    径向温梯可调式晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511484873.9
    本发明的实施例提供了一种径向温梯可调式晶体生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域，以改善现有技术中待生长晶体的径向温梯调节不便的技术问题。其包括加热炉、坩埚以及径向温梯调节装置；坩埚内分别布置有待生长晶体和碳化硅粉料；径向温梯调节装置设...
    2026-01-28
  • 一种用于外延腔室进气口的插件
    一种用于外延腔室进气口的插件_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511041677.4
    本发明公开了一种用于外延腔室进气口的插件，包括：壳体，所述壳体内设有至少一个送气单元。所述送气单元沿工艺气体流动方向依次分为第一气体分配区和第二气体分配区；所述第一气体分配区靠近供气源，所述第二气体分配区靠近所述进气口且具有弧形的出口边缘。...
    2026-01-28
  • 一种包含柔性气体连接装置的外延设备
    一种包含柔性气体连接装置的外延设备_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511060572.3
    本发明公开了一种包含柔性气体连接装置的外延设备，包括：气体连接座、气体连接盒、连接管道、腔盖、腔体和开盖机构，气体连接座设置在腔体侧部，其进气端连接至外部气源，气体连接盒设置在腔盖侧部，其出气端通过连接管道与腔盖上的进气口连通；腔盖与开盖机...
    2026-01-28
  • 一种大尺寸三元层状In2Ge2Se6单晶材料及其制备方法
    一种大尺寸三元层状In2Ge2Se6单晶材料及其制备方法_季华实验室_202511476359.0
    本发明涉及晶体材料制备技术领域，特别涉及一种大尺寸三元层状In2Ge2Se6单晶材料及其制备方法。所述制备方法采用化学气相输运法，以碘作为输运剂，同时通过优化碘的浓度以及处理温度，最终制得具有大尺寸的三元层状In2Ge2Se6单晶材料，为相...
    2026-01-28
  • 一种单晶金刚石晶圆及其制备方法和应用
    一种单晶金刚石晶圆及其制备方法和应用_上海骐杰新材料股份有限公司_202511129754.1
    本发明涉及一种单晶金刚石晶圆及其制备方法和应用，所述制备方法包括如下步骤：(1)在第一碳化硅基底上外延生长第二碳化硅，形成第二碳化硅层，得到第一复合晶片；所述第二碳化硅的晶型结构与单晶金刚石一致；(2)对所述第一复合晶片进行热处理和第一激光...
    2026-01-28
  • 一种外延片的制备装置及其方法
    一种外延片的制备装置及其方法_中电化合物半导体有限公司_202511154736.9
    本发明公开一种外延片的制备装置及其方法，制备装置包括：生长腔，包括相对设置的顶部和底部、以及侧部，所述侧部设置在所述顶部和所述底部之间；冷却腔，环绕设置在所述生长腔外；多个通气孔，间隔贯穿设置在所述侧部上；进气孔，设置在所述冷却腔上；加热件...
    2026-01-28
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