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  • 本发明提供了一种静电放电保护结构、形成静电放电保护结构的方法及光罩,所述方法包括:提供衬底,在衬底上形成拾取区及若干MOS晶体管,每个MOS晶体管包括栅极、源极和漏极;形成图形化的光刻胶层,漏极包括依次远离拾取区的第一区、第二区及第三区,第...
  • 本发明涉及一种基于双介质隔离的CB互补双极晶体管器件,在外延层上两侧分别制作环形的隔离浅槽(10),在外延层(6)和顶层硅(3)中分别制作环绕N型埋层(4)和P型埋层(5)的隔离深槽(11);在一侧外延层中注入硼和扩散形成P型基区(12),...
  • 本发明提供了一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管及其制备方法,涉及肖特基势垒二极管技术领域。包括分别设置在多层结构左右两侧的阳极金属电极和阴极金属电极,阳极金属电极和阴极金属电极均按照预设的等效电路分别与缓冲层及其之上的层结构电连接,且阳...
  • 提供了一种半导体装置,包括:衬底;位于衬底的上面上的有源图案;位于有源图案上并与有源图案交叉的栅极结构;位于栅极结构的侧表面上并连接到有源图案的源极/漏极图案;沿着衬底的上面和源极/漏极图案的外表面延伸的蚀刻停止层;位于衬底中的背面源极/漏...
  • 本发明公开了一种基于多层布线工艺的金刚石‑氮化镓反相器及其制备方法,该反相器包括金刚石‑氮化镓复合衬底、形成于复合衬底正面的氮化镓HEMT器件、形成于复合衬底背面的金刚石MOSFET器件以及多层互连布线结构;其中,多层互连布线结构包括设置在...
  • 本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备;半导体结构包括:第一晶体管;第二晶体管;第一晶体管和第二晶体管为垂直场效应晶体管;栅极引出结构;栅极引出结构连接半导体结构的栅极和半导体结构的正面后道互连层,或,栅极引出结构连...
  • 提供一种半导体器件,包括:衬底;下电力线,设置在衬底下方;源/漏图案,在衬底上;沟道图案,在源/漏图案的侧表面上,包括彼此堆叠的多个半导体图案;栅电极,在多个半导体图案之间;背侧有源接触部,穿透衬底以将下电力线和源/漏图案电连接;以及背侧隔...
  • 一种显示装置与主动元件基板的制造方法,显示装置包括基板、遮光层、缓冲层、半导体层、绝缘层、第一导电层、第二导电层、第一源极及一第一漏极。基板具有显示区及位于显示区外的周边区。显示区具有第一主动元件区,周边区具有校正标记区。缓冲层位于基板上,...
  • 一种半导体器件及其制造方法,方法包括:提供衬底,在所述衬底上设置有埋氧层,在所述埋氧层上形成有晶体管以及覆盖所述晶体管的介质层;形成第一导电连接结构,所述第一导电连接结构从所述介质层背离所述衬底的一面朝向所述衬底延伸,依次贯穿所述介质层、所...
  • 本申请涉及一种LTPO显示面板及电子设备。该LTPO显示面板包括衬底基板、遮光层、第一晶体管、第二晶体管、金属走线层、平坦化层及发光层,遮光层设置于衬底基板上,第一晶体管及第二晶体管分别位于遮光层的上方,金属走线层与遮光层电连接,平坦化层位...
  • 本申请实施例提供一种显示面板,该显示面板通过改变连接走线上的通孔与氧化物半导体晶体管的有源图案的相对位置,通过使源漏极层包括遮光图案,使得氧化物半导体晶体管的有源图案被连接走线、遮光图案中的一者或者多者完全覆盖,从而可以防止外界光线照射到氧...
  • 本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板,该阵列基板包括衬底以及沿远离衬底方向层叠设置的第一导电层、第一绝缘层、第一半导体层和第二绝缘层,第一导电层包括第一信号线;第一半导体层包括第一半导体区;还包括第一过孔和第二过孔,第一过孔贯穿第...
  • 本发明涉及一种CMOS反相器、N沟道和P沟道增强型氮化镓器件的集成结构,所述集成结构包括:沟道层;势垒层;P型氮化镓层,位于势垒层上;P沟道器件源极,位于P型氮化镓层上;P沟道器件漏极,位于P型氮化镓层上;P沟道器件栅极结构,位于P沟道器件...
  • 本发明公开了一种高维持电压双向高压ESD结构,包括注入于基底内的第一N型深well掺杂类型阱区、第一N型well掺杂类型阱区以及两第一P型高压掺杂类型阱区、两对应注入于第一P型高压掺杂类型阱区内的第一P型well掺杂类型阱区;每一第一P型w...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件,至少可以改善热斑效应,并提高背接触电池的性能。背接触电池包括基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、第一电极和第二电极。基底包括相对的第一面和第二面,第一面包括沿第一方向交替分布...
  • 背接触电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件,属于光伏技术领域,背接触电池包括衬底,衬底包括第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的间隔区,隧穿氧化层和掺杂多晶硅层设置在第一区和间隔区,掺杂多晶硅层设置在隧穿氧化层沿厚度方向背离衬底的表面,非...
  • 本发明的实施例提出一种晶体夹胶预制件、曲面光伏组件及其封装工艺。所述晶体夹胶预制件包括第一胶膜层、柔性防裂膜、晶体硅电池串、第二胶膜层和汇流条。第一胶膜层、柔性防裂膜、晶体硅电池串和第二胶膜层从下至上依次层叠设置,所述柔性防裂膜的周向边缘超...
  • 本申请涉及一种光伏组件及光伏组件的制备方法。光伏组件包括:多个电池片,多个电池片串联连接,电池片上设有图案电极;多个互联条,互联条用于电池片串联连接;以及焊料熔接结构,互联条通过焊料熔接结构与图案电极电连接;其中,至少一个互联条包含至少一段...
  • 本申请提供了一种焊带处理装置、处理方法及电池串生产设备,焊带处理装置包括焊带整形机构、焊带切断机构及焊带牵引机构。焊带牵引机构牵引出横截面初始形状为正三角形的N根焊带。焊带整形机构被配置为每次在预定长度的焊带穿过焊带整形机构后夹紧N根焊带的...
  • 本申请公开了一种光伏组件,包括:电池单元和背板,电池单元设于背板上,电池单元包括多个电池串,多个电池串通过汇流件电连接,汇流件沿第一方向延伸且具有沿第一方向延伸的第一长边;在第一方向上最靠近背板的边缘的汇流件为第一汇流件,第一汇流件朝向边缘...
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