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最新专利技术
  • 一种多层离子溅射镀膜装置及工艺
    一种多层离子溅射镀膜装置及工艺_讯创(天津)电子有限公司_202511516509.6
    本发明涉及溅射镀膜技术领域，具体涉及一种多层离子溅射镀膜装置及工艺，多层离子溅射镀膜工艺包括采用多层离子溅射镀膜装置进行镀膜；多层离子溅射镀膜装置包括外壳、溅射靶头、安装壳、基座、回料机构和输料机构，溅射靶头插装在外壳内，且指向待镀膜件；安...
    2026-02-05
  • 磁控管组件的控制方法、下位机以及半导体工艺设备
    磁控管组件的控制方法、下位机以及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510998445.1
    本发明实施例提供一种磁控管组件的控制方法、下位机以及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，该方法中，获取工艺配方中与目标步骤对应的旋转类型参数；目标步骤是工艺配方中需要控制磁控管组件的任一工艺步骤。基于旋转类型参数对应的参数生成策略确定目标步...
    2026-02-05
  • 一种磁控溅射平面靶制备透明渐变色薄膜的方法
    一种磁控溅射平面靶制备透明渐变色薄膜的方法_中建材玻璃新材料研究院集团有限公司_202511021805.9
    本发明提供一种磁控溅射平面靶制备透明渐变色薄膜的方法，其特征在于：它包括以下步骤，S1：准备步骤，S2 : 衬底清洗步骤，S3 : 轰击步骤，S4 : 镀膜步骤。本发明提供的制备方法简明，实施方便，采用磁控溅射法制备的透明渐变色薄膜，相较于...
    2026-02-05
  • 一种磁控溅射源以及系统
    一种磁控溅射源以及系统_合肥致真精密设备有限公司_202511065689.0
    本发明公开了一种磁控溅射源，包括阴极靶组件以及阴极靶挡板组件；所述阴极靶组件设置有N个阴极靶，N＞1且N为自然数，N个阴极靶成圆周布置；所述阴极靶挡板组件包括用于将N个阴极靶单独隔离的第一单板、以及位于所述阴极靶组件下方的第二挡板、第三挡板...
    2026-02-05
  • 一种孔结构金属化沉积方法及系统
    一种孔结构金属化沉积方法及系统_济南量子技术研究院_202511088352.1
    本发明涉及超导量子计算技术领域，公开了一种孔结构金属化沉积方法及系统，在硅基底表面沉积牺牲层，在待处理衬底上刻蚀出预设深宽比的孔结构，得到具备孔结构的衬底，以第一金属材料，对所述具备孔结构的衬底进行表面沉积，使得所述衬底和所述孔结构的表面具...
    2026-02-05
  • 一种高硬度的HUD自由曲面镜及其磁控溅射镀膜制备方法
    一种高硬度的HUD自由曲面镜及其磁控溅射镀膜制备方法_福建富兰光学股份有限公司_202511109618.6
    本发明涉及一种高硬度的HUD自由曲面镜及其磁控溅射镀膜制备方法，所述塑料自由曲面镜上依次设置有结合膜层、超硬光学薄膜层组，所述超硬光学薄膜层组包括依次在所述结合膜层上设置的Al膜层、第一SiO2膜层、Nb2O5膜层、第二SiO2膜层。通过将...
    2026-02-05
  • 晶圆薄膜沉积设备及靶材更换方法
    晶圆薄膜沉积设备及靶材更换方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511187513.2
    本申请提供了一种晶圆薄膜沉积设备及靶材更换方法，涉及半导体制造技术领域。包括反应腔室、传动座和靶材；传动座和靶材相互堆叠连接，传动座底面面积大于靶材顶面面积，且靶材位于传动座的中心；反应腔室上开设有耗材窗口，耗材窗口的面积大于靶材顶面面积且...
    2026-02-05
  • 磁控溅射设备用多自由度复合运动磁控装置
    磁控溅射设备用多自由度复合运动磁控装置_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511512902.8
    本申请公开了一种磁控溅射设备用多自由度复合运动磁控装置，包括主动齿轮、旋转驱动机构、磁铁安装架和至少两个被动齿轮，它们构成了偏心啮合传动结构，旋转驱动机构驱使主动齿轮自转后，通过被动齿轮与主动齿轮、磁铁安装架的同步啮合，结合主动齿轮旋转中心...
    2026-02-05
  • 基于双轨道约束的磁控溅射磁铁变轨迹运动装置
    基于双轨道约束的磁控溅射磁铁变轨迹运动装置_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511512903.2
    本申请公开了一种基于双轨道约束的磁控溅射磁铁变轨迹运动装置，包括限位机构、安装块、连杆、连桥、第一旋转驱动机构和第二旋转驱动机构，限位机构包括交叉设置的第一轨道和第二轨道，连桥可转动地设置在轨道的交点处，连桥上设有滑槽，安装块滑动设置于滑槽...
    2026-02-05
  • 激光器端面首层镀膜条件的确定方法、系统和存储介质
    激光器端面首层镀膜条件的确定方法、系统和存储介质_武汉敏芯半导体股份有限公司_202510844491.6
    本申请实施例公开了一种激光器端面首层镀膜条件的确定方法、系统和存储介质，激光器端面首层镀膜条件的确定方法先在预设镀膜温度下，通过不同的离子源条件，进行激光器端面首层镀膜，构建离子源条件与膜层折射率对应关系的第一关系模型；而后在第一关系模型，...
    2026-02-05
  • 成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法
    成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法_佳能特机株式会社_202510614977.0
    本发明提供一种能够抑制在静电吸盘对基板的吸附时对基板等的不良影响的成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。静电吸盘(C)包括吸附基板(S)的周边区域的第一部分(242)和吸附基板(S)的中央区域的第二部分(244)，第一部分(242)的每单...
    2026-02-05
  • 一种异形棱镜多面镀膜治具的辅助定位装置
    一种异形棱镜多面镀膜治具的辅助定位装置_湖北五方光电股份有限公司_202511229768.0
    本发明属于手机潜望式三反微棱镜技术领域，且公开了一种异形棱镜多面镀膜治具的辅助定位装置，包括固定底板，还包括：支撑架，所述支撑架固定安装于固定底板顶部的一侧；下治具，所述下治具活动安装于固定底板顶端的中部，且所述下治具的顶部活动卡接有上治具...
    2026-02-05
  • 镀膜玻璃的参数调整方法、装置、电子设备及存储介质
    镀膜玻璃的参数调整方法、装置、电子设备及存储介质_肇庆南玻节能玻璃有限公司_202510934517.6
    本申请实施例提供了一种镀膜玻璃的参数调整方法、装置、电子设备及存储介质，属于玻璃镀膜技术领域。该方法包括：获取镀膜玻璃的多个颜色参数各自的多个测量值；对每个颜色参数的多个测量值各自计算平均值，得到每个颜色参数各自的平均值；根据每个颜色参数各...
    2026-02-05
  • 沉积设备以及驱动沉积设备的方法
    沉积设备以及驱动沉积设备的方法_三星显示有限公司_202510514278.9
    公开了沉积设备以及驱动沉积设备的方法。沉积设备包括配置为将沉积材料沉积在衬底上的处理器腔室以及配置为将衬底运输至处理器腔室的传输腔室。在处理器腔室的部分区域中，处理器腔室和传输腔室彼此重叠。
    2026-02-05
  • 一种低膨胀硅碳负极材料及其制备方法
    一种低膨胀硅碳负极材料及其制备方法_中建材(浙江)材料科技有限公司_202511117792.5
    本发明公开了一种低膨胀硅碳负极材料及其制备方法，属于二次电池技术领域。一种低膨胀硅碳负极材料的制备方法，包括以下步骤：S1沉积SiO2：采用具有至少两个乙氧基或甲氧基的硅烷对多孔碳进行第一次沉积；之后进行煅烧，获得SiO2沉积层；S2沉积硅...
    2026-02-05
  • 一种化学气相沉积碳化硅环生产用沉积设备
    一种化学气相沉积碳化硅环生产用沉积设备_苏州鑫睿微电子设备有限公司_202511058700.0
    本发明公开了一种化学气相沉积碳化硅环生产用沉积设备，本发明涉及化学气相沉积技术领域。包括炉体；固定管，所述固定管安装在炉体的顶部；电机箱，所述电机箱安装在炉体的外部，所述电机箱的内部设置有电机；第一伸缩杆，所述第一伸缩杆与电机的输出端连接；...
    2026-02-05
  • 在基材的表面制备膜层的方法以及包括膜层的产品
    在基材的表面制备膜层的方法以及包括膜层的产品_江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司_202511206881.7
    本申请实施例涉及一种在基材的表面制备膜层的方法以及包括所述在基材的表面制备膜层的方法所制备的膜层的产品。所述在基材的表面制备膜层的方法包括：将所述基材置于腔室之内；向所述腔室通入含硅的无机化合物气体或蒸汽和含氧的无机化合物气体或蒸汽；以及启...
    2026-02-05
  • 成膜装置、成膜方法以及基板支承构件
    成膜装置、成膜方法以及基板支承构件_东京毅力科创株式会社_202510571367.7
    本发明提供成膜装置、成膜方法以及基板支承构件。在对基板进行成膜处理时，防止起因于处理后的膜残留而导致对后续的基板进行的处理产生不良情况。成膜装置具备：处理容器；第1气体供给部，为了对载置在载物台的基板进行成膜而向处理容器内供给成膜气体；第2...
    2026-02-05
  • 表面涂覆的切削工具
    表面涂覆的切削工具_肯纳金属公司_202510585592.6
    在一个方面，本文描述切削工具，所述切削工具包括采用一个或多个多晶α‑Al2O3耐火层的耐磨涂层。简而言之，本文所述的一种涂覆的切削工具包括基材，以及粘附到所述基材的涂层，所述涂层包括通过化学气相沉积(CVD)沉积的多晶α‑Al2O3层，所述...
    2026-02-05
  • 输气装置、半导体工艺设备及气体控制方法
    输气装置、半导体工艺设备及气体控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410605610.8
    本发明提供一种输气装置、半导体工艺设备及气体控制方法。输气装置包括：包括与工艺腔室连接的储气罐、控压组件和压力检测组件；其中，控压组件具有可活动的密封端；密封端与储气罐内表面活动密封连接，以将储气罐内部分隔为储气腔和辅助腔；储气腔用于存储工...
    2026-02-05
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