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最新专利技术
  • 一种用于二维材料的高精度干法刻蚀设备及其蚀刻方法
    一种用于二维材料的高精度干法刻蚀设备及其蚀刻方法_北京科技大学_202511139481.9
    本发明公开一种用于二维材料的高精度干法刻蚀设备及其蚀刻方法，涉及微纳加工设备与二维材料工艺技术交叉技术领域，其中设备包括密封腔室、衬底固定模块、等离子体生成模块、低能离子束控制模块、实时原位监测模块、气体供应与尾气处理系统以及控制系统；本发...
    2025-11-29
  • 一种低复合率气体解离腔体结构
    一种低复合率气体解离腔体结构_江苏神州半导体科技有限公司_202511516271.7
    本发明属于远程等离子体源技术领域，提供了一种低复合率气体解离腔体结构，包括进气口、进气端长腔体、短腔体、出气端长腔体、出气口、点火线、真空泵和出气口气体压力仪，进气端长腔体的上端和进气口连接，进气端长腔体接地；短腔体的上端和进气端长腔体的下...
    2025-11-29
  • 一种四极杆质谱仪的自动调谐校准方法
    一种四极杆质谱仪的自动调谐校准方法_安徽皖仪科技股份有限公司_202510902061.5
    本发明公开了一种四极杆质谱仪的自动调谐校准方法，其步骤为向四极杆质谱仪内通入校准标样；四极杆质谱仪的控制系统采集校准标样的离子质谱峰图，并依据质谱峰图获取、记录离子质荷比、峰高、半高峰宽的实际参数；优化校准标样的离子透镜电压；输出调谐校准报...
    2025-11-29
  • 一种空气动力学透镜自动校准系统及其校准方法
    一种空气动力学透镜自动校准系统及其校准方法_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511177290.1
    本发明公开了一种空气动力学透镜自动校准系统，本发明通过探棒扫描与信号拟合，获取束斑二维/三维空间分布，实现对粒子束状态的直观量化监测，便于判断对准质量或束形异常；系统可自主识别束心偏移与角度误差，驱动透镜平台进行亚毫米级微调，实现无需人工干...
    2025-11-29
  • 可同时装载多种离子源的多接口TOF质量分析器
    可同时装载多种离子源的多接口TOF质量分析器_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511155010.7
    本发明提供了可同时装载多种离子源的多接口TOF质量分析器，该分析器由多个质量分析单元组成，呈中心对称布置并组合形成柱状结构，每个质量分析单元依次包括引入区、加速区、无场飞行区和反射区，柱状结构轴心位置设有微通道板(MCP)检测器。引入区内的...
    2025-11-29
  • 金属异质材料、芯片及在药物质谱解析中的应用
    金属异质材料、芯片及在药物质谱解析中的应用_上海交通大学四川研究院_202511060194.9
    本发明涉及质谱检测技术领域，具体涉及金属异质材料、芯片及在在药物质谱解析中的应用。该金属异质材料通过晶格匹配设计实现TiO2与金的紧密结合，构建等离子体共振增强的异质界面。该芯片包括形成于所述基底上的二氧化钛纳米柱阵列，沉积在所述半导体层表...
    2025-11-29
  • 一种碳化硅沟槽外延制备方法
    一种碳化硅沟槽外延制备方法_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202510882763.1
    本申请公开一种碳化硅沟槽外延制备方法，包括在衬底的表面制备外延层，在所述外延层上制备预设图案的沟槽；将形成有沟槽的碳化硅衬底放入垂直热壁型CVD外延设备，所述CVD外延设备的压强介于300‑400mbar，在形成有沟槽的碳化硅衬底的表面在第...
    2025-11-29
  • 一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法
    一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法_海纳半导体(金华)有限公司_202510980232.6
    本发明涉及半导体单晶硅片衬底制造技术领域，具体为一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法，具体操作步骤如下：S1：硅片预清洗；S2：低压气相沉积生长第一层SiO2膜；S3：第一膜层清洗；S4：低压气相沉积生长第二层S iO2膜；S5：第...
    2025-11-29
  • 掩膜结构和刻蚀方法
    掩膜结构和刻蚀方法_杭州富芯半导体有限公司_202511187111.2
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩膜结构和刻蚀方法。刻蚀方法可以包括：提供蚀刻停止层、掩膜结构和图案化的光刻胶层，掩膜结构包括依次层叠于蚀刻停止层上的第一掩膜层和第二掩膜层，光刻胶层遮蔽部分第二掩膜层；对掩膜结构进行第一刻蚀处理，至去...
    2025-11-29
  • 一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法
    一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法_西南技术物理研究所_202510883645.2
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法，在介质层表面依次沉积扩散源薄膜和保护膜，经光刻胶图案化，二次沉积保护膜以及剥离工艺后，通过干法刻蚀暴露两侧扩散源薄膜。高温扩散时，中间区域的扩散源薄膜向下...
    2025-11-29
  • 氧化层的平坦化方法
    氧化层的平坦化方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066193.5
    本发明公开了一种氧化层的平坦化方法，包括步骤：在底层结构上依次形成衬垫氧化层和第一多晶硅层。依次对第一多晶硅层、衬垫氧化层和底层结构进行图形化刻蚀形成沟槽。在沟槽中填充第一氧化层，第一氧化层还延伸到沟槽外。进行CMP以对第一氧化层进行平坦化...
    2025-11-29
  • 使用形状记忆合金结构的半导体器件及制作方法
    使用形状记忆合金结构的半导体器件及制作方法_星科金朋私人有限公司_202510528981.5
    本发明涉及使用形状记忆合金结构的半导体器件及制作方法。半导体器件具有中介层。在中介层之上部署形状金属合金(SMA)结构。SMA结构由镍‑钛形成。在中介层之上部署焊料凸块和电组件。在衬底之上部署中介层，其中SMA结构、焊料凸块和电组件在中介层...
    2025-11-29
  • 一种复合基板的制备方法及其应用
    一种复合基板的制备方法及其应用_南充三环电子有限公司_202510939364.4
    本发明属于陶瓷和金属复合领域，具体公开了一种复合基板的制备方法及其应用，所述制备方法包括以下步骤：对铜基材进行预氧化，使铜基材表面形成氧化铜层；采用磁控溅射的方法在陶瓷基板的至少一个表面上形成氧化铝层；使所述氧化铜层和所述氧化铝层贴合后进行...
    2025-11-29
  • 芯片封装方法及器件总成
    芯片封装方法及器件总成_长沙瑶华半导体科技有限公司_202511067240.8
    本申请实施例提供一种芯片封装方法及器件总成，其中，方法包括：对第一金属基材卷进行图案化处理，定义出多个器件的引脚基底以及连接多个器件引脚基底的连接筋；对第一金属基材卷进行注塑处理，以形成器件框架；在引脚基底上电镀第一电导金属，分别形成内引脚...
    2025-11-29
  • 用于将元件烧结到载体上的方法及其装置
    用于将元件烧结到载体上的方法及其装置_先进科技新加坡有限公司_202510656298.X
    本发明提供了一种用于将元件烧结到载体上的方法及其装置。其中，在将元件烧结到载体上之前，当所述元件的与第一侧面相对的第二侧面由支撑机构支撑时，将元件的第一侧面处或其附近的烧结表面的一部分接触涂覆在所述载体上的烧结浆料，使得所述元件的所述烧结表...
    2025-11-29
  • 半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法
    半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202511065364.2
    半导体封装、半导体封装组件以及制造半导体封装的方法。本发明揭示一种具有EMI屏蔽功能的半导体封装以及其制造方法。在一实施例中，半导体封装的制造方法包括：形成基板；将半导体装置附接至基板的顶部；使用囊封物囊封半导体装置；在囊封物中形成沟槽；以...
    2025-11-29
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_鹏鼎控股(深圳)股份有限公司_202410635411.1
    一种封装结构的制造方法，包括步骤：于封装基板设置内侧芯片，内侧芯片包括本体及设于本体外侧的多个连接垫。于内侧芯片外周设置屏蔽膜，屏蔽膜包括绝缘体及埋设于绝缘体的屏蔽层，屏蔽层包覆内侧芯片的外周。于屏蔽膜设置多个导通体，导通体的一端电性连接所...
    2025-11-29
  • 隔离电源芯片封装结构及其制作方法
    隔离电源芯片封装结构及其制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510985911.2
    本发明公开了一种隔离电源芯片封装结构及其制作方法，涉及封装基板技术领域。该方法包括：准备基板；在基板的上下表面分别设置第一线圈和第二线圈；对基板开设空腔，形成若干个空腔结构；在其中一个空腔结构内放置发射芯片，在另一个空腔结构内放置接收芯片；...
    2025-11-29
  • 一种SiC器件的高温封装方法
    一种SiC器件的高温封装方法_浙大城市学院_202511128448.6
    本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种SiC器件的高温封装方法。本发明基于LTCC多层互连工艺和低温烧结技术，采用多层结构设计和内部封装方法，通过引入墨材质的高温应力缓冲层以及金属导热通孔柱，实现了高效的散热性能与高温应力的有效调控，该方...
    2025-11-29
  • 一种干法刻蚀晶面保护工艺
    一种干法刻蚀晶面保护工艺_上海新微技术研发中心有限公司_202511187350.8
    本发明公开了一种干法刻蚀晶面保护工艺，包括以下步骤：步骤一：提供一晶圆，所述的晶圆的背面有待刻蚀膜层；步骤二：在所述晶圆的正面形成保护层，所述保护层是静电膜或保护胶；步骤三：对所述晶圆的背面进行干法刻蚀，以移除所述待刻蚀膜层；步骤四：去除所...
    2025-11-29
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