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最新专利技术
  • 抗氧化铜基合金箔带及其表面处理方法
    抗氧化铜基合金箔带及其表面处理方法_安徽海默生电子有限公司_202511876942.0
    本发明公开了抗氧化铜基合金箔带，包括所述箔带的表面具有复合防护膜层；所述复合防护膜层由内至外包括等离子体电解氧化形成的过渡底层和电沉积形成的纳米晶锡铟合金封孔表层；所述复合防护膜层的总厚度为15‑30μm。本发明首创的“等离子体电解氧化底层...
    2026-05-03
  • 一种低线耗晶圆切割用金刚线的制备工艺
    一种低线耗晶圆切割用金刚线的制备工艺_江阴金井新材料科技有限公司_202511790070.6
    本发明涉及一种低线耗晶圆切割用金刚线的制备工艺，属于金刚线加工技术领域，在10‑15%氢氧化钠溶液中浸泡3‑5 min；取出后浸入稀酸溶液浸泡1‑2 min；再浸入3‑5%硫酸溶液中30‑60s，取出母线，采用清水冲洗3‑5遍；在50‑60...
    2026-05-03
  • 一种改善拉伸弹簧内圈镀层均匀性的电镀装置及方法
    一种改善拉伸弹簧内圈镀层均匀性的电镀装置及方法_中航西安飞机工业集团股份有限公司_202511804920.3
    本申请提供一种改善拉伸弹簧内圈镀层均匀性的电镀装置及方法，包括工装3、内阳极棒4、绝缘套1、外阳极板7、镀镉槽8和铜杠9，其中：所述工装3，用于固定并拉簧2至工作状态；内阳极棒4设置在拉簧2内圈中，该内阳极棒4的材质与镀液主要成分一致，其长...
    2026-05-03
  • 一种电镀工艺模块
    一种电镀工艺模块_鑫巨(深圳)半导体科技有限公司_202411412502.5
    本发明提供了一种电镀工艺模块，该电镀工艺模块中，设置有阳极系统，阳极系统包括喷盘，喷盘上设置有多个电镀液喷口和多个电镀液吸口，电镀液喷口用于向待电镀件喷出电镀液，电镀液吸口用于抽吸电镀液，通过同时喷出电镀液和抽吸电镀液，改善电镀液中离子的浓...
    2026-05-03
  • 一种可自动翻转的铁路信号机配线端子镀镍处理装置
    一种可自动翻转的铁路信号机配线端子镀镍处理装置_大连永光科技有限公司_202610125269.5
    本发明公开了一种可自动翻转的铁路信号机配线端子镀镍处理装置，涉及电镀设备领域，包括镀镍箱、架篮和移动架，镀镍箱的开口两侧均螺钉固定有放置板，移动架滑动设置在镀镍箱上，移动架由两个竖板和一个顶板组成，两个竖板对称固定在顶板的下表面，架篮的顶端...
    2026-05-03
  • 一种用于TGV电镀过程中自动补液装置、电镀系统及方法
    一种用于TGV电镀过程中自动补液装置、电镀系统及方法_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202610124476.9
    本发明公开了一种用于TGV电镀过程中自动补液装置、电镀系统及方法，包括电镀腔、外接槽体、循环系统、电势施加组件、电导率传感器及控制模块；外接槽体通过离子膜分隔为左腔室(设可溶性阳极)和右腔室(与电镀腔连通)，右腔室阳离子浓度与电镀腔相同；电...
    2026-05-03
  • 去除镀液中杂质的装置
    去除镀液中杂质的装置_株式会社月出金属_202411242852.1
    本发明提供一种去除镀液中杂质的装置，其包括：框架，底部装有轮子并且能够移动；以及电镀液处理壳体，支撑并安装在框架内部，能够去除电镀液中含有的固体杂质和金属成分。
    2026-05-03
  • 一种金属表面蚀刻加工装置
    一种金属表面蚀刻加工装置_杭州燊泰嘉炜科技有限公司_202511854864.4
    本发明提供一种金属表面蚀刻加工装置，机壳内设有一至多个蚀刻装置，各蚀刻装置首尾两端配合设置构成蚀刻总成，位于两端的蚀刻装置分别与进料输送装置和出料输送装置对应连接设置，进料输送装置和出料输送装置与机壳固定连接，蚀刻装置和进料输送装置上对应设...
    2026-05-03
  • 一种用于去除芯片老化测试插座针氧化物的装置
    一种用于去除芯片老化测试插座针氧化物的装置_合肥沛顿存储科技有限公司_202610098212.0
    本发明涉及接口维护技术领域，具体为一种用于去除芯片老化测试插座针氧化物的装置，包括握把，所述握把的底部设置有间距调节组件，所述间距调节组件的底部设置有复位组件，所述握把的内部设置有操作复位组件的操作组件，所述复位组件由活动部和可拆卸更换的反...
    2026-05-03
  • 一种铋掺杂铕钇铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用
    一种铋掺杂铕钇铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用_新疆师范大学_202511889166.8
    本发明属于磁光晶体制备技术领域，涉及一种铋掺杂铕钇铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。该制备方法采用顶部籽晶法生长化学式为Eu3‑x‑y‑zBixYyTbzFe5‑wGawO12磁光晶体，其中x为0.30~0.43，y为1.20~2.06，...
    2026-05-03
  • 层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法
    层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法_季华实验室_202610115797.2
    本发明涉及晶体材料制备技术领域，特别涉及一种层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料及其制备方法。所述层状硒化物Ge3Sb2Se5半导体材料的制备方法，包括如下步骤：将Ge3Sb4Se7材料研磨后置于石英管中，加入碘颗粒，真空封装于石英管中，...
    2026-05-03
  • 一种自动送料的单晶炉及其控制方法
    一种自动送料的单晶炉及其控制方法_北京北方华创真空技术有限公司_202511712527.1
    本申请涉及单晶生长设备领域，尤其是涉及一种自动送料的单晶炉及单晶炉的控制方法，其包括单晶炉本体、送料机构、提拉机构以及控制单元，单晶炉本体包括坩埚以及罩设坩埚的壳体；送料机构包括输料仓、两端分别与输料仓底部和坩埚内部连通的输料管和控制输料管...
    2026-05-03
  • 一种N型直拉单晶硅掺杂剂共掺掺杂方法
    一种N型直拉单晶硅掺杂剂共掺掺杂方法_弘元新材料(包头)有限公司_202411111691.2
    本发明公开了一种N型直拉单晶硅掺杂剂共掺掺杂方法，本发明涉及直拉单晶领域，包括以下操作步骤：S1：确定直拉单晶硅目标电阻率；S2：确定第一、第二掺杂剂浓度占比；S3：确定第一、第二掺杂剂合金浓度；S4：根据分凝理论计算第一、第二掺杂剂合金掺...
    2026-05-03
  • 一种量料精控的大储量自动多掺给料装置及使用方法
    一种量料精控的大储量自动多掺给料装置及使用方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511906910.0
    本发明涉及单晶炉掺杂技术领域，具体是涉及一种量料精控的大储量自动多掺给料装置及使用方法，包括储料组件，储料组件包括至少两个独立设置的料斗，每个料斗的上方均设有悬挂式称重组件，每个料斗的出料口均设有排料阀，储料组件的下方设有准备料仓，每个料斗...
    2026-05-03
  • 一种连续梯度掺杂单晶光纤的制备方法及系统
    一种连续梯度掺杂单晶光纤的制备方法及系统_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511730746.2
    本发明涉及单晶光纤制备技术领域，尤其涉及一种连续梯度掺杂单晶光纤的制备方法及系统，所述制备方法包括确定稀土掺杂激光晶体中吸收系数随掺杂浓度变化的表达式；利用理想吸收系数分布公式与朗伯比尔定律设计单晶光纤吸收系数的分布形式；基于所述表达式和所...
    2026-05-03
  • 一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法和晶体生长系统
    一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法和晶体生长系统_广东晶智光电科技有限公司_202511977902.5
    本申请涉及半导体晶体生长技术领域，具体公开了一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法和晶体生长系统。本申请提供一种用于锑化铟晶体生长的石英坩埚防破裂冷却方法，首先在冷却开始前，通过调整坩埚在单晶炉内的相对位置，从根本上减小坩埚轴向的温...
    2026-05-03
  • 一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置
    一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置_山东粤海金半导体科技有限公司_202511930418.7
    本发明涉及单晶生长领域，具体涉及一种12英寸碳化硅单晶及其生长方法及装置。该方法包括以下步骤：(1)高纯碳化硅粉料准备；(2)装炉与生长腔预处理；(3)分段升温与动态渗氮；(4)生长阶段闭环控氮；(5)程序控冷及单晶生成。本发明通过预设功率...
    2026-05-03
  • 分子束外延加热装置、外延设备及外延加热方法
    分子束外延加热装置、外延设备及外延加热方法_上海新微半导体有限公司_202511847758.3
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种分子束外延加热装置、外延设备及外延加热方法。分子束外延加热装置包括第一加热单元、第二加热单元和加热区域调整单元；所述第一加热单元和所述第二加热单元沿第一方向排列设置；所述第一加热单元用于沿所述第一方向对基...
    2026-05-03
  • 一种碳化硅外延生长设备及方法
    一种碳化硅外延生长设备及方法_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202411138890.2
    本申请提供一种碳化硅外延生长设备及外延生长方法，该碳化硅外延生长设备，包括：外延生长模块、传输模块及气体供给系统，所述气体供给系统用于提供碳源气体、硅源气体、氮源气体、氢气、氯化氢气体或保护气体，氮源气体包括氨气；传输模块的传输装置用于将衬...
    2026-05-03
  • 氧化镓的制备与掺杂方法
    氧化镓的制备与掺杂方法_苏州镓港半导体有限公司_202511859418.2
    本发明公开了一种氧化镓的制备与掺杂方法，所述制备与掺杂方法包括：在衬底上外延生长III‑V族半导体层，其中，所述III‑V族半导体层包括GaPN，且所述III‑V族半导体层中氮原子的密度大于或等于1E20 atoms/cm3；对III‑V族...
    2026-05-03
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