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  • 本发明公开了一种高析氧电位的硼掺杂金刚石电极,用金刚石研磨液对单晶硅进行预处理,得到种晶后的单晶硅作为衬底,利用热丝化学气相沉积法制备得到硼掺杂金刚石电极;利用电化学工作站,采用计时电流法对硼掺杂金刚石电极进行氧化处理:以铂片电极作为对电极...
  • 本发明公开一种铝管内腔抗蚀抗生物膜的阳极氧化膜工艺,属于阳极氧化膜工艺领域,本发明采用在管内腔用电化学射流选择性溶Si,原位生成膜孔结构;再通过梯度脉冲阳极氧化,引入纳米氟化石墨烯缩小孔径;最后采用负压‑超声‑正压三段法将纳米银及PTFE氟...
  • 本发明涉及金属材料表面处理技术领域,具体公开了一种提高铝型材耐腐蚀性的表面处理装置及工艺,包括搬运组件和机架,所述机架的上端设有导向组件,所述搬运组件通过导向组件与机架滑动连接,机架内开设有去油室、清洗室、烘干室、浸泡室和风干室,机架内设置...
  • 本发明涉及铝型材表面处理领域,具体为一种光伏铝边框阳极氧化防腐蚀工艺及专用电解液,专用电解液含硫酸镍、氟化钠、醋酸锆、稳定助剂、络合剂和水,配套专用补加剂维持成分稳定,工艺包括预处理、阳极氧化、中间清洗、恒温封孔、纯化处理及干燥,其中阳极氧...
  • 本发明涉及一种提高铝合金阳极氧化遮蔽效果的方法,所述方法包括:对铝合金待遮蔽区域依次进行抛光处理、一次酸洗、一次水洗、一次碱洗、二次水洗、二次酸洗、三次水洗及干燥处理,随后将遮蔽材料设置在所述铝合金待遮蔽区域,并进行压平处理,完成遮蔽处理。...
  • 本公开提供了一种钛合金表面耐磨光滑微弧氧化涂层及其制备方法,涉及表面涂层技术领域。该制备方法包括:对钛合金构件进行清洗;将清洗后的钛合金构件作为阳极,将第一不锈钢作为阴极,浸没在第一微弧氧化电解液中,执行第一微弧氧化过程,以在钛合金构件的表...
  • 本发明属于镁铝系镁合金表面处理技术领域,具体涉及一种镁铝系合金表面黄色陶瓷膜层及其色泽调控方法,包括以下步骤:将预处理的镁合金没入含有着色剂的电解液中,进行微弧氧化,以在镁铝系镁合金表面生成不同黄色的陶瓷膜层;所述着色剂为重铬酸钾、高锰酸钾...
  • 本发明公开了一种高耐腐蚀性锶掺杂HA‑rGO‑ZnO复合涂层及其制备方法和应用,属于生物医用复合材料技术领域。制备方法包括:以ZK60镁合金作为基底,机械抛光后依次碱洗、酸蚀和活化处理,经去离子水超声清洗,干燥;无水乙醇中按比例加入HA粉末...
  • 本发明涉及线路板电镀技术领域,特别涉及一种线路板制造用电镀装置,包括基台,基台上端对称设置有驱动机构,且两个驱动机构分别位于两个侧板相背一侧的底部,两个侧板之间设置有辊轴,辊轴与驱动机构之间连接有第一连接轴,且第一连接轴转动安装在侧板内部,...
  • 本发明涉及汽车零件领域,更具体的说是一种新能源汽车钣金电镀系统。一种新能源汽车钣金电镀系统,包括磨具架,磨具架上焊接连接有下磨具,下磨具上方螺钉连接有液压缸。一种新能源汽车钣金电镀系统的工艺,包括以下步骤:S1:将钣金零件放置在下磨具上,启...
  • 本发明提供的一种电路板镀膜生产工艺,需要布置镀膜生产线,镀膜生产线包含挂架输送装置、若干电镀挂架、电路板上料工位、电镀槽、电路板水洗槽、电路板下料工位、挂架清洗干燥槽,挂架输送装置包含循环周转输送装置、降落机构、抬升机构,循环周转输送装置可...
  • 本发明涉及金属加工技术领域,更具体的说是一种电镀系统及电镀方法,包括电镀储液腔和转动连接在电镀储液腔内的承托圆板,承托圆板的上方固定连接有竖立方滑杆,竖立方滑杆上滑动连接有升降框板,升降框板上固定连接有两个导电圆柱,所述电镀储液腔上固定连接...
  • 本发明属于电镀装置技术领域,尤其是一种铜线自动电镀锡设备,包括用于电镀铜线的柱状电镀腔体以及用于支撑电镀腔体的底座,电镀腔体的表面呈环形阵列贯穿开设有进线孔,电镀腔体分为前端和尾端,前端和尾端之间设置有旋转伸缩机构。该铜线自动电镀锡设备,通...
  • 本发明涉及电镀池技术领域,具体为一种提升VCP电镀线电镀均匀性的装置,包括电镀池,所述电镀池的内部固定有金属网板,金属网板的下方设有转柄,转柄转动连接在电镀池的底板,转柄的表面固定有叶片,电镀池的顶部安装有安装架,安装架的表面安装有伺服电机...
  • 本申请涉及电镀设备领域,尤其是涉及一种液下辊防漏装置,包括镀液池和液下辊,本申请的镀液池具有外环板和内隔板,内隔板位于外环板的内侧,外环板和内隔板之间形成有溢流空间,溢流空间的设置,使得镀液不会对外环板产生压力,使得镀液难以从外环板渗漏出去...
  • 本申请涉及电镀装备机械设计领域,尤其是一种多功能高可换性卧式滚镀设备,包括,筒体,筒体的外侧壁设置有支脚用于稳定摆放筒体,筒体的端部设置有密封门,筒体内可拆卸安装有阳极;滚筒模块,滚筒模块沿筒体轴向移动进入筒体,滚筒模块与筒体可拆卸连接,滚...
  • 本发明涉及一种碳化硅晶须的制备方法,包括如下步骤:在空心二氧化硅球体的外表面生长有机碳层,得到所述碳硅空心球前体;然后在保护气氛中进行烧结,除碳,得到碳化硅团簇体;分散所述碳化硅团簇体,得到所述碳化硅晶须。本发明使用有机碳层作为硅碳空心球前...
  • 本发明提供了一种碳化硅晶须的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:喷雾干燥法制备得到碳硅空心球前体;然后在保护气氛中进行烧结,除碳,得到碳化硅晶须团簇体;分散所述碳化硅晶须团簇体,得到所述碳化硅晶须。本发明使用残碳率40%以上的有机碳层作为硅...
  • 本发明公布了一种仿生疏水硅酸钙单晶骨架的制备方法及其用途,将二氧化硅和氢氧化钙加水混匀,经过高温高压反应后得到浆料,将浆料经过压滤成片,再经过烧结得到硅酸钙单晶骨架,向硅酸钙单晶骨架表面持续通入不含氟的有机硅气体,同时利用直径为微米级的激光...
  • 本专利申请涉及一种新型二阶非线性光学晶体‑锗酸镉钾(K4Cd3Ge4O13),属于光学晶体材料领域。晶体采用高温固相法和高温溶液法制备,属于正交晶系,C2空间群,晶胞参数精确测量,展现出优异的非线性光学特性和宽广的光透过范围。该晶体的紫外截...
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