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  • 本发明提供一种喷嘴板的制造方法、液体喷射头以及液体喷射装置。本发明的喷嘴板的制造方法具备如下工序,即:第一工序,其准备如下基板,所述基板为,由硅形成的第一喷嘴层、由氧化硅形成的中间层、由硅形成的第二喷嘴层按该顺序层叠,并在所述中间层的一部分...
  • 本发明提供硬涂性优异、并且屈曲性优异、即使屈曲也可抑制裂纹的产生的层叠膜。本发明的实施方式的层叠膜具备基材和配置于基材的一个面的硬涂层。基材从硬涂层侧起依次包含第1树脂层和第2树脂层。硬涂层与第1树脂层的溶解度参数之差为1.5以上。
  • 一种在线瓦楞纸板设备包括:第一瓦楞组(10),适于形成第一带槽瓦楞(C1);第二瓦楞组(20),适于形成第二带槽瓦楞(C2);层压机(50),包括层压板(51)的料匣(52);以及用于联接层压板(51)的联接单元(60),适于将层压板(51...
  • 本发明涉及机器人以及机器人系统,提供检测方法、机器人系统以及程序,在谋求装置构成的简化、低成本化的同时,检测动力传递机构的过载。一种机器人,其特征在于,具备:基座;以及机械臂,与基座连接,包括具有具备动力传递机构的关节部的多个臂,关节部的动...
  • 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及物品制造方法,提供对涂敷有多种溶剂基板的干燥处理有利的技术。基板处理装置具备:气密容器,向内部搬送涂敷有饱和蒸气压力互不相同的多种溶剂的基板;减压机构,对上述气密容器的内部进行减压;控制部,在使上述减...
  • 本发明涉及一种用于对液体量进行配量的方法,具有以下步骤:使工作流体在移液器吸头保持器的至少从第一流体通道边界延伸到第二流体通道边界的流体通道中运动,利用与流体通道相关联的传感器组件测定经过第一流体通道边界和/或第二流体通道边界发生的流体运动...
  • 本发明涉及一种盘式过滤器,该盘式过滤器(10)包括具有壁(13A、13C、13D、13E、13F)的罩(13),该罩(13)包括位于至少一个壁(13A、13C、13D、13E、13F)中的至少一个检查开口(14),该盘式过滤器(10)包括至...
  • 公开了一种智能控制患者自控的药物递送。输注控制设备检测与该输注控制设备处于可操作通信下的患者自控的药物请求设备。该输注控制设备识别与该输注控制设备处于可操作通信下的传感器设备以及与该输注控制设备分离的药物递送装置。该输注控制设备选择用于批准...
  • 所公开的技术包括一种电极组件,该电极组件包括电极主体,该电极主体包括顶表面和底表面。该电极主体可被配置为至少通过该顶表面将消融能量递送到组织。该电极组件还可包括设置在该底表面附近的线圈。该线圈可被配置为当经受磁场时生成电压。该电极组件可包括...
  • 所公开的技术包括一种医疗探头的远侧末端。该远侧末端包括颈部和沿纵向轴线延伸的脊状物。颈部从远侧末端的近侧端部延伸。脊状物连接到颈部并且从远侧末端的中间部分延伸至远侧末端的远侧端部。脊状物能够在塌缩构型与膨胀构型之间移动。在塌缩构型中,脊状物...
  • 本申请涉及用于交通工具座椅的挤出网状主体的制造方法和由其制成的制品。一种主体,由多根挤出聚合物长丝随机地定向并且结合在一起以形成三维网状结构而制成。主体在挤出方向或纵向方向上是长形的。挤出聚合物长丝的第一区具有第一密度,并且挤出聚合物长丝的...
  • 公开显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括:像素电极,在基板上;像素限定层,在基板和像素电极上,并且限定暴露像素电极的至少一部分的像素开口;第一侧壁图案,在像素限定层上并且包含导电材料;第二侧壁图案,在第一侧壁图案上,并且具有在截面图中...
  • 本发明涉及用于封装有机发光元件的组合物以及利用其的显示装置,具体地涉及一种由光引发剂、第一光固化性单体及第二光固化性单体组成的有机发光元件封装用组合物,所述第一及第二光固化性单体不包含硅及芳香族烃,制备符合喷墨工艺的介电常数低及膜硬度高的封...
  • 本发明主要涉及一种光电器件(1),包括:堆叠结构(11),该堆叠结构包括:i.彼此间隔布置的多个发光二极管(111),以及ii.布置在二极管之间的多个导电端子(112);在堆叠结构上延伸的光约束层(12),包括反射壁(121),在反射壁之间...
  • 集成电路器件包括半导体器件的多个行。多个行沿第一轴伸长并且沿横向于所述第一轴的第二轴并排布置。多个行包括沿第二轴具有第一高度的第一行和沿第二轴具有第二高度的第二行。第二高度小于第一高度。每行包括第一导电类型的第一有源区和与第一导电类型不同的...
  • 一种集成电路器件可以包括:第一晶体管,包括在第一水平方向上具有第一宽度的第一纳米片、围绕第一纳米片并在第一纳米片的在垂直于第一水平方向的第二水平方向上的第一侧上延伸的第一栅极结构、以及在第一纳米片的在第一水平方向上的相对侧上的第一源极/漏极...
  • 方法包括:形成包括多个半导体纳米结构的多层堆叠件。多层堆叠件包括:半导体纳米结构;以及牺牲半导体层,位于半导体纳米结构上方。方法还包括:在半导体纳米结构上方沉积接触半导体纳米结构的半导体层;去除牺牲半导体层;以及形成包围半导体纳米结构和半导...
  • 本申请涉及功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器。根据实施方式的功率半导体器件包括:基板、设置在基板上的第一导电类型的外延层、设置在第一导电类型的外延层上的JFET区域、在JFET区域中彼此间隔开设置的第二导电类型的多个第二阱、设...
  • 本发明涉及一种用于制造OxRAM电阻式存储单元的方法,该方法包括以下步骤:‑形成TiN下电极,‑首先,以一次注入剂量和一次注入加速电压将硅原子注入到下电极中,该一次注入剂量严格为正且严格低于0.7×1014cm
  • 提供了一种竖直非易失性存储器件以及包括该竖直非易失性存储器件的电子装置。该竖直非易失性存储器件包括:多个单元串,多个单元串中的每个单元串包括沟道层;电荷隧穿层,在沟道层上;电荷陷阱层,在电荷隧穿层上;第一电荷阻挡层,在电荷陷阱层上;第二电荷...
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