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  • 本发明涉及AR眼镜辅助医师手术技术领域,其公开了一种基于AR眼镜的医师辅助操作系统及方法,包括图像采集模块、图像处理模块、路径规划模块、AR眼镜显示模块;本发明通过CT等设备获取患者实时影像,为医师提供全面的身体信息,并利用灰度和颜色特征处...
  • 本发明公开了一种椎弓根通道自动规划方法,包括:S1、训练通道位置点生成模型;S2、获取患者目标椎节的三维影像,获取椎弓根区域中的椎弓根表面点云;S3、对患者目标椎节的三维影像生成其上分别位于椎体区域和椎弓根区域上的通道位置点,据此获取患者目...
  • 本发明公开了针线一体埋线器,包括针柄、针杆、锁线环和可吸收外科缝线,所述针杆的顶端与针柄连接在一起而底端沿着杆孔穿过锁线环并设有具有斜面的刀刃部,所述可吸收外科缝线的其中一端从刀刃部伸入针杆的杆孔之中而另外一端在弯折后沿着线槽穿过锁线环,使...
  • 本发明公开了一种适用于心电图采集设备的心房颤动和心室颤动的自动识别系统,该系统包括数据预处理、特征提取、特征整合、时序分析和决策识别模块。其中数据预处理模块负责分割心拍、标准化数据;特征提取模块利用分组卷积技术独立提取每个导联内的特征;特征...
  • 本发明涉及认知评估领域,具体涉及一种基于眼动追踪的认知能力评估方法及系统、程序产品。方法包括以下步骤通过交互式电子游戏对受测者进行测试,采集测试中的显性行为特征,所述显形行为特征包括任务完成时间、正确率;采集受测者在测试过程中的眼动数据的时...
  • 本发明提供了一种滚刷筒、吸尘附件及清洁装置,其包括具有刀片切口的第一筒体部、与第一筒体部相连接并形成一中空筒体的第二筒体部、位于第一筒体部和第二筒体部之间且位于中空筒体内的筒体腔、位于筒体腔内的旋转轴组件、固定在第一筒体部或第二筒体部上且至...
  • 本发明提供一种低苦味降糖粉皮及其制备方法,涉及功能食品加工技术领域。一种低苦味降糖粉皮,包括如下质量比的各组分:酶解淀粉15~26%、降糖组分4~15%、膳食纤维5~15%、水55~65%,所述降糖组分包括皂苷,所述皂苷选自金银花皂苷、蒺藜...
  • 本发明涉及一种低GI、高纤维的功能糖组合蛋糕及其制备方法。所述功能糖组合蛋糕由下而上依次为低GI蛋糕基体、洋车前子夹心层、低GI蛋糕基体以及益生菌乳酪淋面酱;所述低GI蛋糕基体均由蛋清、蛋黄、海藻糖、麦芽糖醇、β‑葡聚糖、魔芋多糖、面粉替代...
  • 本发明公开了一种可伸缩式养殖工船,涉及船舶设计技术领域,其中该可伸缩式养殖工船包括船体、养殖网箱、伸缩组件和水循环系统,船体内设有养殖空间,养殖空间设有开口,开口朝向船体的舷侧方向;养殖网箱设于养殖空间内;养殖网箱朝向船体的外侧设有板层,板...
  • 本发明涉及深水养殖网箱技术领域,具体涉及一种基于聚乙烯复合材料的长效抗藻深水养殖网箱及制作方法,包括渔箱本体,所述渔箱本体设置在深水区,渔箱本体的截面形状设置为梯形结构;连接组件,安装在渔箱本体的下端,呈圆周阵列安装,用于固定渔箱本体避免其...
  • 本发明属于忆阻器制备技术领域,具体公开了一种柔性纤维忆阻器及制备方法和应用,包括以下步骤:首先,按比例,溶解得到溶液A、溶液B、溶液C、溶液D和溶液E;其次,将碳纤维放入溶液A中静置,水洗,放入溶液B中敏化,放入溶液C中活化,放入溶液D中得...
  • 本发明属于太阳能电池技术领域,具体公开一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法,该电池包括通过激光划线实现串联连接的多个子电池,各子电池由有效发电区和死区组成。有效发电区包括依次叠设的透明玻璃基板、透明导电层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和透明...
  • 本发明公开了一种基于异形多孔氧化镍的钙钛矿电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。该电池包括依次层叠的基底、异形多孔NiO层、SAM层、钙钛矿层、电子传输层和背电极层。所述SAM层与异形多孔NiO层接触,填充并覆盖其多孔表面,通过化学键与...
  • 本发明提供了一种基于多孔氮化硅插入层的高质量氮化镓薄膜的制备方法,其为:首先在图案化蓝宝石衬底上依次沉积GaN低温缓冲层和受到压缩应变的u‑GaN层;再在u‑GaN层上原位沉积多孔SiNx插入层,多孔SiNx...
  • 本发明公开了一种降低延伸波长InGaAs探测器扩散损伤的方法,锌原子在探测器外延材料表层进行热扩散形成PN结后,材料有源区内因晶格失配产生的位错缺陷在热应力驱动下进一步传递,引起晶格损伤增加,通过在扩散后引入周期性处理,并采用特定温度时间曲...
  • 本申请公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,以提高背接触电池的双面率,提高背接触电池的转换效率。背接触电池包括半导体基底、掺杂半导体部和间隔区。掺杂半导体部包括第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部。第一掺杂半导体部和第...
  • 本发明公开基于异质P型阻挡层的Ga2O3垂直功率晶体管及其制备方法,涉及半导体技术,针对现有技术中耐压特性差等问题提出本方案。N型氧化镓漂移层上方设置异质P型阻挡层,异质P型阻挡层与N型氧化镓漂移...
  • 本申请实施例提供一种场效应晶体管及其制造方法,其中,场效应晶体管包括:基底;形成于基底之上的外延层;形成于外延层上部的第一源极注入区和第二源极注入区;第一源极注入区和第二源极注入区在厚度方向上没有重叠部分,且第一源极注入区的顶面高度低于第二...
  • 本申请提供一种晶体管结构及其制作方法,晶体管结构包括衬底基板,以及设置于衬底基板上的异质结膜层、半导体栅极层、刻蚀停止层、合金层和金属栅极层;合金层位于半导体栅极层和金属栅极层之间;半导体栅极层在衬底基板上的正投影与金属栅极层在衬底基板上的...
  • 本申请提供了一种碳化硅双极结型晶体管及其制备方法。碳化硅双极结型晶体管包括:衬底;外延层,形成在衬底之上;基区,自外延层的上表面向下形成,且基区的下表面和所述外延层的下表面之间具有间隔;第一掺杂类型的发射区,形成在基区之上;发射极金属,形成...
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