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最新专利技术
  • 一种钙钛矿电池封装方法及钙钛矿电池
    一种钙钛矿电池封装方法及钙钛矿电池_飞秒创芯(成都)光电技术有限公司_202510675119.7
    本发明提供了一种钙钛矿电池封装方法及钙钛矿电池，涉及钙钛矿电池技术领域。该钙钛矿电池封装方法包括：在ITO玻璃上涂覆钙钛矿，形成钙钛矿层。将所述钙钛矿层形成预设形状，且使得所述钙钛矿层的外轮廓与所述ITO玻璃的外轮廓形成预设间距。将所述IT...
    2025-12-29
  • 显示装置及其显示面板
    显示装置及其显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202510677559.6
    本公开涉及显示技术领域，具体涉及显示装置及其显示面板；该显示面板具有显示控制层、间隔层以及滤光层，间隔层位于所述显示控制层的出光侧；所述间隔层的杨氏模量不大于100GPa；滤光层位于所述间隔层远离所述显示控制层的一侧，所述滤光层包括依次层叠...
    2025-12-29
  • 一种反式钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法
    一种反式钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法_深圳职业技术大学_202510674566.0
    本发明涉及一种反式钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法。其中，所述反式钙钛矿太阳能电池器件的结构包括自下而上依次叠加设置的透明导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、阴极缓冲层和金属背电极层；其特征在于：在所述空穴传输层与所述钙钛矿层之间引...
    2025-12-29
  • 一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法
    一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法_吉林大学_202510671206.5
    一种氮极性GaN基HEMT‑LED集成芯片及其制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。该芯片在同一衬底上集成氮极性HEMT和氮极性LED器件，HEMT由衬底层、AlN缓冲层、高阻GaN模板层、AlxGa1‑x<...
    2025-12-29
  • 一种半环飞轮固晶机及其角度纠偏方法
    一种半环飞轮固晶机及其角度纠偏方法_东莞市迈斯拓智能科技有限公司_202510677648.0
    本发明提供了一种半环飞轮固晶机，包括工作台，所述工作台上设有龙门组件，所述龙门组件上设有半环飞轮系统，所述半环飞轮系统包括正负压集成系统、X轴横移模组、Z轴升降模组、半环飞轮DD组、半环摆臂组和摆臂，其中，所述X轴横移模组设置在所述龙门组件...
    2025-12-29
  • 一种三台面结构雪崩光电探测器及其制作方法
    一种三台面结构雪崩光电探测器及其制作方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202510674553.3
    本申请提供一种三台面结构雪崩光电探测器及其制作方法，所述制作方法包括：提供外延片，所述外延片包括自下而上依次堆叠的衬底、缓冲层、n型接触层、倍增层、第一组分渐变层、吸收层、第二组分渐变层以及p型接触层；对所述p型接触层进行一次光刻，并采用第...
    2025-12-29
  • 对电池片激光辅助烧结的方法、电池片、光伏组件、发电装置和用电装置
    对电池片激光辅助烧结的方法、电池片、光伏组件、发电装置和用电装置_天合光能股份有限公司_202510674492.0
    本申请属于光伏电池技术领域，具体公开了一种对电池片激光辅助烧结的方法、电池片、光伏组件、发电装置和用电装置，该方法包括：将所述第一电池片划分不同区域，所述不同区域中所述高掺杂层和/或所述掺杂多晶硅层的方阻、所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层...
    2025-12-29
  • 一种BC结构电池片及其制备方法
    一种BC结构电池片及其制备方法_理想晶延半导体设备(浙江)有限公司_202510672833.0
    本申请提供一种BC结构电池片及其制备方法，方法包括：S100、在整片n型硅片上完成xBC电池背面结构处理、正面制绒及背面金属化工艺以制作待划分结构；S200、采用激光划片工艺将整片所述待划分结构分割为至少两个子结构，每个子结构包含交替设置的...
    2025-12-29
  • 一种硒化铅室温中波红外探测器及其制备方法与应用
    一种硒化铅室温中波红外探测器及其制备方法与应用_华中科技大学_202510672034.3
    一种硒化铅室温中波红外探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用磁控溅射技术，以氧气作为反应气体，在基底上沉积硒化铅薄膜层；(2)将硒化铅薄膜置于水平管式炉，在常压纯氧中实现高温氧化；(3)将硒化铅薄膜置于立式管式炉，在常压环境下实现高温碘...
    2025-12-29
  • 平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管凸结的一次性扩散制备方法
    平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管凸结的一次性扩散制备方法_西南技术物理研究所_202510670889.2
    本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管凸结的一次性扩散制备方法，包括以下过程：形成InGaAs/InP雪崩外延材料，在外延材料表面依次经过表面钝化、扩散孔光刻、扩散孔掩膜刻蚀、扩散掺杂工艺，完...
    2025-12-29
  • 一种复合梯度渐变的碲镉汞nBn红外光电探测器及其制备方法
    一种复合梯度渐变的碲镉汞nBn红外光电探测器及其制备方法_南通大学_202510673193.5
    本发明公开了一种复合梯度渐变的碲镉汞nBn红外光电探测器及其制备方法，属于红外光电探测器技术领域，针对单势垒层和吸收层界面缺陷态陷阱引起的暗电流问题，在单势垒层和吸收层之间引入由镉组分双台阶式梯度渐变层和铟掺杂浓度单台阶式梯度渐变层协同构成...
    2025-12-29
  • 光伏电池串、光伏组件及光伏电池串的制备方法
    光伏电池串、光伏组件及光伏电池串的制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202510674473.8
    本发明公开了一种光伏电池串、光伏组件及光伏电池串的制备方法，光伏电池串包括：至少两个电池片、第一互联结构、第二互联结构和焊带，第一互联结构包括：设置于第一电极上方且与第一电极电接触的第一导电层，固定设置于电池片的第一表面上且位于第一电极旁侧...
    2025-12-29
  • 一种用于MISHEMT器件的复合栅介质层、耗尽型MISHEMT器件及其制备方法
    一种用于MISHEMT器件的复合栅介质层、耗尽型MISHEMT器件及其制备方法_山东大学_202510670342.2
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于MISHEMT器件的复合栅介质层、耗尽型MISHEMT器件及其制备方法。本发明通过电子回旋共振物理气相沉积镀膜技术在常温下制备复合栅介质，所述复合栅介质层包括相邻的第一层栅介质层和第二层栅介质层；所...
    2025-12-29
  • 一种降低金半接触界面电阻并抑制金属扩散的界面掺杂改性方法
    一种降低金半接触界面电阻并抑制金属扩散的界面掺杂改性方法_上海交通大学_202510669039.0
    本发明公开了一种降低金半接触界面电阻并抑制金属扩散的界面掺杂改性方法，其是在金半接触下对其界面进行金属或非金属元素掺杂改性；其中金半接触为CoSi2和Si体系，金属元素为电负性弱的金属元素，选自Zr、Sc、Ti、Hf中...
    2025-12-29
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510677163.1
    本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，衬底的表面具有朝向衬底内部延伸的第一浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构用于隔离位于衬底的表面的NMOS晶体管区域；第一浅沟槽隔离结构包括：第一沟槽以及位于第...
    2025-12-29
  • 一种阈值可调的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
    一种阈值可调的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管_西安微电子技术研究所_202510673657.2
    本发明公开了一种阈值可调的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：漂移区；体区，从漂移区的上表面向下形成于漂移区内；栅氧化层，形成于漂移区和体区的上表面；PN结复合多晶硅栅极，形成于栅氧化层的上表面，由第一型多晶硅和第二型多晶硅构成，...
    2025-12-29
  • 一种垂直型MOSFET器件及其制备方法
    一种垂直型MOSFET器件及其制备方法_湖北九峰山实验室_202510678861.3
    本申请提供一种垂直型MOSFET器件及其制备方法，包括衬底以及位于衬底一侧的外延层、多个阱区、多个源极掺杂区域、辅助导通结构、栅极介质层、栅极金属层和源极金属层；外延层具有第一掺杂类型，阱区位于外延层内，阱区具有第二掺杂类型，源极掺杂区域位...
    2025-12-29
  • 一种薄膜晶体管及其制备方法
    一种薄膜晶体管及其制备方法_上海大学_202510677659.9
    本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。本发明在衬底部分上表面依次形成栅电极层、栅绝缘层、初始源电极和初始漏电极；采用干法刻蚀的方法对初始源电极和初始漏电极的整面进行刻蚀，形成源电极、漏电极、源电极和漏电极之间的沟道...
    2025-12-29
  • 一种吸波材料
    一种吸波材料_张帆_202510669250.2
    本发明提供了一种吸波材料，属于电磁吸波技术领域。该一种吸波材料，包括金属反射底层、吸波中间层与散射上层，所述吸波中间层由四氧化三铁负载还原氧化石墨烯与环氧树脂(Fe3O4@RGO/EP)复合材料制...
    2025-12-29
  • 一种快拆壳体组件及电子产品
    一种快拆壳体组件及电子产品_惠州市通立电子有限公司_202510675466.X
    本发明公开了一种快拆壳体组件及电子产品，该快拆壳体组件包括底盒和盒盖，底盒内形成有具有开口的容纳腔，容纳腔内设有第一锁定件，盒盖盖设于开口并与开口的周缘滑动连接，盒盖上设有用于与第一锁定件卡接的第二锁定件，盒盖被配置为沿开口的周缘往复滑动，...
    2025-12-29
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