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最新专利技术
  • 高CMTI隔离器链路设计及相关方法
    高CMTI隔离器链路设计及相关方法_美国亚德诺半导体公司_202510369038.4
    本公开涉及高CMTI隔离器链路设计及相关方法。本文描述了可用于高功率应用的片上隔离器器件， 其设计用于在不牺牲隔离器增益的情况下增强高共模瞬态抗扰度(CMTI)。隔离器器件包括两个管芯。第一管芯支撑隔离屏障， 并且第二管芯无屏障。第二管芯是...
    2026-04-12
  • 功率高效时钟缓冲器
    功率高效时钟缓冲器_德州仪器公司_202510262424.3
    本公开涉及功率高效时钟缓冲器。描述用以促进用于数据时钟同步的相位检测的方法、设备和系统。实例相位检测电路系统包含：振荡器， 其具有输出；频率调整器电路系统(302)， 其具有输入、第一输出和第二输出， 所述频率调整器电路系统(302)的所述...
    2026-04-12
  • 电平移位缓冲装置、系统以及其操作方法
    电平移位缓冲装置、系统以及其操作方法_华邦电子股份有限公司_202510212030.7
    本发明提供一种电平移位缓冲装置、系统以及其操作方法， 包含输入缓冲电路、可配置电路以及电平移位电路。输入缓冲电路接收处于由电平移位缓冲装置支持的多个电压电平当中的第一电压电平的输入/输出(I/O)电源电压。输入缓冲电路根据输入/输出电源电压...
    2026-04-12
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台积电(南京)有限公司_202410346357.9
    一种半导体装置及其制造方法， 半导体装置包含一功能电路、一天线电路及一第一隔离电路。该功能电路用以接收一第一参考电压信号及一第二参考电压信号。该天线电路用以接收该第一参考电压信号以与该功能电路共用电荷。该第一隔离电路放置于该功能电路与该天线...
    2026-04-12
  • 一种驱动电路及信号发射芯片
    一种驱动电路及信号发射芯片_武汉二进制半导体有限公司_202510894419.4
    本发明公开了一种驱动电路及信号发射芯片， 涉及通信芯片技术领域， 所述驱动电路包括：幅值放大电路和阻抗匹配电路， 所述幅值放大电路用于对外部的差分输入信号进行幅值放大后输出至所述阻抗匹配电路， 所述阻抗匹配电路与所述幅值放大电路连接， 用于...
    2026-04-12
  • 用于车辆的触摸开关装置及其制造方法
    用于车辆的触摸开关装置及其制造方法_现代自动车株式会社_202411232293.6
    提出了用于车辆的触摸开关装置和制造触摸开关装置的方法。触摸开关装置包括作为车辆内饰材的外部面板， 在其上刻印有用于选择车辆功能的符号。触摸开关装置还包括开关本体， 在开关本体上镀覆将对符号的触摸感测为电容值的触摸电极图案， 符号照射用LED...
    2026-04-12
  • 一种固态按键功能实现电路和终端
    一种固态按键功能实现电路和终端_中兴通讯股份有限公司_202410381330.3
    本公开实施例提供了一种固态按键功能实现电路和终端。该固态按键功能实现电路包括触摸面板、电源模块、信号增益模块、信号判决模块和执行模块；触摸面板上有第一感应组件；电源模块在终端的各种状态下持续为触摸面板、信号增益模块、信号判决模块和执行模块供...
    2026-04-12
  • 基于非线性半导体温控特性的可控硅自适应节能触发电路及系统
    基于非线性半导体温控特性的可控硅自适应节能触发电路及系统_江苏捷捷微电子股份有限公司_202510755341.8
    本发明公开了基于非线性半导体温控特性的可控硅自适应节能触发电路及系统， 涉及电力电子技术领域， 包括：负载R的一端与零线连接， 负载R的另一端与可控硅的阴极连接， 可控硅的阳极与限流电阻R1的一端及火线连接， 电阻R1的另一端与非线性半导体...
    2026-04-12
  • 一种开关自锁电路
    一种开关自锁电路_西安军陶科技有限公司_202510810444.X
    本发明提供了一种开关自锁电路， 包括：电源、开机信号接收模块、第一分压电阻模块、可控硅、三极管、驱动光耦模块和输出模块， 其中：开机信号接收模块的第一端接电源， 开机信号接收模块的第二端与可控硅的控制端电连接；可控硅的阳极与第一分压电阻模块...
    2026-04-12
  • 一种栅极驱动单元
    一种栅极驱动单元_成都芯源系统有限公司_202510363165.3
    本申请请求保护一种栅极驱动单元具有适用于被配置为控制端的第一端子、适用于被配置为参考接地端的第二端子和适用于被配置为输出端的第三端子。栅极驱动单元可在第一端子接收脉宽调制信号并在第三端子提供开关驱动信号。栅极驱动单元可检测或监测流过第三端子...
    2026-04-12
  • 一种固态继电器控制电路及控制方法
    一种固态继电器控制电路及控制方法_上海儒竞自动控制系统有限公司_202410377811.7
    本发明提供一种固态继电器控制电路及控制方法， 所述控制电路包括：第一驱动控制模块、第二驱动控制模块及开关模块；所述第一驱动控制模块连接至第一可控硅， 用于驱动所述第一可控硅工作；所述开关模块分别与所述第一驱动控制模块及所述第二驱动控制模块连...
    2026-04-12
  • 一种上电复位电路与芯片
    一种上电复位电路与芯片_深圳市电科星拓科技有限公司_202511212501.0
    本申请提出一种上电复位电路与芯片， 涉及集成电路技术领域。该上电复位电路包括比较器、电源分压单元、参考电压单元以及上下电响应单元， 参考电压单元用于在建立工作状态后， 产生参考电压与基准电流；上下电响应单元用于在参考电压与基准电流未完全建立...
    2026-04-12
  • 一种小面积高可靠性的可调复位电路
    一种小面积高可靠性的可调复位电路_电子科技大学_202510849463.3
    一种小面积高可靠性的可调复位电路， 包括电压检测与信号产生电路和调整电路。电压检测信号产生电路用于检测电源电压和输出复位信号， 当电源电压低于设置的检测电压时， 电路输出低电平复位信号， 当电源电压高于设置的检测电压时， 输出电源电压。调整...
    2026-04-12
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411990628.0
    一种半导体器件， 该半导体器件包括：功率半导体， 该功率半导体包括主晶体管；以及分压器， 该分压器连接到功率半导体， 并且包括多个电容器、连接在多个电容器之间的电压输出电路、以及连接到电压输出电路的复位晶体管， 其中， 主晶体管的栅电极连接...
    2026-04-12
  • 一种具有并联均流功能的SiC MOSFET有源栅极驱动方法
    一种具有并联均流功能的SiC MOSFET有源栅极驱动方法_哈尔滨工业大学_202510793444.3
    一种具有并联均流功能的SiC MOSFET有源栅极驱动方法， 涉及电力电子技术领域。采用主‑辅双支路驱动结构， 具有主支路单独使能以及主‑辅双支路同时使能两种基本驱动模式， 通过器件开关过程中分配两种模式的使能时序实现对器件的动态调整， 选...
    2026-04-12
  • 使用感测开关元件控制功率开关元件
    使用感测开关元件控制功率开关元件_英飞凌科技股份有限公司_202510371261.2
    本公开涉及使用感测开关元件控制功率开关元件。一种用于控制功率开关元件的电路， 包括：驱动开关元件， 被配置为使用驱动电流将电压源耦合到功率开关元件的栅极；以及感测开关元件， 被配置为基于参考电流生成驱动开关元件处的电压降的指示。该电路还包括...
    2026-04-12
  • IGBT模块的过压控制方法及装置
    IGBT模块的过压控制方法及装置_宁波科星材料科技有限公司_202510634691.9
    本申请涉及过压控制技术领域， 其具体地公开了一种IGBT模块的过压控制方法及装置， 其在接收到关断指令后， 采用深度学习算法对集电极电流时序数据进行时序关联分析， 提取集电极电流的短时波动特征， 并结合初始门极电阻值动态预测关断过程可能产生...
    2026-04-12
  • 一种用于直驱型功率半导体器件的驱动供电安全保护电路
    一种用于直驱型功率半导体器件的驱动供电安全保护电路_东南大学_202510657598.X
    本发明公开了一种用于直驱型功率半导体器件的驱动供电安全保护电路， 包括驱动电路、保护电路和功率器件；功率器件包括耗尽型功率半导体器件和增强型功率半导体器件；驱动电路包括第一外部供电单元、第二外部供电单元、驱动单元和第一电阻；保护电路包括第二...
    2026-04-12
  • 栅极驱动电路故障检测技术
    栅极驱动电路故障检测技术_美国亚德诺半导体公司_202510377138.1
    本公开涉及栅极驱动电路故障检测技术。描述了一种使用两个或多个去饱和电路阈值的去饱和检测电路， 当故障操作模式下存在有源短路(ASC)信号时， 该电路将正常操作模式下的去饱和阈值转换为更高的电压。包括两个或多个去饱和检测电路阈值在正常操作模式...
    2026-04-12
  • 半导体器件和包括该半导体器件的功率半导体系统
    半导体器件和包括该半导体器件的功率半导体系统_三星电子株式会社_202411842289.1
    提供了一种半导体器件及包括该半导体器件的功率半导体系统。半导体器件包括：高电子迁移率晶体管；短路检测电路， 该短路检测电路被配置为基于高电子迁移率晶体管的栅极电压和高电子迁移率晶体管的漏极电压输出短路保护电压；以及保护电路， 该保护电路被配...
    2026-04-12
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