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最新专利技术
  • 一种沟槽MOS器件及其制造方法
    一种沟槽MOS器件及其制造方法_万芯半导体(宁波)有限公司_202510929984.X
    本申请涉及一种沟槽MOS器件， 包括衬底和外延层， 外延层上设置有多个多晶硅栅极且多个多晶硅栅极嵌入外延层设置， 多晶硅栅极的底部和侧面设置有栅氧化层， 外延层上垂直注入P型轻掺杂离子形成有P型体区， 外延层上垂直注入N型重掺杂离子形成有高...
    2025-11-20
  • 一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
    一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511157188.5
    本发明公开了一种势垒层凹槽刻蚀的GaN基增强型HEMT器件及其制备方法， 涉及半导体器件制造技术领域， 其包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、第一势垒层、刻蚀阻挡层、第二势垒层、离子注入区、源漏极、栅介质层、栅极、钝化层及金属互连层。通过引入...
    2025-11-20
  • 抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法
    抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202510953603.1
    本申请公开了一种抗单粒子型高电子迁移率晶体管及制造方法， 抗单粒子型高电子迁移率晶体管， 其中， 包括层叠设置的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层和栅极结构层， 沟道层的远离缓冲层的表面还设有源极结构和漏极结构， 源极结构和漏极结构分别连接于势...
    2025-11-20
  • 高电子迁移率晶体管装置
    高电子迁移率晶体管装置_英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司_202510941792.0
    一种高电子迁移率晶体管装置包括主动区、两栅极总线、源极总线、第一源极场板、多个源极接触部、第二源极场板、顶面金属层、及第二源极场板接触部。两栅极总线位于主动区并沿第一方向延伸。源极总线位于主动区且设于两栅极总线之间。第一源极场板位于主动区且...
    2025-11-20
  • 基于P、N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法
    基于P、N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法_武汉大学_202510901824.4
    本公开实施例提供了一种基于P、N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法， 属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管包括：金刚石衬底；第一类型金刚石层；第二类型金刚石层， 第二区域为第二类型金刚石层所在的区域， 第一类型金刚石层为N型金刚石...
    2025-11-20
  • 基于N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法
    基于N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法_武汉大学_202510901819.3
    本公开实施例提供了一种基于N型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法， 属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管包括：金刚石衬底；N型金刚石层， 设置于金刚石衬底上， 用于形成二维电子气通道；势垒层， 设置于N型金刚石层上， 势垒层的材料包...
    2025-11-20
  • 具有复合界面钝化层的P-GaN栅极HEMT器件及制备方法
    具有复合界面钝化层的P-GaN栅极HEMT器件及制备方法_西安电子科技大学_202510893654.X
    本发明公开了一种具有复合界面钝化层的P‑GaN栅极HEMT器件及制备方法， 涉及半导体技术领域， 包括：依次层叠设置的衬底和缓冲层；势垒层， 位于缓冲层上， 且位于缓冲层上的中间区域；源极和漏极， 位于缓冲层上；P型氮化镓层， 位于势垒层上...
    2025-11-20
  • 一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法
    一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511266291.3
    本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法、另一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法、一种用于屏蔽栅沟槽型功率器件的半导体结构及一种屏蔽栅沟槽型功率器件。一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法包括：提供形成有沟槽结构的半导体衬底；在沟槽表面形成...
    2025-11-20
  • 一种三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法
    一种三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法_复旦大学_202511202684.8
    本发明提供了一种三面沟槽结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法， 包括：在碳化硅衬底上生长碳化硅外延， 注入形成P‑well区；在P‑well区上形成第一阻挡层， 注入形成P+区；去除第一阻挡层， 形成第二阻挡层， 进行注入形成N+区；...
    2025-11-20
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件_上海芯导电子科技股份有限公司_202510992217.3
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件， 在现有的屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备工艺的基础上， 在形成屏蔽栅后， 通过将屏蔽栅与第一沟槽之间的第一绝缘层的顶面做成背向第一沟槽的槽口凹陷的弧面的方式...
    2025-11-20
  • 一种超短沟道二维半导体场效应晶体管及其制备方法
    一种超短沟道二维半导体场效应晶体管及其制备方法_南京邮电大学_202510966557.9
    本发明公开了一种超短沟道二维半导体场效应晶体管及其制备方法， 涉及集成电路技术领域， 包括利用原子层沉积技术在重掺杂硅片表面沉积具有高介电常数的超薄氧化物介质层；利用通过剥离或者化学气相沉积法在介质层上制备超薄的二维半导体；利用干法转移技术...
    2025-11-20
  • 低接触电阻的高压SiC器件制备方法及SiC器件
    低接触电阻的高压SiC器件制备方法及SiC器件_江苏昕感科技有限责任公司_202510963925.4
    本发明涉及一种低接触电阻的高压SiC器件制备方法， 包括如下步骤：步骤1：在SiC外延衬底上完成P型井区、场氧化层、源极和栅极的制备；步骤2：采用热氧化工艺， 仅在栅极表面生长氧化层；步骤3：采用自动对准金属硅化合物工艺， 在SiC与金属接...
    2025-11-20
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202510863051.5
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法， 所述方法包括：在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状沟道；其中， 柱状沟道的延伸方向垂直于晶圆表面；柱状沟道沿平行于晶圆表面的第一方向和平行于晶圆表面的第二方向阵列分布；在晶体管阵列的各柱状沟道的一侧...
    2025-11-20
  • 一种半导体器件的制备方法
    一种半导体器件的制备方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812318.8
    本发明涉及半导体制造技术领域， 具体涉及一种半导体器件的制备方法， 半导体器件包括衬底， 衬底具有若干沟槽， 相邻的沟槽之间的衬底形成鳍部， 鳍部的上端具有掩膜层；制备方法包括以下步骤：第一沉积步：在沟槽内沉积第一介质层， 第一介质层的厚度...
    2025-11-20
  • 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202510718025.3
    本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆， 涉及半导体技术领域， 半导体器件的制备方法包括形成半导体本体， 半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面， 在第一表面上形成栅极结构。形成应力层， 应力层位于栅极结构远...
    2025-11-20
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410370924.4
    一种半导体结构的形成方法， 包括：提供基底， 基底上形成有多个沿纵向依次堆叠的沟道叠层， 沟道叠层包括第一牺牲层和第一牺牲层上的沟道层；形成横跨沟道叠层且覆盖沟道叠层部分顶部和侧壁的栅极结构；去除栅极结构两侧的沟道叠层；横向去除部分宽度的第...
    2025-11-20
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410347787.2
    一种半导体结构的形成方法， 包括：在伪栅结构两侧的沟道叠层结构中形成源漏凹槽后， 先对所述源漏凹槽的侧壁进行预清除操作， 以使所述源漏凹槽暴露所述沟道叠层结构的侧壁， 以确保各位置处的牺牲层能够充分暴露， 则后续沿所述沟道层宽度方向去除源漏...
    2025-11-20
  • 一种宽正偏安全工作区的沟槽型绝缘栅双极晶体管及制备方法
    一种宽正偏安全工作区的沟槽型绝缘栅双极晶体管及制备方法_上海维安半导体有限公司_202510924672.X
    本发明涉及功率器件技术领域， 具体涉及一种宽正偏安全工作区的沟槽型绝缘栅双极晶体管及制备方法， 包括：漂移区， 漂移区的上方依次形成有第一阱区和第二阱区；第一阱区的掺杂浓度高于第二阱区的掺杂浓度， 以使得第一阱区的载流子浓度大于第二阱区的载...
    2025-11-20
  • 一种GaN基二极管及其制备方法
    一种GaN基二极管及其制备方法_电子科技大学_202510774308.X
    本发明属于功率半导体技术领域， 尤其是涉及一种GaN基二极管及其制备技术。本发明在传统的肖特基p‑GaN栅HEMT的阳极上集成了凹槽肖特基二极管， 凹槽的刻蚀以及阳极肖特基金属沉积与p‑GaN HEMT栅极肖特基金属制备工艺的钝化层开孔以及...
    2025-11-20
  • 一种超低结电容TVS防护器件的制备方法
    一种超低结电容TVS防护器件的制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202511181026.5
    本发明涉及半导体器件制造技术领域， 具体地说， 涉及一种超低结电容TVS防护器件的制备方法。其包括：基于GaAs衬底构建高深宽比鳍槽阵列， 通过反应离子深刻蚀与等离子体修复工艺形成陡直侧壁， 突破传统刻蚀深宽比极限， 实现耗尽区体积数量级扩...
    2025-11-20
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