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最新专利技术
  • 一种高强度锦纶6超微细旦POY长丝的制备装置
    一种高强度锦纶6超微细旦POY长丝的制备装置_南通佳宇莱纤维有限公司_202511131266.4
    本发明公开了一种高强度锦纶6超微细旦POY长丝的制备装置， 涉及纺丝设备技术领域， 该高强度锦纶6超微细旦POY长丝的制备装置包括纺丝机与机架， 还包括融料机构、纺丝机构、冷却机构、收束机构、升降机构与切断机构， 其中：所述融料机构安装在机...
    2026-02-12
  • 一种静电纺丝喷头
    一种静电纺丝喷头_安徽科技学院_202511243124.7
    本发明涉及静电纺丝技术领域， 公开了一种静电纺丝喷头， 包括第一进液仓， 第一进液仓侧面固定安装有第二进液仓， 第二进液仓一侧固定连接有多个防护筒， 防护筒贯穿第二进液仓和第一进液仓相互连通， 多个防护筒一端固定连接有中置板， 中置板一侧固...
    2026-02-12
  • 一种可快速高效制备纳米纤维的电纺喷嘴
    一种可快速高效制备纳米纤维的电纺喷嘴_武汉纺织大学_202511177209.X
    本发明公开了一种可快速高效制备纳米纤维的电纺喷嘴， 属于静电纺丝技术领域， 包括：纺丝杯、放电电极、电极套和屏蔽外壳；纺丝杯的杯体上设置有至少一个电极通孔， 每个电极通孔内嵌入一个电极套， 放电电极的一端穿过电极套且可在电极套内移动， 纺丝...
    2026-02-12
  • 一种交叉射流纺丝装置
    一种交叉射流纺丝装置_武汉纺织大学_202511177207.0
    本发明公开一种交叉射流纺丝装置， 涉及静电纺丝技术领域， 交叉射流纺丝装置包括若干组纺丝机构， 每组纺丝机构包括若干个朝向同一纤维接收器设置的纺丝单元， 纺丝单元包括两个纺丝件， 纺丝件包括喷丝通道， 以及与喷丝通道连通的进液口和喷丝口， ...
    2026-02-12
  • 一种气氛可控无针式静电纺丝设备及制备微纳米纤维的方法
    一种气氛可控无针式静电纺丝设备及制备微纳米纤维的方法_江苏联发纺织股份有限公司_202511121996.6
    本发明属于纺织技术领域， 具体涉及一种气氛可控无针式静电纺丝设备及制备微纳米纤维的方法。所述设备包括部件：无针式电极丝、刷液槽、直流高压电源、收卷滚轮、金属板、进气口、滑轨、出气口、密闭外罩；无针式电极丝串联刷液槽， 无针式电极丝连接直流高...
    2026-02-12
  • 一种无氟疏水疏油防尘复合网纱及其制备方法
    一种无氟疏水疏油防尘复合网纱及其制备方法_声艺材料技术(深圳)有限公司_202510935145.9
    本发明公开了一种无氟疏水疏油防尘复合网纱及其制备方法， 该复合网纱包括PET网纱基底和通过静电纺丝形成的纳米纤维层， 所述纳米纤维层由无氟聚合物10～15％、无氟防水剂3～10％、溶剂75～85％组成的纺丝液制成；制备方法包括：将无氟聚合物...
    2026-02-12
  • 一种天然植物纤维分离提取装置及其提取方法
    一种天然植物纤维分离提取装置及其提取方法_东莞市星泽日用品有限公司_202510983876.0
    本发明涉及植物纤维处理装置技术领域， 尤其涉及一种天然植物纤维分离提取装置及其提取方法， 包括架体， 还包括可转动地连接在架体上的：第一传送带， 第一传送带上放置有植物原料；粗滚轧组件， 粗滚轧组件包括两个粗压辊， 粗压辊表面开设有粗压纹路...
    2026-02-12
  • 一种人造金刚石单晶生产用除杂质设备
    一种人造金刚石单晶生产用除杂质设备_北京恒夏自动化设备有限公司_202511010453.7
    本发明涉及冶金分离技术领域， 具体涉及一种人造金刚石单晶生产用除杂质设备， 包括：箱体， 所述箱体的底端外壁转动连接有蝶阀， 所述箱体的外壁固定连接有气泵， 所述箱体远离气泵的一端外壁固定连接有驱动电机， 所述箱体的内部设有初级去杂机构， ...
    2026-02-12
  • 一种热泵能提纯炉
    一种热泵能提纯炉_韶山恒升机械工业有限公司_202510835423.3
    本发明公开了一种热泵能提纯炉， 涉及热泵技术领域， 包括：炉体、储罐、减压器、压缩机、第一热交换器。炉体内布置有换热管路；储罐用于储存换热介质；减压器用于接收来自储罐或换热管路的换热介质；压缩机的入口与减压器相连， 用于抽出减压器内蒸汽， ...
    2026-02-12
  • YAG系列激光晶体的无胶键合方法及键合激光晶体组件
    YAG系列激光晶体的无胶键合方法及键合激光晶体组件_成都东骏激光股份有限公司_202510993217.5
    本发明公开了YAG系列激光晶体的无胶键合方法及键合激光晶体组件， YAG系列激光晶体的无胶键合方法， 包括：活化、真空加热、真空光胶和热键合， 将所述光胶晶体组件置于真空条件下进行热键合， 得到YAG系列键合激光晶体组件。本申请中先对待键合...
    2026-02-12
  • 有机-无机杂化铜基卤化物晶体材料及制备方法和应用
    有机-无机杂化铜基卤化物晶体材料及制备方法和应用_内蒙古大学_202511299452.9
    本发明属于多功能光电材料技术领域， 具体涉及有机‑无机杂化铜基卤化物晶体材料及制备方法和应用。所述有机‑无机杂化铜基卤化物晶体材料的化学式为R‑2MePICu2X4、S‑2MePICu2X4、(R‑2MePI)4Cu4X12或(S‑2MeP...
    2026-02-12
  • 一种萘二羧酸胍双折射晶体及其制备方法和应用
    一种萘二羧酸胍双折射晶体及其制备方法和应用_广西大学_202511016106.5
    本发明公开了一种π共轭有机酸胍盐双折射光学晶体及其制备方法和应用， 属于无机化学材料技术领域， 化学式为[C(NH2)3]2[C12H6O4]·4H2O， 属于单斜晶系， 其晶体空间群为P21/c；[C(NH2)3]2[C12H6O4]·4...
    2026-02-12
  • 一种硫酸钙晶须的制备方法
    一种硫酸钙晶须的制备方法_天津炬火科技有限公司_202511279814.8
    本发明提供一种硫酸钙晶须的制备方法， 包括以下步骤：S1、原料预处理：选取脱硫石膏或磷石膏作为原料；对脱硫石膏， 依次采用筛分去除大颗粒杂质、球磨细化颗粒、酸洗去除亚硫酸钙与粉煤灰， 使预处理后脱硫石膏中二水石膏含量≥95%， 且不含亚硫酸...
    2026-02-12
  • 一种化合物碲酸钪铷二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途
    一种化合物碲酸钪铷二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途_天津理工大学_202510789609.X
    一种化合物碲酸钪铷二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途， 属于光学晶体材料技术领域。将含钪化合物、含铷化合物和含碲化合物混合， 采用固相反应法制得所述化合物碲酸钪铷， 将所得化合物碲酸钪铷单相多晶粉末或所得化合物碲酸钪铷单相多晶粉末与助熔剂...
    2026-02-12
  • 一种新型氮化镓反应室加热结构及其使用方法
    一种新型氮化镓反应室加热结构及其使用方法_镓特半导体科技(铜陵)有限公司_202510865381.8
    本发明公开了一种新型氮化镓反应室加热结构及其使用方法， 包括：高温炉(103)、载台(106)和镓舟(101)；还包括：热电偶A(102)， 所述热电偶A安装在高温炉的侧壁用于检测炉内温度；石英罩(104)， 所述石英罩将镓舟的下部和载台笼...
    2026-02-12
  • 晶体生长装置
    晶体生长装置_江苏集芯先进材料有限公司_202511168690.6
    本发明公开了一种晶体生长装置， 涉及晶体生长技术领域， 所述晶体生长装置包括：气体输送结构、炉体、保温层和长晶机构， 所述气体输送结构包括进气结构和抽气结构， 所述保温层设于所述炉体内， 所述保温层限定出安装空间， 所述长晶机构设于所述安装...
    2026-02-12
  • 半绝缘碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法
    半绝缘碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法_武汉山拓微电子有限公司_202510916388.8
    本发明公开了一种半绝缘碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆， 半绝缘碳化硅外延片包括：衬底；位于衬底一侧的至少一层半绝缘碳化硅外延层；位于至少一层半绝缘碳化硅外延层远离衬底一侧的第一外延层。本发明可以有...
    2026-02-12
  • 一种碳化硅外延结构及其制备方法
    一种碳化硅外延结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202510660715.8
    本发明提供了一种碳化硅外延结构及其制备方法， 属于半导体技术领域， 包括自下向上依次布置的碳化硅衬底、渐变缓冲层、生长中断区、常规缓冲层及漂移层；渐变缓冲层和生长中断区借助掺杂浓度梯度变化而产生晶格应变， 以降低基平面位错和堆垛层错密度。本...
    2026-02-12
  • 一种单晶氧化铝及其表面划痕修复方法与应用
    一种单晶氧化铝及其表面划痕修复方法与应用_南方科技大学_202510754083.1
    本发明涉及损伤修复技术领域， 公开了一种单晶氧化铝及其表面划痕修复方法与应用。所述修复方法包括以下步骤：将单晶氧化铝放置到运动平台上；向内炬管和外炬管中分别通入惰性气体；向线圈中提供射频电源， 将上述通入的惰性气体激发成等离子体， 所述等离...
    2026-02-12
  • 一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法
    一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法_山东理工大学_202511010370.8
    本发明公开了一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法， 属于光电晶体材料技术领域， 碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体的化学式为CsPb2IxBr5‑x， 其中x为0～0.5。本发明采用上述的一种碘离子掺杂的无机钙钛矿晶体材料及其制备方法， ...
    2026-02-12
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