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  • 本发明公开了一种退火装置,包括至少一个加热件,所述加热件设置于待退火部件的一侧,且所述加热件面向所述待退火部件的一侧用于产生热量以加热所述待退火部件;至少部分数量的所述加热件连接有移动组件,所述移动组件用于驱动对应的所述加热件朝向或远离待退...
  • 本申请提供了一种芯片去层方法,涉及芯片去层技术领域。首先在封装模块中,对异常芯片及其底部基板进行切割,并获取待去层芯片;之后对所述待去层芯片进行塑封,再对塑封后的待去层芯片进行研磨,并对研磨过快的区域进行上胶保护,形成保护胶层,最后当研磨完...
  • 一种电子装置的制造方法,其至少具备下述工序:准备具备粘着性膜(50)、电子部件(70)和支撑基板(80)的结构体(100)的准备工序;将结构体(100)进行加热的预烘烤工序;以及通过密封材(60)将电子部件(70)进行密封的密封工序,所述粘...
  • 本发明公开了一种晶圆对中寻边定位方法及设备,方法包括:通过平行开闭型气爪带动对中定位工装伸张;当检测到吸盘上放置有晶圆时,通过平行开闭型气爪带动对中定位工装收缩,以使晶圆的外缘与对中定位工装的圆弧台阶贴合,以便晶圆与吸盘同轴布置,实现晶圆对...
  • 本发明涉及化学分配模块技术领域,具体涉及一种高粘度液体循环供应设备,包括柜体,其在外部设置有供液管;外置式储液单元,其通过所述供液管连接位于柜体外部的原料桶;垂直集成于柜体内的三合一功能模块,其包括多级过滤系统、气动隔膜泵组和氮气覆盖压力控...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种热处理装置,包括反应室、晶舟、加热器、第一温度测量件、第二温度测量件和控制组件,反应室具有反应腔,晶舟设置在反应腔内,第一温度测量件用于对晶舟中心区域的温度进行测量,第二温度测量件用于对晶舟边缘区域的温度...
  • 本发明公开了一种智能自适应SOP封装系统,涉及半导体封装技术领域,所述系统包括环境感知模块、智能决策模块、动态执行模块、闭环控制模块以及辅助功能模块,通过设置环境感知模块,实时捕获封装腔体内的温度、湿度及气压变化,能够及时识别局部高温凝露风...
  • 本发明涉及硅产品加工装置技术领域,具体涉及一种加压刻蚀设备,包括基台,其具有顶部敞口的刻蚀槽;盖板,用于遮盖所述刻蚀槽;所述盖板内侧设有开口槽,所述盖板设有出液口;出液组件位于开口槽内,所述喷管能够在喷孔喷液时所产生的反冲力作用下绕出液口的...
  • 本发明涉及硅产品治具技术领域,具体涉及一种用于C型多孔结构硅产品的刻蚀治具,包括相对设置的两转盘,两转盘之间设有四根固定杆,其中四根固定杆两两相对设置,其中一组处于相对侧的两固定杆之间的连线与另一组处于相对侧的两固定杆之间的连线交叉设置;每...
  • 本发明属于半导体封装分选设备制造技术领域,其提供了一种DFN和PDFN系列半导体封装分选机中的通用振动盘,包括振动盘本体、切换装置和两条或两条以上相互平行且分别适用于DFN和PDFN系列半导体封装中一种型号的前端导轨,切换装置通过其连接端与...
  • 本发明涉及具有减少占地面积的半导体处理工具平台配置。基板处理系统包括具有受控环境的工厂接口和传送腔室。传送腔室包括四个第一小平面和三个第二小平面,其中三个第二小平面的每一个具有比四个第一小平面的每一个的宽度窄的宽度。第一处理腔室附接到四个第...
  • 本申请公开了一种激光退火装置及激光退火方法,激光退火装置包括光源模块、扩束模块、整形模块、扫描模块、控制模块和视觉检测模块,光源模块产生第一光束,扩束模块调节第一光束的直径并出射第二光束,整形模块将第二光束整形为整形光束,扫描模块包括扫描振...
  • 本发明关于一种基板处理设备,包含:腔室,提供处理空间;盖件,覆盖腔室的上部;基板支撑单元,支撑着至少一个基板且可绕旋转轴旋转,以使基板穿过成像区域;气体喷射单元,用于将处理气体喷向基板支撑单元;区域摄影单元,拍摄成像区域的图像以获得成像区域...
  • 本技术的各种实施例可以提供一种具有两个单独的排放集气室的设备。该设备可以包括顶部部分,其具有至少一个入口以及第一排放集气室和第二排放集气室。该设备可以还包括底部部分,其具有联接到第一排放集气室的多个第一排放通孔和联接到第二排放集气室的多个第...
  • 本申请涉及一种太阳能板串异常分区处理方法、系统、终端及介质,涉及太阳能板检测技术的领域,其方法包括:将多个单体太阳能板依次连接,形成太阳能板串;对太阳能板串进行检测,并根据显示界面中的显示亮度从单体太阳能板中的筛选出异常太阳能板;若异常太阳...
  • 本发明公开了一种半导体芯片中晶圆智能封测方法及系统,涉及半导体制造技术领域,包括,初始化磁电场协同参数,并通过多目标遗传算法对磁电场协同参数进行优化,并驱动核壳纳米颗粒对高精度通孔晶圆进行金属化填充,生成金属化通孔结构的晶圆;基于金属化通孔...
  • 本发明涉及一种单晶硅片无损识别层错环方法,包括如下操作步骤:步骤一:准备硅片样品,一组样品刻号相连,为相邻片;步骤二:硅片样品进行激光缺陷检测,采用科天颗粒测定仪进行SP7测试;步骤三:激光缺陷检测后对颗粒检测结果进行分析,判断晶棒体内层错...
  • 本发明涉及一种基于二次谐波的晶圆检测方法及系统,其中,方法包括:获取待测样品中的预选测点处的实测二次谐波检测信号集,实测二次谐波检测信号集包括:预选测点被来自不同方位角的光源照射后、受激发所产生的多个二次谐波检测信号;基于预设的拟合算法对实...
  • 本申请提供一种基于CMP清洗后的TSV晶圆表面污染粒子检测分析方法及系统,涉及集成电路技术领域,用于改善相关技术中,对污染粒子风险评估不够精确的的技术问题。方法包括:获取待检测晶圆的粒子分布图;获取待检测晶圆的TSV版图数据;基于预设的基准...
  • 本公开实施例提供了晶圆检测设备及晶圆检测方法,所述晶圆检测设备包括:用于支撑晶圆的支撑装置;超声波发生器,所述超声波发生器用于向所述晶圆发送超声波,以在所述晶圆内部引发振动,其中,所述超声波的传播方向设置成与所述晶圆的主表面成非零夹角;判定...
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