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最新专利技术
  • 一种蛋白质和RNA结合亲和力的预测方法及系统
    一种蛋白质和RNA结合亲和力的预测方法及系统_兰州大学_202511034063.3
    本发明公开了一种蛋白质和RNA结合亲和力的预测方法及系统，属于生物信息学技术领域。该方法包括以下步骤：首先获取蛋白质和RNA的原始氨基酸序列及核苷酸序列的高维嵌入向量和三维结构；利用Graph Transformer模型构建蛋白质图并整合序...
    2025-12-07
  • 一种基于网络的鉴定复杂疾病中潜在靶点的方法和系统
    一种基于网络的鉴定复杂疾病中潜在靶点的方法和系统_华东理工大学_202511009201.2
    本发明首次提出了一种基于网络的鉴定疾病靶点的方法ComplexDnet。该方法在WGCNA结果的基础上，构建蛋白互作网络，并进一步对网络进行结构关键性分析、鲁棒性分析和功能一致性分析，分别获得三种得分。根据上述三种得分构建了一个综合得分算法...
    2025-12-07
  • 一种基于统一消息的时序特征融合用于药物-靶点结合亲和力的预测
    一种基于统一消息的时序特征融合用于药物-靶点结合亲和力的预测_中国石油大学(华东)_202510993929.7
    本发明公开本发明提供一种基于统一消息的时序特征融合用于药物‑靶点结合亲和力预测分类方法，属于医疗预测领域。本发明的方法包括以下步骤：通过RDKit将药物的SMILES序列转换为子图形式，而蛋白质序列则用one‑hot编码表示；通过特定的特征...
    2025-12-07
  • 多价蛋白质动力学性质预测方法及相关产品
    多价蛋白质动力学性质预测方法及相关产品_西湖大学_202510902424.5
    本公开提供一种多价蛋白质动力学性质预测方法及相关产品。该多价蛋白质动力学性质预测方法的一具体实施方式即通过在模拟多价蛋白质与细胞膜表面的抗原结合的微观状态浓度变化速率的过程中，采用所结合抗原的有效浓度，而不是所结合抗原的客观浓度，进而可以提...
    2025-12-07
  • 一种用于存储芯片最终测试的小型测试机台
    一种用于存储芯片最终测试的小型测试机台_悦芯科技股份有限公司_202511430081.3
    本发明涉及存储芯片测试技术领域，具体公开了一种用于存储芯片最终测试的小型测试机台，包括：插座模块；温控组件。高温和低温模拟测试时，由于换热板的尺寸大小不一，且气腔的容积相等，这样尺寸较大的换热板交换热量效率较高，这样对应的气腔内的温度就相对...
    2025-12-07
  • 固态硬盘故障预诊断与数据安全自修复处理方法及装置
    固态硬盘故障预诊断与数据安全自修复处理方法及装置_深圳市彦胜科技有限公司_202510996502.2
    本发明涉及一种固态硬盘故障预诊断与数据安全自修复处理方法及装置，属于存储器技术领域，方法包括：在固态硬盘运行过程中，监测每个存储块的块擦除时间，当一个或多个存储块的块擦除时间首次超过预警阈值时，标记所述存储块为预警状态；持续监测标记为预警状...
    2025-12-07
  • 自动测试系统
    自动测试系统_深圳市时创意电子股份有限公司_202510928995.6
    本申请涉及芯片领域，具体公开了一种自动测试系统，自动测试系统包括机台，机台上设置有上料装置、送料装置以及测试装置；上料装置用于存放多个测试硬盘，送料装置用于将上料装置上的多个测试硬盘运送至测试装置；测试装置包括第一测试组件和第二测试组件，第...
    2025-12-07
  • 老化测试系统、固态存储设备以及相关方法
    老化测试系统、固态存储设备以及相关方法_上海江波龙数字技术有限公司_202410559538.X
    本申请公开了一种老化测试系统，应用于固态存储设备，固态存储设备包括至少一个待测固态存储片；老化测试系统包括控制器；至少一个散热器，与控制器电连接，每个至少一个散热器用于对对应的待测固态存储片进行散热；以及至少一个温度传感器，与控制器电连接，...
    2025-12-07
  • 降低错误比特位数方法、装置、存储控制芯片及存储介质
    降低错误比特位数方法、装置、存储控制芯片及存储介质_深圳三地一芯电子股份有限公司_202511063770.5
    本申请提供了一种降低错误比特位数方法、装置、存储控制芯片及存储介质。该方法包括：读取Flash的预设偏移电压，并得到预设偏移电压与之匹配的错误比特位数值；根据第一调整方法对预设偏移电压进行右偏调整，得到错误比特位数变化值超出变化阈值的第一偏...
    2025-12-07
  • SOC芯片、桥接集成芯片及DRAM
    SOC芯片、桥接集成芯片及DRAM_碳芯微电子科技(深圳)有限公司_202511024988.X
    本发明公开一种SOC芯片、桥接集成芯片及DRAM，涉及存储单元修复技术领域。SOC芯片用于与DRAM电连接，SOC芯片包括：第一控制电路；存储修复模块，存储修复模块分别与第一控制电路、DRAM电连接；桥接集成芯片用于分别与SOC芯片、DRA...
    2025-12-07
  • 奇偶校验码的更新方法、计算机可读存储介质和固态硬盘
    奇偶校验码的更新方法、计算机可读存储介质和固态硬盘_深圳市时创意电子股份有限公司_202510932204.7
    本申请公开了一种奇偶校验码的更新方法、计算机可读存储介质和固态硬盘，奇偶校验码的更新方法包括以下步骤：获取新的写入指令；把新的写入指令对应的写入数据，写入到对应的条带的数据块中，同时将条带的标记位改为第一状态，以标示对应的条带的奇偶校验位为...
    2025-12-07
  • DDR4测试工艺、内存条及其计算机设备
    DDR4测试工艺、内存条及其计算机设备_深圳市优盛博纳科技有限公司_202510838788.1
    本发明涉及一种DDR4测试工艺、内存条及其计算机设备，属于存储器技术领域，在DDR4内存控制器与待测模组间插入可编程阻抗扰动电路，所述电路在维持正常通信链路的同时注入预设标称值的伪随机阻抗突变；截取所述伪随机阻抗突变触发时刻的读写数据眼图，...
    2025-12-07
  • 一种存算一体计算误差的低功耗测试电路
    一种存算一体计算误差的低功耗测试电路_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511043002.3
    本发明公开一种存算一体计算误差的低功耗测试电路，包括存算阵列、流水线加法树、数字移位加模块。存算阵列中的存算单元以电荷量或电阻值等模拟信号来存储权重。外部电路对坐标位置为(i, j)的存算单元进行编程写入权重值Wi, j，同时将权重值Wi,...
    2025-12-07
  • 一种用于FLASH存内计算的电阻型读出单元电路
    一种用于FLASH存内计算的电阻型读出单元电路_西安交通大学_202511445499.1
    本发明公开了一种用于FLASH存内计算的电阻型读出单元电路，涉及集成电路技术领域，包括转换模块和量化模块，转换模块包括结构相同的正权重电流转换单元和负权重电流转换单元，其输入端分别与正权重位线和负权重位线连接，均包括运算放大器、驱动晶体管、...
    2025-12-07
  • 存储器的读取控制方法、读操作控制装置以及存储器
    存储器的读取控制方法、读操作控制装置以及存储器_联芸科技(杭州)股份有限公司_202410557689.1
    本公开实施例提供一种存储器的读取控制方法、读操作控制装置以及存储器。该读取控制方法向存储器的各个存储单元上施加第一检测电压；通过硬判决获得与第一检测电压相对应的硬信息；采用第一硬译码算法对硬信息进行译码；重复施加第一检测电压、获得与第一检测...
    2025-12-07
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202410599076.4
    本发明提供一种存储器装置及其操作方法。存储器该操作方法包含：通过第一字串选择线信号携载第一搜索位元；通过第一字串选择线信号控制第一开关元件；通过第二及第三开关元件储存第一数据位元；以及比较第一搜索位元及第一数据位元以产生第一位线信号，其中响...
    2025-12-07
  • 一种1T2FC铁电存储单元及其制备方法
    一种1T2FC铁电存储单元及其制备方法_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511066059.5
    本申请提供了一种1T2FC铁电存储单元及其制备方法，其中，所述1T2FC铁电存储单元，配置于存内计算铁电存储器，包括：选择晶体管；第一铁电电容器，电连接于第一板线和所述选择晶体管栅极之间；第二铁电电容器，电连接于第二板线和所述选择晶体管栅极...
    2025-12-07
  • 一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法
    一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511065979.5
    本申请提供了一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法，所述4T2FC铁电存储单元包括：第一存储晶体管，其漏极连接第一控制晶体管的源极；第二存储晶体管，其漏极连接第二控制晶体管的源极；第一铁电电容器，分别连接第一板线和所述第一存储晶体管栅极；第...
    2025-12-07
  • 一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列
    一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511065893.2
    本申请涉及存内计算存储器技术领域，尤其涉及一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列。所述1T1PFC顺铁电存储单元，包括：一个存储晶体管；一个顺铁电电容器，与所述存储晶体管的栅极连接；存储栅极线，通过垂直连接结构电耦合到顺铁电电容器的底电...
    2025-12-07
  • 基于铁电晶体管的全数字存内运算CMOS电路
    基于铁电晶体管的全数字存内运算CMOS电路_电子科技大学_202511052497.6
    本发明设计并提出了多种基于铁电晶体管的全数字存内计算电路，属于集成电路领域。本发明设计了多种基于铁电晶体管的全数字存内计算电路，基于FEFET逻辑门结构，本发明可以将权重数据存储在计算电路中进行所有的布尔逻辑运算，对于突破冯.诺伊曼架构的“...
    2025-12-07
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